IEC1287
Abstract: DD400S33K1 fast dioden 400 v
Text: Technische Information / Technical Information Schnelles Dioden Modul Fast Diode Module DD 400 S 33 K1 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
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DD400S33K1
IEC1287
fast dioden 400 v
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HIGH VOLTAGE DIODE for microwave ovens
Abstract: diode BY2000 HIGH VOLTAGE Rectifier for microwave ovens P1000S 1N4007 sma FAST RECOVERY RECTIFIERS Diode 1N4007-1300 MELF Dioden DIOTEC BY255 diode
Text: Medium … 2kV and High Voltage (… 24kV) Rectifiers Mittel- (… 2kV) und Hochspannungs- (… 24kV) Gleichrichter Diotec Semiconductor AG Heitersheim Germany Diotec Semiconductor AG 2007 V03 US Typical Applications for Medium Voltage Rectifier Typische Einsatzgebiete von Mittelspannungsgleichrichtern
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IEC1287
Abstract: Dioden DD800S33K1
Text: Technische Information / Technical Information Schnelles Dioden Modul Fast Diode Module DD 800 S 33 K1 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
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DD800S33K1
IEC1287
Dioden
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EUPEC DD 105 N 16 L
Abstract: all type of thyristor EUPEC tt 162 n 16 EUPEC Thyristor thyristor tt 162 n EUPEC Thyristor TT thyristor tt 162 n 12 tt 162 n 16 module bsm 25 gp 120 Eupec bsm 25 gb 120
Text: IGBT SCR / Diode Modules Presspacks Stacks Outlines Accessories Explanations 96 Type designations Presspacks IGBT Modules T 930 S 18 T M C T D A 930 1 4 6 7 8 9 3 thyristor diode asymmetric thyristor average on state current A standard ceramic disc high power ceramic disc
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TMS44C256
Abstract: widerstandsnetzwerke Bergeron-Diagramm widerstandsnetz fast dioden 400 v 74AC11240 SN74S1050 TMS4256 MikroC
Text: EB194A Schottky-Dioden-Arrays EB194A SCHOTTKY DIODEN ARRAYS UND NETZWERKE Verfasser: Eilhard Haseloff Datum: 7. Februar 1990 Rev.:A Überarbeitet 30.08.1995 1 Applikationslabor EB194A Schottky-Dioden-Arrays Der Trend zu immer schnelleren Systemen zwingt den Schaltungsentwickler sich
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EB194A
TMS44C256
widerstandsnetzwerke
Bergeron-Diagramm
widerstandsnetz
fast dioden 400 v
74AC11240
SN74S1050
TMS4256
MikroC
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811 100
Abstract: No abstract text available
Text: Diotec DAF 811 A/K … DAF 814 A/K 1.2 W Fast Switching Rectifier Arrays Schnelle Gleichrichter Sätze Nominal power dissipation Nenn-Verlustleistung 1.2 W Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Dimensions / Maße in mm 9 Pin-Plastic case
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thyristor tt 162 n
Abstract: fast thyristor 1000V thyristor tt 162 n 16 IGBT module FZ 400 thyristor TT 162 thyristor td 162 n Thyristor PIN CONFIGURATION thyristor tt 500 n 16 thyristor 162 THYRISTOR H 1500
Text: Typenbezeichnungen IGBT Scheibenbauelemente T930 S 18 TM TM C Thyristor K 40µs D Diode L 45µs A asymmetrischer Thyristor M 50µs P 55µs Dauergrenzstrom A N 60µs Standardkeramik-Scheibe T 80µs 1 Hochleistungskeramik-Scheibe U 120µs 930 SCR/Diode Modules
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thyristor tt 162 n 12
Abstract: thyristor tt 162 n thyristor TT 46 N thyristor TT 162 asymmetric thyristor thyristor tt 25 thyristor TD 25 N dd 55 n 14 powerblock powerblock tt 162 thyristor tt 105 n 16
Text: kuka-2006-de-inhalt.qxd 07.02.2006 12:17 Uhr IGBT Seite 128 Presspacks Stacks Outlines Accessories Explanations 128 Type designations Presspacks IGBT Modules T 930 S 18 T M C T D A 930 1 4 6 7 8 9 3 average on state current A standard ceramic disc high power ceramic disc
