VEB mikroelektronik
Abstract: mikroelektronik DDR aktive elektronische bauelemente ddr TESLA Tesla katalog 74c915 V4093D 4502c mosfet 4040BC K561TM2
Text: DATEN DIGITALER INTEGRIERTER SCHALTKREISE AMATEUR BIBLIOTHEK Klaus K.Streng Streng, Klaus K.: Daten digitaler integrierter Schaltkreise CMOS-Schaltkreise . Berlin: Militirverlag der DDR. 1987. - 192 S.: 314 Bilder (Amateurbibliothek) ISBN 3-327-00360-2 l. Auflage, 1987
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HC4316
HC503
4351D/L
VEB mikroelektronik
mikroelektronik DDR
aktive elektronische bauelemente ddr
TESLA
Tesla katalog
74c915
V4093D
4502c mosfet
4040BC
K561TM2
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4093 BP
Abstract: cd 4093 equivalent V40098D V40511D 40511 4017 BP MC 4011 BCP MC 4093 ZUD 132 ci 4093 equivalent
Text: i iriilk if^ B c lG l-c te n a n il-i Übersicht CMOS-Schaltkreise CMOS-IC’s Übersicht CMOS-Schaltkreise - CMOS-IC’s V4001 D V 4007 D V4011 D V 4012 D V 4013 D V4015D V4017D V4019D V 4023 D V 4027 D V 4028 D V 4029 D V 4030 D V 4034 D V 4035 D V 4042
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V4001
V4011
V4015D
V4017D
V4019D
V4051
4093 BP
cd 4093 equivalent
V40098D
V40511D
40511
4017 BP
MC 4011 BCP
MC 4093
ZUD 132
ci 4093 equivalent
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VEB mikroelektronik
Abstract: mikroelektronik DDR mikroelektronik RFT elektronik DDR DDR Schaltkreise bauelemente DDR elektronische bauelemente rft Transistoren DDR service-mitteilungen RFT Service Mitteilung
Text: RFT INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN Ausgabe ¡^M\radio-te/evision\ Ckt. 1988 f VEB 00 SERVICE-MITTEILUNGEN Seite 1-9 Mitteilung aus dem VEB RFT IV RuF Leipzig/Servicevorbereitung Effektive Eroduktionstechnologie in der KonBumguterelektronik - kontra Heparaturtechnologie ?
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B556D
Abstract: elektronik DDR DDR Schaltkreise HA 555 bs560 b 555 u2 555 scans-048 halbleiterwerk DSAGER00016
Text: Vorläufige technische Daten Internationale Vergleichstypeni Die Schaltkreise B 555 0 und B 556 D sind monolithisch integrierte Einfach» und D o p p e l - Z a i t g e b e r s o h a l t u n g e n , die sich für sehr präzise Z aitverzögerungsn und als Oszillator
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14-polxges
B556D
elektronik DDR
DDR Schaltkreise
HA 555
bs560
b 555
u2 555
scans-048
halbleiterwerk
DSAGER00016
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2761 l
Abstract: TAA2761A TAAS61A TCA325A k 2761 A 2761 I TAA2761 taa761a TAA 2761 A tca325
Text: Internationale Vergleichstypen: T C A 3 1 1 A , T C A 3 1 5 A , TGA321A» TCÄ325A» TCA 331 A, TCA 335 A, TÄÄ 761 A, TÄÄ 765 A, TAAS61A, TAA8S5A» TAÄ 2761 A, TAÄ 2765 A, TAÄ 4761 A, TÄÄ 4785 A Einfache, doppelte oder vierfache Operatiosisveretirker
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TGA321A»
TAAS61A,
B4781
B76109X2
8761D
S761D
S76110X2
2761 l
TAA2761A
TAAS61A
TCA325A
k 2761
A 2761 I
TAA2761
taa761a
TAA 2761 A
tca325
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Kombinat VEB A 281
Abstract: sn 76001 rft halbleiter A281D DDR Schaltkreise elektronik DDR service-mitteilungen A211D Transistoren DDR nf schaltungen
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN r a d i o -television W s V E B IN D U S T R IE V E R T R IE B R U N D F U N K U N D F E R N S E H E N AUSGABE: NOVEMBER Der VEB Kombinat STERN C O N T U R A 2510 Stern-Radio Berlin, Stammbetrieb wird die Produk tion des neuen Kofferrundfunkemp
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rgk 20
Abstract: gbr relais GBR111 rgk 20/1 Relais RGI RGI GBR 7 elektronik DDR rgk grossbreitenbach tgl 200-3796 rgk 30
Text: NEUTRALE ELEKTROMAGNETISCHE RELAIS DER INFO RM ATIO N STEC H NIK I R I M Ì V IB RELAISTECHNIK GROSSBREITENBACH • ILMENAU M it dem vo rlie g e n d e n K atalog hoffen wir einem h ä u fig an uns h e ra n g e tra g e n e n Wunsch gerecht zu w erden, indem w ir ein e
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information applikation
Abstract: Mikroelektronik Information Applikation B305D B304D eft 317 transistor information applikation mikroelektronik B303D Kombinat VEB A 301 A301D "information applikation"
Text: LnnJÖD=^Jj i ^ j s l E k t j P D n i k Information Applikation B 303 D B 304 D B 305 D B 306 D m ölkr^elel-ctsnariik Information Applikation Heft: 23 INITIATOREN-IS B303D- B 304D B 305D *B 306D VEB. Halbleiterwerk FrankfurtïOder im VEB Kom binat Mikroelektronik,
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information applikation
Abstract: applikation heft A109D a 109 opv information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik "information applikation" "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft 12 "Mikroelektronik" Heft
Text: I 1 I 'li Information Applikation OPERATIONS VERSTÄRKER •lit J m ■ liUf [ f ^ a lk a r a ^ E lo k c t s n a n il- c Information Applikation Heft 21: OPERATIONS-VERSTÄRKER-IS T e ill veb halbleiterwerk frankfurt/oder im v e b k o m b in a t m ik ro e le k tro n ik
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b342d
