Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: MAA 436 TESLA mikroelektronik applikation Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 IL709M mikroelektronik Heft MAA725 K553UD1A "Mikroelektronik" Heft Tesla katalog
Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATION K 159 INNENSCHALTUNG SONDERHEFT IMPORT BAUELEMENTE UDSSR INTEGRIERTE SCHALTUNGEN INFORMATION-APPLIKATION SONDERHEFT IMPORTBAUELEMENTE INTEGRIERTE SCHALTUNGEN MIKROELEKTRONIK HEFT 6 veb Halbleiterwerk frankfurt oder
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E355D
Abstract: mikroelektronik RFT A283D B3370 D100D information applikation B083D SN28654N SN28654 A277D
Text: ïTTfe Information Applikation Ü b e rsic h t VEB HALBLEITERWERK FRANKFURT ODER âl-< I n r D D G ^ Ö E i s W s n o r i i H IN F O R M A T IO N - A P P L IK A T IO N Bipolare integrierte Schaltkreise des VEB Halbleiterwerk Frankfurt /O d e r H e ft 20
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B589N
Abstract: B511N information applikation mikroelektronik B589 "halbleiterwerk frankfurt" VEB mikroelektronik FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation 4 bis 20 mA Schaltkreis halbleiterwerk mikroelektronik applikation
Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation B589N Temperaturkompensierte Referenzspannungsquetle Applikationshinweise TG L 42934 Hersteller: VEB Halbleiterwerk Frankfurt Oder Kurzcharakteristik Grenzwerte P aram eter Kurzzeichen Betriebsstrom (von 1 nach 3) Umgebungstemperatur
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B589N
B511N,
B511N
information applikation mikroelektronik
B589
"halbleiterwerk frankfurt"
VEB mikroelektronik
FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation
4 bis 20 mA Schaltkreis
halbleiterwerk
mikroelektronik applikation
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B511N
Abstract: information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation "halbleiterwerk frankfurt" B589N FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation schlenzig Funkamateur 4 bis 20 mA stromquelle
Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation B 511N Temperatursensor Temperatur/Strom-Wandler-IS Applikationshinweise TGL 42933 Hersteller: VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) Kurzcharakteristik Grenzwerte Parameter (Bedingungen) Kurzzeichen min. max. Betriebsspannung (zwischen 1 und 3)
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B511N,
B511N
information applikation mikroelektronik
VEB mikroelektronik
Mikroelektronik Information Applikation
"halbleiterwerk frankfurt"
B589N
FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation
schlenzig
Funkamateur
4 bis 20 mA stromquelle
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information applikation mikroelektronik
Abstract: mikroelektronik applikation applikation heft mikroelektronik DDR "halbleiterwerk frankfurt" VEB mikroelektronik A211D Mikroelektronik Information Applikation "Mikroelektronik" Heft valvo transistoren
Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATION KBD FT Inform ation-Applikation Aufbau, Eigenschaften und Anwendung des integrierten Aufnahmeund W iedergabeverstärkerSchaltkreises A 202 D M ikroelektronik Heft 4 veb Halbleiterwerk frankfurt/oder le itb e trie b im veb kom binat m ikroelektronik
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SF 829 B
Abstract: SF829 SF819 SF827 sf 829 d SF126 SF826 sf829c SF816 SF 827 d
