feo06021
Abstract: Q62702-P20 Q62702-P43-S2 Q62702-P43-S3
Text: BPX 81 BPX 81 feo06021 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm
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Original
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feo06021
IPCE/IPCE25o
feo06021
Q62702-P20
Q62702-P43-S2
Q62702-P43-S3
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foto transistor
Abstract: foto transistor BPX circuit Q62702-P20 Q62702-P43-S2 Q62702-P43-S3
Text: BPX 81 BPX 81 feo06021 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm
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Original
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feo06021
Q62702-P
IPCE/IPCE25o
foto transistor
foto transistor BPX circuit
Q62702-P20
Q62702-P43-S2
Q62702-P43-S3
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 81 2.84 2.24 2 .4 , 2.1 OJ ^ ^ 0.6 Li X 0.25 1 O l T ^ 0.51 m o rolfo -T U T 2.1 1.0 1.5 2.54 spacing j f t l — Radiant sensitive area 0.4X0.4 '— Collector (BPX 81) Cathode (LD 261)
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BPX81
A235b05
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Q62702-P43-S3
Abstract: BPX osram BPX-81-4 Q62702-P43-S4 GEOY6021 Q62702-P20
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 81 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm • Hohe Linearität • Einstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy • Gruppiert lieferbar
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Original
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Q62702-P20
Q62702-P3583
Q62702-P43-S3
Q62702-P43-S3
BPX osram
BPX-81-4
Q62702-P43-S4
GEOY6021
Q62702-P20
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GEO06021
Abstract: Q62702-P20 Q62702-P43-S2 Q62702-P43-S3 Q62702-P43-S4
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 81 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm • Hohe Linearität • Einstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy • Gruppiert lieferbar Features
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Original
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GEO06021
GEO06021
Q62702-P20
Q62702-P43-S2
Q62702-P43-S3
Q62702-P43-S4
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GEOY6021
Abstract: OHLY0598 150CA
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 81 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Einstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 81 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 450 . 1100 nm • Package: Miniature Array, Epoxy • Special: One-digit array package • High linearity
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Original
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D-93055
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fototransistor BPX 81
Abstract: BPX osram GEOY6021 OHLY0598
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 81 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Einstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 81 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Einstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
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Original
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Q62702-P20
Q62702-P3583
Q62702-P43-S3
Q62702-P3584
Q62702-P43-S4
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-03-30 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 BPX 81 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 . 1100 nm • • • • • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 450 . 1100 nm • Gehäuse: Miniatur Array, Harz
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Original
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D-93055
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BPX81-2
Abstract: high sensitivity phototransistor sre 06
Text: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 81 2 .8 4 t?t— R a d ia n t s e n s itiv e 0 .4 X 0 .4 - C o lle c to r (B P X 1 ) D e ta c h in g fla s h a re a n o t tru e A p p ro x . fo r to 81) 261) GE006021 to o ls , feo06021
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GE006021
BPX81-2
high sensitivity phototransistor
sre 06
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fototransistor BPW 39
Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.
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EN60825-1
GETY6091
GPLY6899
GPLY6880
fototransistor BPW 39
fototransistor BPX 81
opto P180
marking s4 diode smt
SFH 300-3/4 datasheet
OSRAM IR emitter IRL
P3596
foto transistor
SFH 229
foto sensor
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TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
Text: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111
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GEMY6050
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Q65110A6342
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702
fototransistor BPW 39
SFH415U
sidelooker smd DIODE
transistor smd 3401
SFH 4740
LPT80
BPY62
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TRANSISTOR si 6822
Abstract: LM 3140 si 6822 transistor transistor 6822 si transistors Si 6822 lm3140 SN-72500 transistors br 6822 Siemens technische transistor 6823
Text: Technische Erläuterungen SIEMENS Allgem eines O ptoelektronische Bauelem ente haben in der m odernen Elektronik und dam it in fast allen Bereichen unseres Lebens weiten Eingang gefunden. Sie sind in hohem Maße an dem Um stellungsprozeß von Mechanik auf Elektronik beteiligt und haben, aufgrund ihrer Funktion als
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