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    DIODE SY 164 Search Results

    DIODE SY 164 Result Highlights (5)

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    CUZ24V Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Zener Diode, 24 V, USC Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    XCUZ13V Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Zener Diode, 13.0 V, USC Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    XCUZ36V Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Zener Diode, 36.0 V, USC Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    CUZ12V Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Zener Diode, 12 V, USC Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    MUZ5V6 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Zener Diode, 5.6 V, USM Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

    DIODE SY 164 Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet Type Document Tags PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor Logic level FET PHP65N06LT, PHB65N06LT SYMBOL FEATURES QUICK REFERENCE DATA • ’Trench’ technology • Very low on-state resistance • Fast switching • Stable off-state characteristics


    OCR Scan     		PHP65N06LT, PHB65N06LT PHP65N06LT T0220AB) PHB65N06LT OT404 PDF

    DXT170-71-1

    Abstract: DXT170 diode sy 164 SY100-68-A-20 SY114-5LOz diode sy 170 solenoid valve 24v SY Series SY100 VJ100-6-8
    Text: 3 Port Solenoid Valve Rubber Seal Series SY100 Low power consumption: 0.5W Standard, Without light (Current draw: 21mA at 24V DC) SY SYJ ∗Large flow capacity style:0.75W (Current draw: 31mA at 24V DC) VK Body width: 10mm VZ 7.85 Nl/min (Standard style)


    Original     		SY100 -100kPa SY100/ DXT170-71-1 DXT170 diode sy 164 SY100-68-A-20 SY114-5LOz diode sy 170 solenoid valve 24v SY Series SY100 VJ100-6-8 PDF

    Diode KD 514

    Abstract: B30C250 GD507A DIODE OA-172 kyx 28 SY360 ky 202 h thyristor B280C1500 C5000-3300 BZY79C
    Text: Deutsche Post Studiotechnik Fernsehen BauelementeMitteilunq Nr.7 Diodenvergleichsliste Verfasser: Dipl.-Ing. Klaus-Peter Hartmann Abteilung PMM Herausgeber: \>y Studiotechnik Fernsehen Informationsstelle RIS 1429 1 19 9 Berlin Rudower Chaussee 3 Fernruf: 6 7 3 3381


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    diode sy 162

    Abstract: SC236D 6P14P diode sy SF 127 C GF147S 6D22S 6P45S ECC88 6n23p
    Text: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB IN DUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN iR iU ii 1r a d i o - t e i e v i s l o n I SEITE JUNI 1 9 8 1 b 1 - 7 Mitteilung aus dem VEB RFT Industrievertrieb R.u.F. Leipzig / S SERVICE-ANLEITUNG zum Translstor-Taschenempfänger "Signal 402"


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
    Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.


    OCR Scan     		DOR102 Halbleiterbauelemente DDR GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170 PDF

    diode sy 171 10

    Abstract: "DIODE" SY 171 1 g diode sy 171 VK3140 DIODE SERIE SY diode sy 160 VK3120 diode sy 166 VK332 VG32
    Text: Direkt betätigtes 5/2-Wege-Elektromagnetventil Weichdichtender Schieber Serie l/min 147 Kompakt/Breite 18 X Länge 68 mm Geringe Leistungsaufnahme 4W DC (Standard) 2W DC (Energiesparausführung) Kupferfreie Ausführung standardmässig Alle mit dem Medium in Kontakt stehenden


    Original     		VK3000 VK3120 VK3120Y VK3140 VK3140Y VV5K3-42- VV5K3-S42- diode sy 171 10 "DIODE" SY 171 1 g diode sy 171 VK3140 DIODE SERIE SY diode sy 160 VK3120 diode sy 166 VK332 VG32 PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: N AMER PHILIPS/DISCRETE ObE D PHBR1635 PHBR1640 -P H B R 1645 T-03-17 bb53T31 ODllt.57 •= S' J \ SCHOTTKY-BARRIER RECTIFIER DIODES High-efficiency rectifier diodes in TO-220 envelopes, featuring low forward voltage drop, low capacitance, absence o f stored charge, and high temperature stability. They are intended for use in