Text: FUNKAMATEUR-Bauelementemformation Silizium-npn-Transistoren in Epitaxie-Planar-Technologie SF 826 SF827 SF 828 SF 829 Hersteller: V EB Halbleiterwerk Frankfurt Oder TG L 43386 Kurzcharakteristik Grenzwerte (im Betriebstemperaturbereich) Parameter (Bedingungen)
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SF827
SF829
SF82B
SF82S
SF 829 B
SF819
sf 829 d
SF126
SF826
sf829c
SF816
SF 827 d
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BD512 mosfet
Abstract: itt transistoren Relais ITT halbleiterwerk transistor 2N 3055 ITT Intermetall Leuchtdiode CQY 40 transistor BD 522 schaltregler BD512
Text: VMOS Transistoren Eigenschaften und Schaltungsbeispiele 6240-09-2 D INTERMETALL Halbleiterwerk der Deutsche ITT Industries GmbH VMOS-Transistoren Eigenschaften und Schaltungsbeispiele Zusammengestellt von folgenden Mitarbeitern der ITT Semiconductors Gruppe
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Mikroelektronik Heft
Abstract: information applikation mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik applikation A290D applikation heft mikroelektronik DDR mikroelektronik Heft 12 Mikroelektronik Information Applikation
Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATION INTEGRIERTER PLLSTEREO-DEKODER 220n A 290 n v /50 mA m m K m Information-Applikation Aufbau, Funktionsweise und Anwendung des integrierten PLL-StereodekoderSchaltkreises A 290 D Mikroelektronik Heft 3 veb Halbleiterwerk frankfurt/oder
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47/uF
Mikroelektronik Heft
information applikation mikroelektronik
"Mikroelektronik" Heft
"halbleiterwerk frankfurt"
mikroelektronik applikation
A290D
applikation heft
mikroelektronik DDR
mikroelektronik Heft 12
Mikroelektronik Information Applikation
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selen-gleichrichter
Abstract: Halbleiterbauelemente DDR selengleichrichter selenkleinstgleichrichter "halbleiterwerk frankfurt" Kombinat VEB A 301 RG 403 halbleiterwerk Halbleiterwerk Frankfurt ddr veb
Text: CD AUSGABE GO 1971 I 5 2 CD • M H CD CD CD ■ SELEN FREIFLÄCHEN GLEICHRICHTER Kombinat VEB Halbleiterwerk Frankfurt Oder Gleichrichterwerk Großräsdien Information 20-1-71 Änderungen der allgemeinen und tech nischen Angaben, die durch die Weiter
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59/71/D
selen-gleichrichter
Halbleiterbauelemente DDR
selengleichrichter
selenkleinstgleichrichter
"halbleiterwerk frankfurt"
Kombinat VEB A 301
RG 403
halbleiterwerk
Halbleiterwerk Frankfurt
ddr veb
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B2761D
Abstract: B861 13001 s B4761D B861D SR 13001 TAA2761 TCA321 TCA311 TAA 2761 A
Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation B 61t . . . 4 7 6 5 D Bipolare Operationsverstärker Hersteller: VEB Halbleiterwerk Frankfurt O. TGL 38925 Kurzcharakteristik Grenzwerte1 P aram eter (B edingungen) Typ B etriebsspannung K u rzzeichen m in. m ax. —U cc2
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B611D
BS31D
10-UcclV]
57l022357103f
57W2Z357W32357lOuf
B2761D
B861
13001 s
B4761D
B861D
SR 13001
TAA2761
TCA321
TCA311
TAA 2761 A
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MH 74141
Abstract: Tesla katalog MH74S04 MH74188 information applikation MH74S287 mikroelektronik RFT CDB404E ucy 74132 MZH 115
Text: m o N r ^ e le l- c fe n a n il- c Information Applikation ._ B|B Information Applikation Heft 26: IMPORT-IS Teil 2 i ' . • fbkj veb Halbleiterwerk frankfurt/oder Ü B d batriab im vab ko m binat mfcr m M ftrnnllt DER TECHNIK I Bezirksvorstand Frankfurt/O.