Abstract: information applikation applikation heft mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik Transistoren DDR VEB mikroelektronik "information applikation" mikroelektronik Heft 10 ITT transistoren
Text: m n t k if ^ s j e le lK t e n a r iH - c g|B Information Applikation in n f B = a n iis ö lH W b n a n lK Information Applikation Heft: 28 Transistorarrays Iweb Halbleiterwerk frankfurt/oder | betrieb im veto kombinet mikroelektronik KAMMER DER TECHNIK Bezirksvorstand Frankfurt/O.
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mikroelektronik Heft 12
Abstract: SY 185 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 B260D information applikation keramische Werke Hermsdorf mikroelektronik Heft 10 VEB mikroelektronik information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR
Text: li ii iff li i l •> ■! l l ■! *i n lil i KBD Information Applikation ANSTEUER SCHALTKREIS FÜR SCHALTNETZTEILE UND GLEICH SPANNUNGSWANDLER — R«ge verstarkm B 260 Informations- und Applikationshefte „M IK R O E LE K TR O N IK " Bisher erschienen:
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E355D
Abstract: mikroelektronik RFT A283D B3370 D100D information applikation B083D SN28654N SN28654 A277D
Text: ïTTfe Information Applikation Ü b e rsic h t VEB HALBLEITERWERK FRANKFURT ODER âl-< I n r D D G ^ Ö E i s W s n o r i i H IN F O R M A T IO N - A P P L IK A T IO N Bipolare integrierte Schaltkreise des VEB Halbleiterwerk Frankfurt /O d e r H e ft 20
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VEB mikroelektronik
Abstract: E355D D410D mikroelektronik DDR E351D DDR Schaltkreise Transistoren DDR E412D elektronik DDR E345D
Text: ^ o n ij- c B ip o la r e reise Bipolare digitale Schaltkreise Dekoder, Treiber, Timer Inhaltsverzeichnis Seite Typenübersicht 5 Kurzzeichenübersicht 6 Technische Erläuterungen 7 - Zuverlässigkeit 8 - Definitionen 9 - G renz- und Betriebswerte 12 - Einbau- und Lötvorschriften
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D4501X1
VEB mikroelektronik
E355D
D410D
mikroelektronik DDR
E351D
DDR Schaltkreise
Transistoren DDR
E412D
elektronik DDR
E345D
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: information applikation MAA725 information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik applikation "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik DDR applikation heft
Text: LnnJütkilr'l; E l d - t = n a | - | i l - C Information Applikation D/A WandlerFamilie wvReferenz Stromquellen schalter /« Widerstands netzwerk 1 J • -CCI w f f i ni ö l k ä r i' t s i s l s S - t f c s n o r i i l - t i iforma t l o n pplikation
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information applikation
Abstract: information applikation mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation applikation heft A109D mikroelektronik DDR a 109 opv VEB mikroelektronik schaltungen 861 TAA 761 A
Text: m D ^ a r ^ i e l e l Information Applikation - c t e n a n i l - c m ik ^ o e le k t3r*anik Information Applikation Heft 22: OPERATIONS-VERSTÄRKER- IS Teil 2 veb halbleiterwepk fran k fu rt/o d er im v e b k o m b i n a t m ik ro e le k tro n U c KAMMER DER TECHNIK
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: information applikation applikation heft B556D Amateurreihe B555d mikroelektronik Heft information applikation mikroelektronik "information applikation" mikroelektronik Heft 12
Text: s i ' n n i ö k ü ^ t ' Q l B l - c t j n n n i l - c KBD Information Applikation KID m o t k ^ o e S e k t s n o r r ik Information Applikation Heft 33 = Z e itg e b e r-1S B555/B556 vob HalbleiterwerkfronWFürt/ôder* IimvobkombtnaCmikrooloktronik ¡if!JKAMMER DER TECHNIK
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B555/B556
500er
Halbleiterbauelemente DDR
information applikation
applikation heft
B556D
Amateurreihe
B555d
mikroelektronik Heft
information applikation mikroelektronik
"information applikation"
mikroelektronik Heft 12
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: VEB mikroelektronik aktive elektronische bauelemente ddr information applikation information applikation mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik DDR SMY50 mikroelektronik applikation "Mikroelektronik" Heft
Text: Information Applikation Fïn]o i=3rn(s]eiel-ctenoriil-c Information Applikation H E F T 56 : Verhalten von Elektronischen Baueleaenten bei E S D (Electrostatic discharge -Physikalische Grundlagen-Wi^kungen-Maßnahmen zum Schutz vor ESD- veb halbJoiterwork fronkfurt /oderb e t r ie b im v e b k o m b in a t m ik r o o t a k t r o m k
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GAR GSM MODULE 300
Abstract: ZU 107 halbleiterwerk elektronik DDR bauelemente DDR sican sagem siemens zeitung optical fiber Alcatel siemens profet parallel schalten
Text: Über unser erstes Jahr können wir Ihnen einiges berichten. Genauso erwarten uns in der Zukunft viele spannende Geschäftschancen. Deshalb wollen wir Sie natürlich auch über die hervorragenden mittel- und langfristigen Aussichten von Infineon informieren.
