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    DDR BAUELEMENTE Search Results

    DDR BAUELEMENTE Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet Type Document Tags PDF

    SAS 251

    Abstract: 4580d tda 2022 Tda 865 TDA 7650 CPA 7660 cmo 765 TAA 2761 A TCA4510 TAA761A
    Text: 1:UNKAMATEUR-Bauelementeinformation IS Vergleichslisten für integrierte Schaltkreise DDR/international IS für den Einsatz in Rundfunkempfängern und Recordern DDR-Typ Vergleichstyp Beschreibung DDR-Typ Vergleichstyp Beschreibung A 202 D A 22SD A 244 D/SD


    OCR Scan     		A225D 1310P 1524D A273D 1818D A274D A4100D A277D TJAAI80) A4510D SAS 251 4580d tda 2022 Tda 865 TDA 7650 CPA 7660 cmo 765 TAA 2761 A TCA4510 TAA761A PDF

    Transistoren DDR

    Abstract: vergleichsliste TELEFUNKEN bux 127 aktive elektronische bauelemente ddr BUX 127 SF 127 vergleichsliste DDR "vergleichsliste" bauelemente DDR sf 369
    Text: VT FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Vergleichsliste für Transistoren DDR/international DDR-Typ Vergleichstyp Beschreibung Hinweise SC 237/238/239 SC 307/308/309 SCE 237 SD 335/337/339 BC 237/238/239 BC 307/308/309 BC 847 BCW 71/72 BCX 70 BC 848 BCW 31/32/33/60


    OCR Scan     		SCE237 SCE238 SCE239 SCE308 Transistoren DDR vergleichsliste TELEFUNKEN bux 127 aktive elektronische bauelemente ddr BUX 127 SF 127 vergleichsliste DDR "vergleichsliste" bauelemente DDR sf 369 PDF

    SZ600

    Abstract: SZX19 SZX18 sz 600 SZX21 sz 515 Funkamateur FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation szx 18 30 SZ510
    Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Z-Dioden aus der DDR Z-Dioden kleiner und mittlerer Verlustleistung Kurzcharakteristik Grenzwerte Parameter Typ Gesamtverlustleistung Kurzzeichen [mW] SZX18/. SZX19/. SZX21/. Sperrschichttemperatur min. SZX18/19/. SZX21/.


    OCR Scan     		SZX18/. SZX19/. SZX21/. SZX18/19/. SZ600/. ti-25 SZ600 SZX19 SZX18 sz 600 SZX21 sz 515 Funkamateur FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation szx 18 30 SZ510 PDF

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C
    Text: electronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz-und Kenndaten der in der DDR getertigten Halbleiterbauelemente. Die Kennwerte werden im allgemeinen für eine Umgebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.


    OCR Scan     		6x10x12 Halbleiterbauelemente DDR Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C PDF

    SSY20

    Abstract: SF828 VEB mikroelektronik funkamateur BUX 127 SF126 SF 127 SF128 SF826 SF 829 B
    Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation DDR-SiliziumTransistoren Typenübersicht Si-Transistoren des VEB Kombinat Mikroelektronik Grenzdaten Zonen­ Vorzugs­ anwendungen2 folge P,o, [mW, W ] Typ1 Kenndaten UcBO U ceO T • T * 1C , ACsat [V] [V] [mA, (A)] fiT3


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    mikroelektronik ddr

    Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik vqb 71 A910D VQB71 "halbleiterwerk frankfurt" diode sy-170 VQB 37 u112d
    Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn­ daten der in der DDR gefertigten Halbleiterbauelem ente. Dem Anwender soll durch diese Übersicht die Auswahl der jeweils in Frage kommenden


