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GEO06861 Abstract: Q62702-P1605 Text: Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode 1.1 0.9 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.2 0.1 0.0.1 0.3 1.2 1.1 Chip position BP 104 S 4.0 3.7 1.7 1.5 0.9 0.7 4.5 4.3 1.6 ±0.2 Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.	Original	PDF	feo06862 GEO06861 OHF02284 OHF01778 OHF00082 OHF01402 GEO06861 Q62702-P1605
Q62702-P1605 Abstract: GEO06861 Text: 1.1 0.9 1.6 1.2 4.0 3.7 0.9 0.7 4.5 4.3 1.7 1.5 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.3 0.0.1 1.2 1.1 Chip position BP 104 S 0.2 0.1 Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.	Original	PDF	feo06862 GEO06861 OHF02284 OHF01778 OHF00082 OHF01402 Q62702-P1605 GEO06861
Q62702-P1602 Abstract: S8050 Text: BPW 34 S feo06862 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm ● Kurze Schaltzeit typ. 20 ns	Original	PDF	feo06862 Q62702-P1602 S8050
OHF01066 Abstract: Q62702-P1602 GEO06863 120 Hz IR photodiode S8050 BPW 34 S Text: 1.1 0.9 1.8 1.4 4.0 3.7 0.9 0.7 4.5 4.3 1.7 1.5 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.3 0.0.1 1.2 1.1 Chip position BPW 34 S 0.2 0.1 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm GEO06863 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.	Original	PDF	feo06862 GEO06863 OHF00080 OHF00081 OHF00082 OHF01402 OHF01066 Q62702-P1602 GEO06863 120 Hz IR photodiode S8050 BPW 34 S
bpw 32 Abstract: foto transistor bpw 32 datasheet BPW 14 A BPW 14 C bpw 50 BPW-34 F 365 R Q62702-P1602 Q62702-P73 Text: BPW 34 BPW 34 S BPW 34 BPW 34 S feo06862 feo06643 Silizium-PIN-Fotodiode NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode NEW: in SMT Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im	Original	PDF	feo06862 feo06643 bpw 32 foto transistor bpw 32 datasheet BPW 14 A BPW 14 C bpw 50 BPW-34 F 365 R Q62702-P1602 Q62702-P73
Q62702-P1605 Abstract: 27bp Text: BP 104 S feo06862 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm ● Kurze Schaltzeit typ. 20 ns	Original	PDF	feo06862 Q62702-P1605 27bp
BPW34S Abstract: E9087 GEO06643 GEO06863 GEO06916 Q62702-P1602 Q62702-P1790 Q62702-P73 S8050 Text: feo06643 Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 BPW 34 BPW 34 S BPW 34 S E9087 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 0.8 0.6 Silizium-PIN-Fotodiode NEU: in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode NEW: in SMT and as Reverse Gullwing	Original	PDF	feo06643 E9087) GEO06643 OHF00080 OHF00081 OHF00082 OHF01402 BPW34S E9087 GEO06643 GEO06863 GEO06916 Q62702-P1602 Q62702-P1790 Q62702-P73 S8050
isl 6251 schematic Abstract: smd transistor A4S Siemens OFW 361 smd marking b4h 6Bs smd transistor NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG Transistors Diodes smd A7H a4s smd transistor npn transistor ss100 smd transistor 6Bs Text: SIEMENS Halbleiter-Datenblätter Im Produktbereich „Halbleiter“ konnten uns leider von SIEMENS nicht alle Daten rechtzeitig zur Verfügung gestellt werden. Wir werden uns bemühen, die Auswahl an Datenblättern dieses Bereichs für die nächste Ausgabe dieser CD zu vervollständigen.	Original	PDF	Q62702-A772 Q62702-A731 Q62702-A773 OT-23 isl 6251 schematic smd transistor A4S Siemens OFW 361 smd marking b4h 6Bs smd transistor NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG Transistors Diodes smd A7H a4s smd transistor npn transistor ss100 smd transistor 6Bs
feo06643 Abstract: GEO06643 GEO06863 Q62702-P1602 Q62702-P73 S8050 Text: 5.4 4.9 4.5 4.3 0.8 0.6 0.6 0.4 2.2 1.9 Chip position 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 BPW 34 BPW 34 S feo06643 Silizium-PIN-Fotodiode NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode NEW: in SMT 0.6 0.4 0.8 0.6 0.6 0.4 0.35 0.2 0.5 0.3 0 . 5˚ 5.08 mm	Original	PDF	feo06643 feo06862 GEO06643 GEO06863 OHF00080 OHF00081 OHF00082 OHF01402 feo06643 GEO06643 GEO06863 Q62702-P1602 Q62702-P73 S8050