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kt829a
Abstract: VEB mikroelektronik Datenblattsammlung Halbleiterbauelemente DDR information applikation mikroelektronik B4207D mikroelektronik datenblattsammlung mikroelektronik DDR "halbleiterwerk frankfurt" KT 829 b
Text: 0=¡rúl[hE=°@Blel- t3nariilK e le k t r o n ik - b a u e t e m e n t e Die vorliegenden Datenblätter beinhalten ausführliche technische Angaben von aktiven elek tronischen Bauelementen des in den "Listen Elektronischer Bauelemente und Bausteine" (LEB
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information applikation
Abstract: U880D information applikation mikroelektronik Halbleiterbauelemente DDR "Mikroelektronik" Heft u880 mikroelektronik applikation VEB mikroelektronik mikroelektronik information applikation mikroelektronik DDR
Text: i« ¡ 2 Information Applikation t m f f i ^ o e l e k t s n o •/ Information Applikation n • Heft 30: HALBLEITERSPEICHER Teil 2 SRAM und DRAM v e b halbleiterw erk frankfurfc/odor KBD im veb Kombinat mikroelektronik KAMMER DER TECHNIK Bezirksverbond
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UB8830D
Abstract: u125d UB8820M ub 8820 u880 UL7211D ub 8840 MC 4011 BCP U806D UB8840M
Text: in n flkän X □ n i Typenübersicht TkinOBOM 0D30p Fertigungsprogram m n pOH3BOACTBeHHaa nporpaMMa Das vorliegende H eft soll dem Zweck dienen, U e/ibto npeflCTaB/ieHHOM npocneKTa-TeipaAn AB/iaeTcs» einen Überblick über das Erzeugnissortim enten H a lb
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0D30p
R-5023
UB8830D
u125d
UB8820M
ub 8820
u880
UL7211D
ub 8840
MC 4011 BCP
U806D
UB8840M
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information applikation mikroelektronik
Abstract: information applikation A301D VEB mikroelektronik mikroelektronik applikation "halbleiterwerk frankfurt" Mikroelektronik Information Applikation "information applikation" mikroelektronik DDR Kombinat VEB A 301
Text: ' \ INFORMATION APPLIKATION MIKROELEKTRONIK Information-Applikation Aufbau, E igenschaften und Anwendung d e s integrierten Initiator-S chaltkreises A 301 D M ik ro e le k tro n ik H e ft 2 veb halblelterwerk frankfurt/oder le itb e trie b im veb K om binat m ik ro elek tro n ik
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bosch 30021
Abstract: best Um 3562 bosch 0 261 200 261 bosch 0 261 230 099 hamatech BOSCH 0 261 230 265 bosch 0 261 230 043 bosch 0 261 230 044 0 260 002 667 bosch
Text: finanzbericht Konzern-Finanzdaten 1 Infineon Technologies besteht als rechtlich selbständiges Unternehmen seit April 1999. Davor war das Unternehmen Bestandteil der Siemens AG. Die Konzernabschlüsse von Infineon bis zum 31. März 1999 wurden unter Berücksichtigung von sogenannten Carve-out-Prinzipien
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a210k
Abstract: Mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft 12 A211D A209K VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR IC A211D
Text: INFORMATION APPLIKATIO N MIKROELEKTRONIK In fo r m a tio n - Applikation Die monolithisch integrierten N F-V erstärker A 210D A210K A211D Eigenschaften und ! Anwendung Mikroelektronik Heft 1 veb haîbîeîterwerk frankfurt/oder l e i t b e t r i e b im v e b k o m b i n a t m ik r o e le k t r o n ik
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A210K
A211D
Mikroelektronik Heft
"Mikroelektronik" Heft
information applikation mikroelektronik
mikroelektronik Heft 12
A211D
A209K
VEB mikroelektronik
mikroelektronik DDR
IC A211D
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