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kuka-2006-de-inhalt
thyristor tt 162 n 12
thyristor tt 162 n
thyristor TT 46 N
thyristor TT 162
asymmetric thyristor
thyristor tt 25
thyristor TD 25 N
dd 55 n 14 powerblock
powerblock tt 162
thyristor tt 105 n 16
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EUPEC tt 162 n 16
Abstract: thyristor tt 162 n high power thyristor module bsm 25 gp 120 igbt module bsm 100 gb 60 dl DISC THYRISTOR diode high power thyristor scr EUPEC tt 105 N 16 IGBT module FZ
Text: kuka-2003-inhalt.qxd 17.04.2003 10:34 Uhr Seite 101 Type designations Presspacks IGBT Modules T 930 S 18 T M C T D A 930 1 4 6 7 8 9 3 thyristor diode asymmetric thyristor average on state current A standard ceramic disc high power ceramic disc epoxy disc 19 mm high
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kuka-2003-inhalt
EUPEC tt 162 n 16
thyristor tt 162 n
high power thyristor
module bsm 25 gp 120
igbt module bsm 100 gb 60 dl
DISC THYRISTOR
diode
high power thyristor scr
EUPEC tt 105 N 16
IGBT module FZ
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schottky 400v
Abstract: P600 diode P600 P600 PACKAGE fast recovery diode 400v 5A diode sb5 SCHOTTKY diode 400V 1A P1200 UF600 rectifier 400V 5A
Text: „Low Vf“ Bipolar Dioden Eine interessante Alternative zu hochsperrenden Schottky-Dioden “Low Vf“ Bipolar Diodes An interesting alternative to high blocking Schottky diodes 1 Diotec Semiconductor AG 2005 V04 US Anwendungsbeispiele von Schottky-Dioden,
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Silic200
P600-Geh
O-220AC
schottky 400v
P600 diode
P600
P600 PACKAGE
fast recovery diode 400v 5A
diode sb5
SCHOTTKY diode 400V 1A
P1200
UF600
rectifier 400V 5A
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: BAW56 BAW56 Fast Switching Surface Mount Si-Planar Double Diodes Schnelle Si-Planar Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2005-06-21 1.1 2.9 ±0.1 0.4 Power dissipation Verlustleistung Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung
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BAW56
OT-23
O-236)
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SKiip 83 EC 125 T1
Abstract: SKiiP 82 AC 12 T1 SKiiP 81 AN 15 T1 semikron SKHI 22 SPICE MODEL semikron skiip 32 nab 12 T7 SKiip 83 EC 12 1 T1 SKiiP 24 NAB 063 T12 skiip 83 ac 128 BUZ78 equivalent SKIIP 81 AC 12 I T1
Text: 0 Betriebsweise von Leistungshalbleitern Betriebsweise von Leistungshalbleitern 0.1 Elementare Schaltvorgänge Leistungshalbleiter arbeiten bis auf wenige Sonderanwendungen im Schalterbetrieb. Daraus resultieren grundlegende Prinzipien und Funktionsweisen, die in allen leistungselektronischen
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: DAF 811 A /K . DAF 814 A/K Fast Switching Diode Arrays Schnelle Dioden Sätze Nominal power dissipation Verlustleistung 1-1 1.2 W Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Glasgehäuse 100.400 V 24 x 3 x 5.1 [mm] Weight approx.
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G0174
000017S
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Herrmann
Abstract: type of diode
Text: HERRMANN KG 45E D • 443L275 OOOODTE 7 ■ HRMN ~T-C>h2$ Schnelle Dioden Fast Switching Diodes Diodes rapides Diodentyp Type of diode Type de diode HDS 12/04-4 'f a v m *FRMS V A A 400 12 20 iF A /¡2 d t 'f s m V rrm A A 2S "^VJM 150 110 Ir V 'f V (TO)
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443L275
Herrmann
type of diode
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ys250
Abstract: YS 150 003 YS23 YS250106-XX Ys06 YS250105 YSD3-03 abb drives YS230 abb ys 110
Text: A B B DRI VES 5ME ABB Drives :— - 7— -• • DIODES DIODEN DIODES Type Typ Type T> m DDl bf l SS - . . - Fast switching diodea - Schnelfe Dioden - Diodes rapides 9 . -• fl • r'T m- 0 3 - ¿ 1 3 • .
