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PA2451B Abstract: hwson 6pin PA2451BTL Text: データ・シート MOS 形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor µ PA2451B N チャネル MOS FET スイッチング用徴 5 3 4 ○2.5 V 駆動可能 ○低オン抵抗です。 RDS on 1 = 20.0 mΩ MAX.（VGS = 4.5 V, ID = 4.0 A）	Original	PDF	PA2451B PA2451BTL PA2451B G16636JJ1V0DS M8E02 hwson 6pin PA2451BTL
Untitled Abstract: No abstract text available Text: お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社	Original	PDF	PA2451B G16636JJ1V0DS M8E02

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PA2451B

Abstract: hwson 6pin PA2451BTL
Text: データ・シート MOS 形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor µ PA2451B N チャネル MOS FET スイッチング用徴 5 3 4 ○2.5 V 駆動可能 ○低オン抵抗です。 RDS on 1 = 20.0 mΩ MAX.（VGS = 4.5 V, ID = 4.0 A）

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Text: お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社

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