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    RGK13

    Abstract: rgk 13 RGS13 RGT13 mikroelektronik Heft 12 mikroelektronik DDR FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation VEB mikroelektronik Funkamateur "Mikroelektronik" Heft
    Text: FUNKÂMATEUR-Bauelementeinformation RGK13 RGS13 RGT13 D IL - Dual In Line und S IL - (Single In Line) Relais in Flachbauform mit 13-mm-Schutzrohrkontakt T G L 42699/01 Hersteller: V E B Relaistechnik Großbreitenbach O Seit einiger Zeit werden in der DDR


    OCR Scan     		13-mm-Schutzrohrkontakt RGK13 RGS13 RGT13 rgk 13 mikroelektronik Heft 12 mikroelektronik DDR FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation VEB mikroelektronik Funkamateur "Mikroelektronik" Heft PDF

    VEB mikroelektronik

    Abstract: mikroelektronik DDR aktive elektronische bauelemente ddr TESLA Tesla katalog 74c915 V4093D 4502c mosfet 4040BC K561TM2
    Text: DATEN DIGITALER INTEGRIERTER SCHALTKREISE AMATEUR BIBLIOTHEK Klaus K.Streng Streng, Klaus K.: Daten digitaler integrierter Schaltkreise CMOS-Schaltkreise . Berlin: Militirverlag der DDR. 1987. - 192 S.: 314 Bilder (Amateurbibliothek) ISBN 3-327-00360-2 l. Auflage, 1987


    OCR Scan     		HC4316 HC503 4351D/L VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR aktive elektronische bauelemente ddr TESLA Tesla katalog 74c915 V4093D 4502c mosfet 4040BC K561TM2 PDF

    gruner

    Abstract: AF125 VEB Funkwerk Erfurt iran Erfurt Planschirm 20/RGI TGL
    Text: Pl.Nr. 1303 26 553 Einsprüche bU 30.6.66 andie durchfdhrende Stelle mit Kopieorrdis beauftragte ZfS Entwurf DDR-Standard OK 6 2 1 .3 8 5 .8 3 2 . Mai 966 TGL, Elektronenröhren OSZILLOGRAPHENRÖHRE B 13 S5 ?^76KTpOHHblB yJ9Mnbi OciiM^viorp^iMsecKaii ipyÍKa 613 55


    OCR Scan     		11iiiitBiF gruner AF125 VEB Funkwerk Erfurt iran Erfurt Planschirm 20/RGI TGL PDF

    Funkamateur

    Abstract: SF128 sf126 SSY20 SU161 SF136 SF137 sf359 132 gd 120 sf358
    Text: Funkam ateur-Tabeilen Halbleiter-Bauelemente aus der DDR-Produktion 1980 Typ P« mW [W] UcBO V U ceO Ic [ U c e r ] mA V [A] hin Bei UCE und Ic mA V [A] MHz Silizium-NF-Transistoren 200 SC 206 SC 207 200 sc 236 200 sc 237 200 200 sc 238 sc 239 200 Silizium-HF-Transistoren


    OCR Scan     		il21E Funkamateur SF128 sf126 SSY20 SU161 SF136 SF137 sf359 132 gd 120 sf358 PDF

    sy 170

    Abstract: SY 356 SY 360 05 sy 710 sy 360 Dioden SY 250 byx 21 SY 320 sy710 Halbleiterbauelemente DDR
    Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation VD Vergleichsliste für Dioden DDR/international D D R - Vergleichs­ Typ typ GA 100 G A 101 G A 102 GA 104 G A 105 GAY 61 GAY 64 SA 412 SA 415 SA 418 SAY 12 SAY 16 o SAY 17 SAY 18 SAY 20 SAY 30 SAY 32 SAY 40 SAY 42 SY 170


    OCR Scan     		N4001. sy 170 SY 356 SY 360 05 sy 710 sy 360 Dioden SY 250 byx 21 SY 320 sy710 Halbleiterbauelemente DDR PDF

    sy 160

    Abstract: Scans-048 OC871 gf 122 DSAGER00037 GC101 OC870 OC883 LF 833
    Text: UMSCHLÜSSELLUNGSLISTE DDR-TRANSISTOREN und -DIODEN gültig ab 01.01.1964 nach TGL 19 442 NEUER ALTER NEUER TYP_ TYP_ BASTELTYP ALTER BASTELTYP GC 100 GC 101 OC 870 F< 25 dB OC 870 F< 10 dB LC 810 LC 810 LA 25 LA 25 GC GC GC GC GC GC


