GMO06983
Abstract: Q62702-P5053 marking code diode 04 to-18
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860 Chip position 1 0.9 .1 (2.7) 4.05 3.45 Flat glass cap ø2.54 5.5 5.2 fmo06983 Cathode 1.1 .9 ø4.8 ø4.6 2.54 mm spacing ø0.45 14.5 12.5 GMO06983 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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fmo06983
GMO06983
OHR01872
OHR00391
OHR00389
GMO06983
Q62702-P5053
marking code diode 04 to-18
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phototransistor 650 nm
Abstract: foto transistor Q62702-P15 Q62702-P15-S2 Q62702-P15-S3 Q62702-P15-S4 BPX 38
Text: BPX 38 BPX 38 fmo06018 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1120 nm
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Original
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fmo06018
IPCE/IPCE25o
ICEO/ICEO25o
phototransistor 650 nm
foto transistor
Q62702-P15
Q62702-P15-S2
Q62702-P15-S3
Q62702-P15-S4
BPX 38
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foto transistor
Abstract: Q62702-P885 550nm BPW 21
Text: BPW 21 BPW 21 fmo06011 Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the visible spectral range Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im
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Original
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fmo06011
foto transistor
Q62702-P885
550nm
BPW 21
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Q62702-P885
Abstract: BPW21 BPW 21
Text: BPW 21 BPW 21 fmo06011 Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the visible spectral range Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im
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Original
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fmo06011
Q62702-P885
BPW21
BPW 21
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germanium photodiode PIN
Abstract: foto transistor SFH231 photodiode germanium diode germanium germanium diode germanium diodes IR DETECTOR photodiode 1550 NEP 1800nm
Text: SFH 231 SFH 231 fmo06424 Germanium-PIN-Fotodiode Germanium PIN Photodiode Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 600 nm bis 1800 nm ● Kurze Schaltzeit typ. 9 ns
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Original
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fmo06424
Bestelln13
germanium photodiode PIN
foto transistor
SFH231
photodiode germanium
diode germanium
germanium diode
germanium diodes
IR DETECTOR
photodiode 1550 NEP
1800nm
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BPX61
Abstract: Q62702-P25
Text: BPX 61 BPX 61 fmo06011 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm ● Kurze Schaltzeit typ. 20 ns
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Original
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fmo06011
BPX61
Q62702-P25
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Q62702-P885
Abstract: BPW21 BPW 21
Text: BPW 21 BPW 21 fmo06011 Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the visible spectral range Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im
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Original
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fmo06011
Q62702-P885
BPW21
BPW 21
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Q62702-P54
Abstract: No abstract text available
Text: BPX 60 BPX 60 fmo06011 Silizium-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon Photodiode with Enhanced Blue Sensitive Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im
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Original
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fmo06011
Q62702-P54
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uv diode
Abstract: SFH 291 uv photodiode sfh291 eprom UV eraser Q62702-P1038 UV flame detection
Text: SFH 291 SFH 291 fmo06427 Silizium-Fotodiode mit hoher UV-Empfindlichkeit Silicon Photodiode with High UV Sensitivity Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im
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Original
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fmo06427
uv diode
SFH 291
uv photodiode
sfh291
eprom UV eraser
Q62702-P1038
UV flame detection
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isl 6251 schematic
Abstract: smd transistor A4S Siemens OFW 361 smd marking b4h 6Bs smd transistor NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG Transistors Diodes smd A7H a4s smd transistor npn transistor ss100 smd transistor 6Bs
Text: SIEMENS Halbleiter-Datenblätter Im Produktbereich „Halbleiter“ konnten uns leider von SIEMENS nicht alle Daten rechtzeitig zur Verfügung gestellt werden. Wir werden uns bemühen, die Auswahl an Datenblättern dieses Bereichs für die nächste Ausgabe dieser CD zu vervollständigen.
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Original
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Q62702-A772
Q62702-A731
Q62702-A773
OT-23
isl 6251 schematic
smd transistor A4S
Siemens OFW 361
smd marking b4h
6Bs smd transistor
NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG
Transistors Diodes smd A7H
a4s smd transistor
npn transistor ss100
smd transistor 6Bs
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eprom UV eraser
Abstract: SFH 291
Text: SIEMENS SFH 291 fmo06427 Silizium-Fotodiode mit hoher UV-Empfindlichkeit Silicon Photodiode with High UV Sensitivity M aße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified. Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im
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cs5050
Abstract: BPX 38 bpx38
Text: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Chi p p o s it io n Radiant <2 -7 > s e n s it iv e BPX 38 a re a / E C B fmo06018 iS*-' Maße in mm, w enn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified W esentliche M erkmale
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BPX38
cs5050
BPX 38
bpx38
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germanium photodiode PIN
Abstract: SIEMENS Germanium
Text: SIEMENS Germanium-PIN-Fotodiode Germanium PIN Photodiode SFH 231 r , C a t h o d e SFH 4 8 0 p o s it io n (2.7) (SFH 2 1 6 , SFH 2 31 , 5FH 4 0 0 ) 00.45 Radiant Sen sit ive a re a \ N'<>> / * y/ I.“ 03 u5 _ 5.3, ’ 5.0 I 14.5 12.5 7-4 6.6 Approx. w e ig h t
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doppeldiode
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode C h ip p o s it io n R o d ia n t s e n s itiv e SFH 221 a re a Anode b\ Ç'M? Anode M e la i c a th o d e case s y s te m R o d ia n t s e n s itiv e A p p ro x . w e ig h t a re a 1 .5
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