    OCR Scan     		PHBR1635 PHBR1640 T-03-17 bb53T31 O-220 SBT31 PHBR1645 PDF

    diode sy 166

    Abstract: diode sy 164 diode sy 171 "DIODE" SY 171 1 g VK3140Y diode sy 171 10 220v ac solenoid valve hOW TO READ varistor VALUE solenoid valve 12v VK3000
    Text: 5 Port Solenoid Valve/Direct Poppet Rubber seal Series Nl/min 147 Compact/Width 18 X Length 68 mm Low power consumption 4W DC (Standard) 2W DC (Energy saver) Standard copper free specification All the parts in contact with fluid are non-copper materials


    Original     		VK3000 VK3120 VK3120Y VK3140 VK3140Y VV5K3-42- VV5K3-S42- diode sy 166 diode sy 164 diode sy 171 "DIODE" SY 171 1 g VK3140Y diode sy 171 10 220v ac solenoid valve hOW TO READ varistor VALUE solenoid valve 12v VK3000 PDF

    DXT170-71-1

    Abstract: SYJ314R-5G-Q DXT170 SYJ300-9-1-Q SYJ512M SYJ314R solenoid valve 24v ss3yj3 diode sy 171 sy 171
    Text: 3 Port Solenoid Valve Rubber Seal Series SYJ300/500/700 SY Low power consumption: 0.5W Without light (Current draw: 21mA at 24V DC) Completely interchangeable with the previous series VJ300/500/700 and VZ300/500. Series VZ SYJ300 VJ300 — SYJ500 VJ500 VZ300


    Original     		SYJ300/500/700 VJ300/500/700 VZ300/500. VJ300 SYJ500 VJ500 VZ300 SYJ700 VJ700 SYJ300 DXT170-71-1 SYJ314R-5G-Q DXT170 SYJ300-9-1-Q SYJ512M SYJ314R solenoid valve 24v ss3yj3 diode sy 171 sy 171 PDF

    BUK455-60A

    Abstract: BUK455 BUK455-60B T0220AB cr35 transistor
    Text: PHILIPS INT ER NA TI O N AL bSE D E9 711002b DDma7b Philips Semiconductors PowerMOS transistor G E N E R A L DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope. The device is intended for use in Switched Mode Power Supplies


    OCR Scan     		711DA2b BUK455-60A/B T0220AB BUK455 BUK455-60A BUK455-60B cr35 transistor PDF

    100 kilo ohms resistor specifications

    Abstract: PCA96XX PCA9306 69RC BAT54A LPC932 P82B96 PCA9600 PCA9633 PCA9665
    Text: I2C Maximum Clock Speed Calculator Mar 2009 BLSIC/BU MMS NXP semiconductors I2C-Bus Maximum Clock Speed Calculator Excel file of Calculator > Double click to open. If this is a PDF then go to URL


    Original     		p82b96 pca9600 i2c/pdf/pca9600 P82B715 /i2c/pdf/p82b715 100 kilo ohms resistor specifications PCA96XX PCA9306 69RC BAT54A LPC932 PCA9633 PCA9665 PDF

    2108A

    Abstract: S3051 741E MG50G2YM1 A90D
    Text: TOSHIBA {DIS CR ET E/OPT O} I 9097250 TOSHIBA <DI SCRETE/OPTO> TOSHIBA DE I TGTTSSG □□lb43b 4 f ~ _ 90D 16436 DT-3^-bn TO SEMICONDUCTOR TOSHIBA GTR MODULE M G 5 0 G 2 Y M 1 TECHNICAL DATA SILICON N CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. 11DT0R CONTROL APPLICATIONS.