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: sy 170 diode sy-180 diode sy 171 10 diode sy-170 mikroelektronik DDR mikroelektronik Heft 12 VEB mikroelektronik SY 180 Applikation Information
    Text: m o ß ^ t s ie le l- c ia n o r ill- i Information Applikation INFORMATION A PPLIKA TIO N M IK R O E L E K T R O N IK Heft 16: L E IS T U N G S -E L E K T R O N IK II Bauelemente-Sortiment der DDR -Teil 1: Dioden- VEB GLEICHRICHTERWERK STAHNSDORF im VEB Kombinat Mikroelektronik


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    ker 221

    Abstract: elektronik DDR L8853 ddr veb hermsdorf Filter Hermsdorf Deutsche Post Scans-048 nf schaltungen bauelemente DDR
    Text: K > A U S G A B E 1965 Abbildungen und W e rte gelten nur bedingt als Unterlagen für Bestellungen. Rechtsverbindlich Ist |eweils die Auftragsbestätigung. Änderungen Vorbehalten. E x p o r t e u r : Heim electric, Deutsche Export- und Importgesellschaft m .b .H ., 102 Berlin 2, Liebknechtstraße 14, DDR


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    SAL 41

    Abstract: SMY52 SMY60 GAZ17 Funkamateur GY102 smy50 SMY51 germanium GY100
    Text: FUNKAMATEUR-Tabellen Halbleiterbauelemente aus der DDR-Produktion 1980 Typ Plot UDs U gs UGB V U DB mW V U dg Si-MOSFGT n-Kanal-Verarm ungstyp 20 SM 103 150 -1 5 /+ 5 SM 104 150 20 -1 5 /+ 5 U sb Id y 21 Bei V - U T Bei Re Id |aA T mA V erw endung A sc sc


    OCR Scan     		SMY511 SMY52 SMY602 GY100 SAL 41 SMY60 GAZ17 Funkamateur GY102 smy50 SMY51 germanium PDF

    VQB71

    Abstract: vqb 71 Halbleiterbauelemente DDR "halbleiterwerk frankfurt" U105D diode sy-250 U107D u311d hfo frankfurt sy 170
    Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente D ie v o r lie g e n d e Ü b e rs ic h t e n t h ä l t i n g e d rä n g te r Form d ie w ic h tig s te n G renz- und K enndaten d e r i n d e r DDR g e f e r t i g t e n H a lb le ite r b a u e le m e n te . D ie K ennw erte werden im a llg e m e in e n f ü r e in e U m gebungstem peratur von


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: MAA 436 TESLA mikroelektronik applikation Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 IL709M mikroelektronik Heft MAA725 K553UD1A "Mikroelektronik" Heft Tesla katalog
    Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATION K 159 INNENSCHALTUNG SONDERHEFT IMPORT­ BAUELEMENTE UDSSR INTEGRIERTE SCHALTUNGEN INFORMATION-APPLIKATION SONDERHEFT IMPORTBAUELEMENTE INTEGRIERTE SCHALTUNGEN MIKROELEKTRONIK HEFT 6 veb Halbleiterwerk frankfurt oder


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
    Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.


