BD241B; Search Results
BD241B; Price and Stock
onsemi BD241BTUTRANS NPN 80V 3A TO220-3 |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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BD241BTU | Tube |
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Rochester Electronics LLC BD241BTUTRANS NPN 80V 3A TO220-3 |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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BD241BTU | Tube | 1,110 |
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Bourns Inc BD241B-STRANS NPN 80V 3A TO220 |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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BD241B-S | Tube |
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BD241B-S | Reel | 45,000 |
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BD241B-S | 143 Weeks | 15,000 |
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STMicroelectronics BD241B |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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BD241B | 18 |
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Fairchild Semiconductor Corporation BD241BTUPower Bipolar Transistor, 3A, 80V, NPN, TO-220AB, 3 Pin ' |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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BD241BTU | 1,950 | 1 |
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BD241B; Datasheets (78)
Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Curated | Datasheet Type | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NPN SILICON POWER TRANSISTORS | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NPN Epitaxial Silicon Transistor | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2.0 AMPERES POWER TRANSISTORS NPN SILICON 80 VOLTS 25 WATTS | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Complementary Silicon Plastic Power Transistors | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Silicon Epitaxial Base Power Transistors | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD241B | Power Innovations | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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complementary power transistor | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD241B | USHA | NPN silicon plastic power NPN transistor. Designed for use in general-purpose switching and amplifier applications. Vceo = 80Vdc, Vces = 90Vdc, Veb = 5Vdc, Ic = 3Adc, Pd = 40W | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD241B | Boca Semiconductor | COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORSS | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD241B | Continental Device India | Semiconductor Device Data Book 1996 | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD241B | Continental Device India | NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS / PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BD241B | Continental Device India | TO-220 NPN Power Package Transistors | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD241B | Ferranti Semiconductors | Quick Reference Guide 1985 | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD241B | Ferranti Semiconductors | Power Transistors 1977 | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Epitaxial-base silicon N-P-N VERSAWATT transistor. Vcer 90V, 40W. | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD241B | Micro Electronics | Semiconductor Device Data Book | Scan |