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2SK2533

Abstract: No abstract text available
Text: No. 三洋半導体開発速報 特長 暫定規格 NチャネルMOS形シリコン電解効果トランジスタ 超高速スイッチング 2SK2533 ・低オン抵抗。 ・高速ダイオ−ド内蔵。 ・面実装に対応し工数低減およびセットの高密度化、小型化が可能となる。