    OCR Scan     		DOR102 Halbleiterbauelemente DDR GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170 PDF

    SPF455

    Abstract: SPF 455 H 5 SPF 455 msf 38.9 SPF 455 h5 455-A6 SPF10700 455-B6 SFU 455 Y veb taschenbuch
    Text: Mechanische Frequenzfilter Sondererzeugnisse Kombinat VEB Elektronische Bauelemente F R E Q U E N Z S E L E K T IV E B A U E L E M E N T E In h alt Piezokeram ische B a ndfilte r O b e rflä ch e n w e lle n filte r Seite 6 16 S O N D E R E R Z E U G N IS S E


    OCR Scan     		Ag05/23/87 SPF455 SPF 455 H 5 SPF 455 msf 38.9 SPF 455 h5 455-A6 SPF10700 455-B6 SFU 455 Y veb taschenbuch PDF

    2T6551

    Abstract: information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft KD 605 KT825 transistoren KT 960 A Mikroelektronik Information Applikation KT827 mikroelektronik DDR
    Text: im S l^ is B le l- c t s n o r iil- c Information Informations- und Applikationshefte „ M IK R O E L E K T R O N IK " Bisher ersch ien en : Heft Heft Heft Heft Heft Heft Heft 1: 2: 3: 4: 5: 6: 7: A 210 und 211 A 301 A 290 A 202 A 244 und A281 Importbauelem ente RGW „IS"


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    FTN256

    Abstract: ft324 LCMXO640C-3TN144C F324 EUROPE lattice machxo lcmxo1200c MachXO2280C cd 7231 BP5867 xo 640c LFXP3C demo
    Text: Avnet Memec – The Source of Innovation www.avnet-memec.eu THE NON-VOLATILE FPGA GUIDE 01/2008 - XO - XP - XP2 CREATE INNOVATE ACCELERATE MACHXO FAMILY CROSSOVER PROGRAMMABLE LOGIC DEVICES KEY FEATURES AND BENEFITS • Non-Volatile, Infinitely Reconfigurable


    Original     		TR-34742 D-59439 PL-41-800 FTN256 ft324 LCMXO640C-3TN144C F324 EUROPE lattice machxo lcmxo1200c MachXO2280C cd 7231 BP5867 xo 640c LFXP3C demo PDF

    diode E1110

    Abstract: lN4002 LN4003 ANA 618 20010 TDB 0123 km b3170 E1110 Diode UB8560D MAA723 moc 2030
    Text: elektronik-bauelem ente I WT VD AVL 1 /8 7 Bl. 2 E r l ä u t e r u n g e n z u m I n h a l t und zu d e n A n g a b e n d e r B a u e l e m e n t e - V e r g l e i c h s l i s t e D ie B a u e l e m e n t e - V e r g l e i c h s l i s t e e n t h ä l t a l l e in d e r B i l a n z v e r a n t w o r t u n g d e s V E B K o m b i n a t


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    sd 347

    Abstract: VEB mikroelektronik Transistoren DDR sd 346 Funkamateur FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation SD349 telefunken transistoren MIKROELEKTRONIK ERFURT aktive elektronische bauelemente ddr
    Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Silizium-npn- und -pnp-Leistungstransistoren in Epitaxie-Planar-Technologie A pplikationsschaltungen T G L 39125 H ersteller: V E B M ik ro e le k tro n ik „ A n n a S e g h e r s " N e u h a u s Kurzcharakteristik Grenzwerte im Betriebstemperaturbereich


    OCR Scan     		Anzugsmomentvon50. 80Ncm sd 347 VEB mikroelektronik Transistoren DDR sd 346 Funkamateur FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation SD349 telefunken transistoren MIKROELEKTRONIK ERFURT aktive elektronische bauelemente ddr PDF

    information applikation

    Abstract: "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik Heft CDB4151 mikroelektronik Heft 12 MH8475 MH7442 Mikroelektronik Information Applikation information applikation mikroelektronik CDB4153
    Text: ' 1 o lE h f c p o n ih Information Applikation s o c h a lH ü n o n il- c Information Applikation HEFT 25 I M P O R T - I S T E IL 1 Ivob Halbleiterwerk frankfurt/ader | b e trie b im m b kom binat m ikroelektronik ] KAMMER DER TECH N IK I Bezirksvorstand Frankfurt/O.


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