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YSD3-41
230104-XX
YSD3-03
YS230103-XX
YSD6-41
YS250105-XX
YSD15-41
ys250
YS 150 003
YS23
YS250106-XX
Ys06
YS250105
abb drives
YS230
abb ys 110
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ABB DSDI 17-04
Abstract: dsdi 7-015 DSDI 17-14 b DSDI 5-08 abb DSDi 110 DSDI 20-01 b DSDI 17-10 b dsdi 7-015 A DSD 35-12 dsdi 7 01A
Text: A S E A BROüJN/ABB A3 SENICON OG4ÔBOÔ Q O D D l t B D1 0 3 - 0 / T - Schnelle Dioden D iode V rr m D SD Fast switching diodes Ifrms DSOI Tc Ifavm Tc - lOCPC A(°C) A(°C) If a v i 8,3 ms DSDI 5-04 A DSD1 5 -0 6 A DSDI 5 -0 8 A DSDI 7-01 A DSDI 7-01 5 A
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diode BA 159
Abstract: in4937
Text: BA 157.BA 159 Fast Silicon Rectifier Schnelle Silizium Gleichrichter Nominal current Nennstrom 1A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 400. 1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse DO-41 Weight approx. Gewicht ca. —f6 O.E 0.4 g
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DO-41
UL94V-0
R0D1RS14
DGG174
diode BA 159
in4937
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3H DIODE smd
Abstract: VERPACKUNGSVORSCHRIFT diode smd 3H
Text: FE 3A .FE 3H Sunerschnelle Silizium Gleichrichter Super Fast Silicon Rectifier 3A Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung / 50.400 V 4 .5 ” Plastic case Kunststoffgehäuse ~ D 0201 Weight approx. Gewicht ca.
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UL94V-0
R0D1RS14
Q0Q0174
000017S
3H DIODE smd
VERPACKUNGSVORSCHRIFT
diode smd 3H
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FE6H
Abstract: smd diode 6F FE6G
Text: FE 6A .FE 6H Super Fast Silicon Rectifler Superschnelle Silizium Gleichrichter Nominal current Nennstrom 6A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50. 400 V Plastic case Kunststoffgehäuse 0 8 x 7.5 [mm] Weight approx. Gewicht ca.
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UL94V-0
R0D1RS14
000017S
FE6H
smd diode 6F
FE6G
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MR 820.MR 828 Fast Silicon Rectifier Schnelle Silizium Gleichrichter Nominal current Nennstrom 5A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50. 1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse 0 8 X 7.5 [mm] Weight approx. Gewicht ca. 1.4 i
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UL94V-0
R0D1RS14
000017S
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: BY 2 9 6 .BY 299 Schnelle Silizium Gleichrichter Fast Silicon Rectifier 2A Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 100. 800 V /4,5" Plastic case Kunststoffgehäuse ~ D 0 -2 0 1 Weight approx. Gewicht ca.
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UL94V-0
R0D1RS14
000017S
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SA 154.SA 160 Schnelle Si-Gleichrichter für die Oberflächenmontage Fast Switching Surface Mount Si-Rectifier 1A Nominal current Nennstrom 50. 1000 V Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 0 2,5 x 5 [mm] Plastic case MELF Kunststoffgehäuse MELF
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UL94V-0
G0174
000017S
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: F R 2 A .F R 2 M Fast Switching Surface Mount Si-Rectifier Schnelle Si-Gleichrichter für die Oberflächenmontage Nominal current Nennstrom 1.5 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50. 1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse
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DO-214
UL94V-0
G0174
000017S
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rgp30
Abstract: diode RGP 20
Text: BY 396.BY 399, RGP 30 K .M Fast Silicon Rectifier Schnelle Silizium Gleichrichter Nominal current Nennstrom 3A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 100. 1000 V /4.5iai Plastic case Kunststoffgehäuse ~ D0-201 Weight approx.
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D0-201
UL94V-0
R0D1RS14
rgp30
diode RGP 20
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