    OCR Scan     		11DT0R lb43b MG50G2YM1 MG50G2YM1-4 MG50G2VM1 MG50G2YM1-5 2108A S3051 741E A90D PDF

    SYJ3120-5G-M3-Q

    Abstract: DXT170-71-1 SYJ3000-14-6 VJ7000 VJ3000-13-1 SYJ3000-21-2A-Q SYJ3000-21-1A-Q diode sy 166 SYJ5143-5LOU-Q SY100-30-4A
    Text: 4, 5 Port Solenoid Valve Rubber Seal Series SYJ3000/5000/7000 SV Low power consumption: 0.5W Without light SY (Current draw: 21mA at 24V DC) SYJ Bright colour tone and state of the art design SX VK VZ VF VFR VP7 VQC SQ VQ VQ4 VQ5 VQZ VQD Completely interchangeable with


    Original     		SYJ3000/5000/7000 VJ3000/5000/7000 VZ3000/5000 VJ3000/5000/7000 VZ3000/5000. SYJ3000 VJ3000 SYJ5000 VJ5000 VZ3000 SYJ3120-5G-M3-Q DXT170-71-1 SYJ3000-14-6 VJ7000 VJ3000-13-1 SYJ3000-21-2A-Q SYJ3000-21-1A-Q diode sy 166 SYJ5143-5LOU-Q SY100-30-4A PDF

    62083AP

    Abstract: 62082AP 62084AP TD62083AP relay dip sy diode sy 166 diode sy 400 8
    Text: TD62081AP/CP/F/AF TD62082AP/CP/F/AF - TD62083AP/CP/F/AF TD62084AP/CP/F/AF SILICON MONOLITHIC BIPOLAR DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT 8CH DARLINGTON SINK DRIVER The T D 6 2 0 8 1 A P / C P / F / A F Series are high-voltage, high


    OCR Scan     		TD62081AP/CP/F/AF TD62082AP/CP/F/AF TD62083AP/CP/F/AF TD62084AP/CP/F/AF 2081A TD62081CP TD62081F TD62081AP TD62082AP 62083AP 62082AP 62084AP TD62083AP relay dip sy diode sy 166 diode sy 400 8 PDF

    transistor BU 5027

    Abstract: transistor KT 816 transistor SD 5024 J 5027-R bu 5027 KT 817 transistor KT315 Transistor KU 607 MDA 2020 RFT e 355 d
    Text: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB IN D U ST RIEV ERT RIEB R U N D FU N K UND FE R N SE H EN NOV/DEZ B l Iradi o -teievlsion I 1 9 IO 8 0 SEITE 1-8 Mitteilung aus dem VEB RFT Industrievertrieb R.u.F. Leipzig / S Änderung am Kassettenrecorder ELKKTRONTKA - 302 Der Sowjet. Hersteller hat im


    OCR Scan     		KT315 Indikatoransteuerung02 136/G ASZ1016 transistor BU 5027 transistor KT 816 transistor SD 5024 J 5027-R bu 5027 KT 817 transistor Transistor KU 607 MDA 2020 RFT e 355 d PDF

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C
    Text: electronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz-und Kenndaten der in der DDR getertigten Halbleiterbauelemente. Die Kennwerte werden im allgemeinen für eine Umgebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.


    OCR Scan     		6x10x12 Halbleiterbauelemente DDR Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C PDF

    mikroelektronik Heft 12

    Abstract: SY 185 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 B260D information applikation keramische Werke Hermsdorf mikroelektronik Heft 10 VEB mikroelektronik information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR
    Text: li ii iff li i l •> ■! l l ■! *i n lil i KBD Information Applikation ANSTEUER­ SCHALTKREIS FÜR SCHALTNETZTEILE UND GLEICH­ SPANNUNGSWANDLER — R«ge verstarkm B 260 Informations- und Applikationshefte „M IK R O E LE K TR O N IK " Bisher erschienen:


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    MLF36

    Abstract: 2N3904 C28 ZL2004EVK1 BSC042N03LS ECJ1VB0J475M ECJ-1VB0J475M diode sy 171 RC0402FR AN13 BSC016N03LS
    Text: Description Features The ZL2004 is an integrated mixed-signal power conversion and management IC that combines an efficient step-down DC-DC converter with key power and thermal management functions in a single package. The ZL2004 incorporates current sharing and adaptive efficiencyoptimization algorithms to provide a flexible,


    Original     		ZL2004 ZL2004EV1 ZL1505 ZL2004EV1DSR1 MLF36 2N3904 C28 ZL2004EVK1 BSC042N03LS ECJ1VB0J475M ECJ-1VB0J475M diode sy 171 RC0402FR AN13 BSC016N03LS PDF

