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    Abstract: No abstract text available
    Text: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM544599A-N •概要 ■特長 ELM544599A-N は低入力容量 低電 ・ N チャンネル 圧駆動、 低オン抵抗という特性を備えた Vds=40V, Id=8.0A, Rds on =22mΩ(Vgs=10V) 大電流 MOSFET です。


    Original     		ELM544599A-N AFP4599W PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: Complementary MOSFET ELM544599A-N •General Description ■Features ELM544599A-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • N-channel Vds=40V, Id=8.0A, Rds(on)=22mΩ(Vgs=10V) Vds=40V, Id=6.0A, Rds(on)=28mΩ(Vgs=4.5V)


    Original     		ELM544599A-N ELM544599A-N AFP4599W PDF

    复合

    Abstract: ELM544599A
    Text: 复合沟道 MOSFET ELM544599A-N •概要 ■特点 ELM544599A-N 是低输入电容低工作电 •N 沟道 压、低导通电阻的大电流 MOSFET。同时内 Vds=40V, Id=8.0A, Rds on =22mΩ(Vgs=10V) Vds=40V, Id=6.0A, Rds(on)=28mΩ(Vgs=4.5V) 藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。


    Original     		ELM544599A-N AFP4599W 复合 ELM544599A PDF