Q62702-P47
Abstract: Q62702-P928
Text: Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPX 90 BPX 90 F BPX 90 BPX 90 F Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm BPX 90 und bei 950 nm (BPX 90 F) • Hohe Fotoempfindlichkeit • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
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Original
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Q62702-P47
Q62702-P928
Q62702-P47
Q62702-P928
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BPX osram
Abstract: 1000-LX GEOY6014 Q62702-P47 Q62702-P928
Text: Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPX 90 BPX 90 F BPX 90 BPX 90 F Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm BPX 90 und bei 950 nm (BPX 90 F) • Hohe Fotoempfindlichkeit • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
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Original
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Q62702-P47
Q62702-P928
BPX osram
1000-LX
GEOY6014
Q62702-P47
Q62702-P928
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BPX osram
Abstract: GEOY6638 Q62702-P17-S1 Q62702-P305 BPX 48
Text: Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode BPX 48 BPX 48 F BPX 48 BPX 48 F Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm BPX 48 und bei 920 nm (BPX 48 F) • Hohe Fotoempfindlichkeit
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Original
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Q62702-P17-S1
Abstract: Q62702-P305 BPX48 diode bzw 06 BPX 48
Text: Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode BPX 48 BPX 48 F BPX 48 BPX 48 F Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm BPX 48 und bei 920 nm (BPX 48 F) • Hohe Fotoempfindlichkeit • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
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Original
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A950 O
Abstract: BPX90 F
Text: SIEMENS BPX 90 BPX 90F DAYLIGHT FILTER Silicon Planar Photodiode BPX 90 FEATURES • Especially suitable for applications - BPX 90:400nm to 1100 nm - BPX90 F: 950 nm • High photosensitivity • DIL plastic package with high packing den sity APPLICATIONS
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400nm
BPX90
BPX90--
BPX90F--Relative
A950 O
BPX90 F
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Q62702-P47
Abstract: Q62702-P928
Text: BPX 90 BPX 90 F BPX 90 BPX 90 F feof6014 feo06014 Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm BPX 90
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Original
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feof6014
feo06014
Q62702-P47
Q62702-P928
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Q62702-P21
Abstract: Q62702-P22 Q62702-P25 Q62702-P26 Q62702-P28 Q62702-P30 Q62702-P31 Q62702-P32 Q62702-P33 Anders Electronics
Text: BPX 80 BPX 82 . 89 BPX 80 BPX 82 . 89 feo06367 fez06365 NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im
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Original
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feo06367
fez06365
IPCE/IPCE25o
Q62702-P21
Q62702-P22
Q62702-P25
Q62702-P26
Q62702-P28
Q62702-P30
Q62702-P31
Q62702-P32
Q62702-P33
Anders Electronics
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Q62702-P17-S1 equivalent
Abstract: Q62702-P305 Q62702-P17-S1 BPX48
Text: BPX 48 BPX 48 F BPX 48 BPX 48 F feof6638 feo06638 Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im
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Original
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feof6638
feo06638
Q62702-P17-S1 equivalent
Q62702-P305
Q62702-P17-S1
BPX48
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2011-05-27 Silicon NPN Phototransistor Arrays NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Version 1.0 BPX 80, BPX 82 . BPX 89 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 . 1100 nm • • • • • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor Arrays NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Version 1.1 BPX 80, BPX 82 . BPX 89 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 450 . 1100 nm • Package: Miniature Array, Epoxy • Special: Multiple-digit array package
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Original
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: BPX81 2-10 TRANSISTOR ARRAYS BPX82— 89, 80 SIEMENS SINGLE TRANSISTOR Silicon NPN Phototransistor Dimensions in inches mm BPX81 Dimension “A*. Part No. Min. Max. BPX82 .177 (4.5) .193 (4.9) BPX 83 .275 (7.0) .291 (7.4) BPX 84 .377 (9.6) .393 (10) BPX 85
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BPX81
BPX82â
BPX82
GE006367
1000lx,
950nm
BPX81-3
BPX81-4
BPX81-2
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: BPX 90 BPX 90F SIEMENS DAYLIGHT FILTER Silicon Planar Photodiode D im ensions in inch e s m m .212(5.4) .193(4,9) 177 (4.5) .090(2.3) 07912.(5) C hip position .024 (.6) .016 (.4) FEATURES • Especially suitable for applications - BPX 90: 400nm to 1100 nm
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400nm
BPX90
BPX90
BPX90F
18-pln
fl535t
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: BPX 48 BPX 48F SIEMENS DAYLIGHT FILTER Silicon Differential Photodiode Dimensions in inches mm .159(4.05) I .147 (3.75) I H 0e to 5° Cathode uauiuub / ?4 _ noR Lead spacing n 6 2) ~ T .096 (2.45) idre" DESCRIPTION The differential photodiode BPX 48 is designed for special industrial electronic
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18-pln
fl535t
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RADIALL CONTACT 620 600 257
Abstract: Radiall arinc 620 600 Radiall arinc 620 800 066 Radiall 620 600 238 311601 coax FILOTEX METAL BRAID radiall 617 610 connector ABS1503KD24 Adams-Russell FC cable awg Radiall arinc 600 NSX
Text: NSX ARINC 600 INTRODUCTION MULTICONTACT CONNECTORS NSX- ARINC 600 / BPX NSX series defined by ARINC 600 specification and BPX series (defined by Bœing S280W551 specification) are multipin rack and panel connectors used to connect high performance aeronautical equipments.
