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Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FP50R06W2E3 EasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC EasyPIM™ module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC C2 *36A436+6123 4286544
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Original
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FP50R06W2E3
C26A2
961AF86
-BCD66
-BCD66:
1231423567896AB
4112CD3567896EF
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Abstract: No abstract text available
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 570 nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (570 nm, High Optical Power) F 2003B Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch
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Original
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2003B
2003B
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c1449
Abstract: LCD 2002a C1449 transistor
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 590 nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (590 nm, High Optical Power) F 2002A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 560 nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (560 nm, High Optical Power) F 2004B Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch
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Original
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2004B
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Abstract: No abstract text available
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 605 nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (605 nm, High Optical Power) F 2001A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch
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Original
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DIODE 630
Abstract: C1446
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 630 nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (630 nm, High Optical Power) F 1998A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch
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Original
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AT 2003b
Abstract: No abstract text available
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 570 nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (570 nm, High Optical Power) F 2003B Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch
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Original
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2003B
AT 2003b
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C1448
Abstract: osram topled
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 605 nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (605 nm, High Optical Power) F 2001A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch
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Original
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C1449
Abstract: C1449 transistor
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 590 nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (590 nm, High Optical Power) F 2002A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch
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Original
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C1446
Abstract: osram topled DIODE 630
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 630 nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (630 nm, High Optical Power) F 1998A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch
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Abstract: No abstract text available
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 560 nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (560 nm, High Optical Power) F 2004B Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch
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Original
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2004B
2004B
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F 1372A
Abstract: GCOY6911
Text: InGaAlP-Oberflächen emittierende-Lumineszenzdiode 650 nm, High Power InGaAlP Surface Emitting Light Emitting Diode (650 nm, High Power) F 1372A Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Features • • • • keine Schwelle hohe Leistung
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Q-67220-C1447
Abstract: No abstract text available
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 617nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (617 nm, High Optical Power) F 2000A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch Oberflächenstrukturierung und Stromverteilung
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Original
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617nm,
Q-67220-C1447
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Q-67220-C1447
Abstract: c1447
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 617nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (617 nm, High Optical Power) F 2000A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch Oberflächenstrukturierung und Stromverteilung
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Original
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617nm,
Q-67220-C1447
c1447
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Abstract: No abstract text available
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 590 nm InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (590 nm) F 0282D Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • • • • Feature Chipgröße 200 x 200 µm Wellenlänge: 590 nm Technologie:InGaAIP
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Original
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0282D
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Abstract: No abstract text available
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 605 nm InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (605 nm) F 0281D Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • • • • Feature Chipgröße 200 x 200 µm Wellenlänge: 605 nm Technologie:InGaAIP
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Original
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0281D
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Abstract: No abstract text available
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 632 nm InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (632 nm) F 0280D Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • • • • Feature Chipgröße 200 x 200 µm Wellenlänge: 632 nm Technologie:InGaAIP
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Original
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0280D
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Abstract: No abstract text available
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 619 nm InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (619 nm) F 0279D Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • • • • Feature Chipgröße 200 x 200 µm Wellenlänge: 619 nm Technologie:InGaAIP
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Original
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0279D
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Abstract: No abstract text available
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 570 nm, Enhanced Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (570 nm, Enhanced Power) F 0283E Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • • • • Feature Chipgröße 200 x 200 µm Wellenlänge: 570 nm
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Original
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0283E
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Abstract: No abstract text available
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 560 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (560 nm, Low Current) F 0292C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 560 nm • Technologie:InGaAIP
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Original
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0292C
0292C
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Abstract: No abstract text available
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 570 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (570 nm, Low Current) F 0283C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 570 nm • Technologie:InGaAIP
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Original
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0283C
0283C
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F1047B
Abstract: F1047A
Text: GaAlAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitting Diode (880 nm) F 1047A F 1047B Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im TOPLED Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2
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Original
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1047B
F1047B
F1047A
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GMOY6088
Abstract: No abstract text available
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 619 nm, Enhanced Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (619 nm, Enhanced Power) F 0279E Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • • • • Feature Chipgröße 200 x 200 µm Wellenlänge: 619 nm
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Original
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0279E
GMOY6088
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Diode BA 148
Abstract: pin diode do35 BA284
Text: SIEMENS BA 284 Silicon Switching Diode • Low-Ioss RF switch for use at frequencies above 10 MHz, especially in TV tuners • Not for new design Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1» BA 284 yellow Q62702-A632 DO-35 DHD I - |3 — 1 4 EHA07001
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Q62702-A632
EHA07001
DO-35
Diode BA 148
pin diode do35
BA284
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