Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 80 BPX 82 … 89 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
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Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Neu: NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. W esentliche Merkmale Features • • • • Speziell geeignet für Anwendungen im
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photointerrupter
Abstract: aot 430
Text: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A 2.54 '2.03 r- cNj LO CO 1.70 1.45 GE006391 Approx. weight 0.2 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified W esentliche Merkmale Features
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GE006391
Q68000-A7852
photointerrupter
aot 430
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OHM02257
Abstract: OHM02258 Q62702-P5038 2004.09.23 SFH9201-4 SFH 9201
Text: Reflexlichtschranke Reflective Interrupter SFH 9201 Wesentliche Merkmale Features • Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm • IR-GaAs-Lumineszenzdiode in Kombination mit einem Si-NPN-Fototransistor • Tageslichtsperrfilter • Geringe Sättigungsspannung
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Original
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Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 313 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 740 . 1080 nm • Package: 5mm Radial (T 1 ¾), Epoxy • Special: 5 mm plastic package • High photosensitivity
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D-93055
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fototransistor
Abstract: gabellichtschranke Q62702-P5214
Text: Gabellichtschranke Slotted Interrupter SFH 9310 Wesentliche Merkmale Features • Kompaktes Gehäuse • GaAs-IR-Sendediode 950 nm • Si-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter • Compact type • GaAs infrared emitter (950 nm) • Silicon phototransistor detector with
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SFH 309 FA
Abstract: SFH 309-3/4
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309, SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 380 nm . 1180 nm SFH 309 , 880 nm.1120 nm (SFH 309 FA) • • • •
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D-93055
SFH 309 FA
SFH 309-3/4
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Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 300 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 730 . 1120 nm • Package: 5mm Radial (T 1 ¾), Epoxy • Special: High linearity • Available in groups
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D-93055
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FOTOTRANSISTOR
Abstract: BPX osram GMOY6019 OHLY0598 Q62702P0016 BPX 43-3/4
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 43 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit
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fototransistor BPX 81
Abstract: BPX osram GEOY6021 OHLY0598
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 81 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Einstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
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Q62702-P5014
Abstract: Q62702-P5200
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
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Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 3219 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 450 . 1150 nm • Package: TOPLED with Lens • Special: Suitable for all soldering methods • High linearity
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D-93055
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Fototransistor
Abstract: D 9202 9202 OHM02257 OHM02258 Q62702-P5009 Q62702-P5010 Q62702-P5039 Q62702P5039 SFH 9202
Text: Reflexlichtschranke im SMT-Gehäuse Reflective Interrupter in SMT Package SFH 9202 Wesentliche Merkmale • Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm • IR-GaAs-Lumineszenzdiode: Sender • Si-NPN-Fototransistor: Empfänger • Tageslichtsperrfilter • Kollektor-Emitter-Strom typ. 0.2 mA
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Bpy 43
Abstract: foto transistor Y1112 GMOY6019 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y5198 Q60215-Y62
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 mit Basisanschluß, geeignet bis 125 °C
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9202
Abstract: reflex OHM02257 OHM02258 SFH 9202
Text: Reflexlichtschranke Reflective Interrupter SFH 9202 Wesentliche Merkmale Features • Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm • IR-GaAs-Lumineszenzdiode in Kombination mit einem Si-NPN-Fototransistor • Tageslichtsperrfilter • Geringe Sättigungsspannung
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DIN 50014
Abstract: cny18 TFK 4 232 CNY18 -IV cny 76 TFK CNY 18 IV cny18 tfk
Text: «Sr CNY18 Optoelektronisches Koppelelement Optically Coupled Isolator Aufbau Construction Emitter: D etektor: G aAs-Lum ineszenzdiode Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Fototransistor Anwendungen: Galvanische Trennung von Strom kreisen, rückw irkungsfreier Schalter
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CNY18
DIN 50014
cny18
TFK 4 232
CNY18 -IV
cny 76
TFK CNY 18 IV
cny18 tfk
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Abstract: No abstract text available
Text: Opto Semiconductors 0.3 min 2.1 1.7 1.0 0.9 5.4 5.0 1.7 1.5 2.4 3.4 3.0 0.3 max 3.0 2.6 2.3 2.1 SFH 3211 SFH 3211 FA fpl06899 NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED RG-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED RG-Package 0.0.1 Cathode/Collector marking
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fpl06899
fplf6899
GPL06899
103ff.
169ff.
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SIEMENS SMT-TOPLED
Abstract: sfh siemens
Text: SIEMENS NPN-Siliziiim-Fototransistor im SMT-TOPLED -Gehäuse mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor in SMT-TOP-LED® with Daylight Filter SFH 320 SFH 320 F M a ß e in m m , w en n nicht an d ers ang egeb en /D im en s io n s in m m , unless otherw ise specified.
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8235b
00S74T1
Photocurrent/pCE//pCE25°
0535bGS
S74T2
SIEMENS SMT-TOPLED
sfh siemens
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BPW40
Abstract: sd325
Text: <€S» BPW40 'W Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Fototransistor Silicon NPN Epitaxial Planar Phototransistor Anw endung: Em pfänger in elektronischen Steuer- und R egeleinrichtungen A p p lic a tio n : D etector in e lectronic co n tro l and drive circuits
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BPW40
5033/1EC
BPW40
sd325
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CNY37
Abstract: CNY 50 cny 37 cny 85 CNY36 172126 CNY photon coupled interrupter LUMINESZENZDIODE
Text: CNY 36 • CNY 37 Optoelektronischer Gabelkoppler Photon coupled interrupter modules Aufbau Em itter: GaAs Lum ineszenzdiode Construction Detektor: Silizium -NPN-Epitaxial-Planar-Fototransistor Anwendungen: O pto ele ktro n isch e Abtast- und Schalteinrichtung z. B. fü r Farbm askenerkennung,
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rL520pF
CNY37
CNY 50
cny 37
cny 85
CNY36
172126
CNY photon coupled interrupter
LUMINESZENZDIODE
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feo06021
Abstract: Q62702-P20 Q62702-P43-S2 Q62702-P43-S3
Text: BPX 81 BPX 81 feo06021 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm
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feo06021
IPCE/IPCE25o
feo06021
Q62702-P20
Q62702-P43-S2
Q62702-P43-S3
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bpy 62-4
Abstract: Q60215-Y1111 foto transistor Y1112 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y62 Q62702-P1113 Q60215Y1113 BPY62
Text: BPY 62 BPY 62 fmof6019 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from
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fmof6019
IPCE/IPCE25o
ICEO/ICEO25o
bpy 62-4
Q60215-Y1111
foto transistor
Y1112
Q60215-Y1112
Q60215-Y1113
Q60215-Y62
Q62702-P1113
Q60215Y1113
BPY62
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Q62702-P5043
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität
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P555
Abstract: GPLY6089
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3010 Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines SMT-Gehäuse SCD 80 : (LxBxH) 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1100 nm • großer Empfangswinkel ±80°
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