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Original
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S280W551
RADIALL CONTACT 620 600 257
Radiall arinc 620 600
Radiall arinc 620 800 066
Radiall 620 600 238
311601 coax
FILOTEX METAL BRAID
radiall 617 610 connector
ABS1503KD24
Adams-Russell FC cable awg
Radiall arinc 600 NSX
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phototransistor 650 nm
Abstract: foto transistor Q62702-P15 Q62702-P15-S2 Q62702-P15-S3 Q62702-P15-S4 BPX 38
Text: BPX 38 BPX 38 fmo06018 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1120 nm
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Original
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fmo06018
IPCE/IPCE25o
ICEO/ICEO25o
phototransistor 650 nm
foto transistor
Q62702-P15
Q62702-P15-S2
Q62702-P15-S3
Q62702-P15-S4
BPX 38
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foto transistor
Abstract: foto transistor BPX circuit Q62702-P20 Q62702-P43-S2 Q62702-P43-S3
Text: BPX 81 BPX 81 feo06021 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm
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Original
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feo06021
Q62702-P
IPCE/IPCE25o
foto transistor
foto transistor BPX circuit
Q62702-P20
Q62702-P43-S2
Q62702-P43-S3
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feo06021
Abstract: Q62702-P20 Q62702-P43-S2 Q62702-P43-S3
Text: BPX 81 BPX 81 feo06021 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm
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Original
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feo06021
IPCE/IPCE25o
feo06021
Q62702-P20
Q62702-P43-S2
Q62702-P43-S3
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foto transistor
Abstract: BPX 43-3/4 BPX43 Q62702-P16 Q62702-P16-S2 Q62702-P16-S3 Q62702-P16-S4 Bpx 95 bis125
Text: BPX 43 BPX 43 fmof6019 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from
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Original
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fmof6019
IPCE/IPCE25o
ICEO/ICEO25o
foto transistor
BPX 43-3/4
BPX43
Q62702-P16
Q62702-P16-S2
Q62702-P16-S3
Q62702-P16-S4
Bpx 95
bis125
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Bpx 95
Abstract: foto transistor BPX43 Q62702-P16 Q62702-P16-S2 Q62702-P16-S3 Q62702-P16-S4 F912 bpx 43-4
Text: BPX 43 BPX 43 fmof6019 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from
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Original
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fmof6019
IPCE/IPCE25o
ICEO/ICEO25o
Bpx 95
foto transistor
BPX43
Q62702-P16
Q62702-P16-S2
Q62702-P16-S3
Q62702-P16-S4
F912
bpx 43-4
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foto transistor
Abstract: Q62702-P21 GEO06367 Q62702-P22 Q62702-P25 Q62702-P26 Q62702-P28 Q62702-P30 Q62702-P31 Q62702-P32
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 BPX 82 … 89 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy • Gruppiert lieferbar
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Original
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IPCE/IPCE25o
GEO06367
foto transistor
Q62702-P21
GEO06367
Q62702-P22
Q62702-P25
Q62702-P26
Q62702-P28
Q62702-P30
Q62702-P31
Q62702-P32
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Q62702P0022
Abstract: BPX osram
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 80 BPX 82 … 89 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
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BPX81-4
Abstract: BPX81-3 BPX81 BPX-81-4 Typ BPX81-2 BPX80 BPX81-2 BPX82 BPX89 phototransistor array
Text: SIEMENS BPX81 2-10 TRANSISTOR ARRAYS BPX82-89, 80 SINGLE TRANSISTOR Silicon NPN Phototransistor Dimensions in inches mm BPX82-89, SO BPX81 Dimension “A” . Part No. Min. .141 (3.6) .1 2 6 (3 .2 ) Max. BPX 82 .177 (4.5) .193 (4.9) BPX 83 .275 (7.0) .291
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BPX81
BPX82-89,
BPX82
76K130
18-pln
023SbQS
BPX81-4
BPX81-3
BPX81
BPX-81-4
Typ BPX81-2
BPX80
BPX81-2
BPX82
BPX89
phototransistor array
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 80 BPX 82 … 89 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 BPX 82 … 89 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
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