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: sy 170 diode sy-180 diode sy 171 10 diode sy-170 mikroelektronik DDR mikroelektronik Heft 12 VEB mikroelektronik SY 180 Applikation Information
    Text: m o ß ^ t s ie le l- c ia n o r ill- i Information Applikation INFORMATION A PPLIKA TIO N M IK R O E L E K T R O N IK Heft 16: L E IS T U N G S -E L E K T R O N IK II Bauelemente-Sortiment der DDR -Teil 1: Dioden- VEB GLEICHRICHTERWERK STAHNSDORF im VEB Kombinat Mikroelektronik


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    CD54/74HCT86

    Abstract: No abstract text available
    Text: Technical Data F ile N um ber 1644 CD54/74HC86 CD54/74HCT86 High-Speed CMOS Logic HARRIS S E MI C O ND T-45-Z I-O D 27E SECTOR D I 43Q2271 0G17S35 2 WÊ HAS Quad 2 - Input EXCLUSIVE - OR Gate Type Features: • Four independent E X C L U S IV E ■O R gates


    OCR Scan     		CD54/74HC86 CD54/74HCT86 T-45-Z 43Q2271 0G17S35 54/74HC 54/74HCT PDF

    VEB mikroelektronik

    Abstract: Datenblattsammlung SY 625 V40511D mikroelektronik datenblattsammlung Diode KD 514 KD512A mikroelektronik Berlin "halbleiterwerk frankfurt" VEB Kombinat mikroelektronik Erfurt
    Text: \ñ ñ lB rW *m X S á B Í4 ti& * 311' ill c e l e k t r o n i k - b a u e i e m e n t e ? 2/86 . Die vorliegenden Datenblätter beinhalten Listen i Infonmatic-aen ü b e r elektronischer Sie können abgeleitet beinhalten n ur z u r Information» Halbleiterbauelemente


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    TRANSISTOR 132-gd

    Abstract: TRANSISTORS 132 GD equivalent io transistor 131-G bbc ds diodes DS 1,8 transistor vergleichsliste aeg diode Si 61 L AF124 Transistor Vergleichsliste DDR OC1044 bbc ds diodes
    Text: Vergleichsliste Halbleiter Bauelemente In h a lt: Einleitung Typenbezeichnung und Form elzeichen G e g e n ü b e r s t e ll u n g n a c h A l p h a b e t : T ransistoren G leichrichterdioden Leistungs-Zenerdioden V e rg le ic h nach T y p e n g ru p p e n


    OCR Scan     		06o3H TRANSISTOR 132-gd TRANSISTORS 132 GD equivalent io transistor 131-G bbc ds diodes DS 1,8 transistor vergleichsliste aeg diode Si 61 L AF124 Transistor Vergleichsliste DDR OC1044 bbc ds diodes PDF

    IC 74ALS164

    Abstract: No abstract text available
    Text: TOSHIBA TC74VHC164F/FN/FS/FT T O SH IB A C M O S DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON M O N O LITH IC TC74VHC164F, TC74VHC164FN, TC74VHC164FS, TC74VHC164FT 8 - BIT SHIFT REGISTER S-IN, P -O U T The TC74VHC164 is an advanced high speed CMOS 8 - BIT SERIAL-IN PARALLEL-OUT SHIFT REGISTER fabricated


    OCR Scan     		TC74VHC164F/FN/FS/FT TC74VHC164F, TC74VHC164FN, TC74VHC164FS, TC74VHC164FT TC74VHC164 TC74V 164F/FN/FS/FT IC 74ALS164 PDF

    74ABT244-1N

    Abstract: bt244 74ABT 74ABT244-1D 74ABT244-1DB
    Text: NAPC/PHILIPS SEIUCOND bSE D • □DûbSMÎ 255 m S I C 3 Philips Sem iconductors Advanced BICMOS Products Product specification Octal buffer/line driver with 30fì series termination resistors 3-State 74ABT244-1 DESCRIPTION FEATURES • Octal bus interface


    OCR Scan     		74ABT244-1 5mA/-32mA 500mA 74ABT244-1 74ABT 500ns 74ABT244-1N bt244 74ABT244-1D 74ABT244-1DB PDF