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MH1SS1
Abstract: TESLA mh 7400 MH 7404 mh 7400 tesla cdb 838 tda 7851 L 741PC TDB0124DP tda 4100 TDA 7851 A
Text: m ö lk ^ o e le l-c te n a n il-c Information Applikation RGW Typenübersicht Vergleich Teil 2: RGW M iM U Z A U l KÉD lnrüÖC=SraO Information Applikation HEFT 50 RGW Typenübersicht + Vergleich Teil 2: RGW wob Halbleiterwerk Frankfurt /oder bt r iab im v«b kombinat mikrootektronik
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information applikation
Abstract: Halbleiterbauelemente DDR U555C information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik DDR mikroelektronik Heft mikroelektronik applikation Transistoren DDR
Text: in n ilk a n í o J B lB t a L J I , L J n Í lH KáD Information Applikation Halbleiter Speicher Teil 1 SRAM [ n n ilk r a ^ e lE s k t s n a r iik Information Applikation HEFT 79- , HALBLEITERSPEiCHER TEIL li > < .1* • • r* - . SRAM * VEB Halbleiterwerk Frankfurt Oder
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b342d
Abstract: information applikation applikation heft mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik Transistoren DDR VEB mikroelektronik "information applikation" mikroelektronik Heft 10 ITT transistoren
Text: m n t k if ^ s j e le lK t e n a r iH - c g|B Information Applikation in n f B = a n iis ö lH W b n a n lK Information Applikation Heft: 28 Transistorarrays Iweb Halbleiterwerk frankfurt/oder | betrieb im veto kombinet mikroelektronik KAMMER DER TECHNIK Bezirksvorstand Frankfurt/O.
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information applikation
Abstract: applikation heft A109D a 109 opv information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik "information applikation" "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft 12 "Mikroelektronik" Heft
Text: I 1 I 'li Information Applikation OPERATIONS VERSTÄRKER •lit J m ■ liUf [ f ^ a lk a r a ^ E lo k c t s n a n il- c Information Applikation Heft 21: OPERATIONS-VERSTÄRKER-IS T e ill veb halbleiterwerk frankfurt/oder im v e b k o m b in a t m ik ro e le k tro n ik
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information applikation
Abstract: Mikroelektronik Information Applikation B305D B304D eft 317 transistor information applikation mikroelektronik B303D Kombinat VEB A 301 A301D "information applikation"
Text: LnnJÖD=^Jj i ^ j s l E k t j P D n i k Information Applikation B 303 D B 304 D B 305 D B 306 D m ölkr^elel-ctsnariik Information Applikation Heft: 23 INITIATOREN-IS B303D- B 304D B 305D *B 306D VEB. Halbleiterwerk FrankfurtïOder im VEB Kom binat Mikroelektronik,
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Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9
Abstract: "Mikroelektronik" Heft meuselwitz Rema Toccata Tesla katalog Kombinat VEB A 281 "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft NF-Pegelmesser MV 73 mikroelektronik ddr
Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATIO N KID i R l M i Information-Applikation Aufbau, Eigenschaften und Anwendung des AM-Empfängerschalt Kreises A 244 D und des AM-FM-ZF-Verstärkers A 281 D Mikroelektronik Heft 5 veb Halbleiterwerk frankfurt/oder lo it b e t n e b im v e b k o m b in a t m ik r o e le k t r o n ik
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information applikation
Abstract: "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik Heft CDB4151 mikroelektronik Heft 12 MH8475 MH7442 Mikroelektronik Information Applikation information applikation mikroelektronik CDB4153
Text: ' 1 o lE h f c p o n ih Information Applikation s o c h a lH ü n o n il- c Information Applikation HEFT 25 I M P O R T - I S T E IL 1 Ivob Halbleiterwerk frankfurt/ader | b e trie b im m b kom binat m ikroelektronik ] KAMMER DER TECH N IK I Bezirksvorstand Frankfurt/O.
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information applikation
Abstract: information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft 12 Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft A4100D "Mikroelektronik" Heft applikation heft mikroelektronik applikation VEB mikroelektronik
Text: m o N n ^ e le l-c te n o r iil-c Kp Information Applikation m L r r t l k < I r J[ S J E 2 l E l - < f c i r ,a r - | i t < Information Applikation H e f t : 40 L S - T T L - R e l h e Teil 1 ueb Halbleiterwerk frankfurt /oder* b o t r - ie b im v e t k o m b m a t m ik r o o le k t r o n « k
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Kombinat VEB A 281
Abstract: VEB Kombinat zf filter meuselwitz "halbleiterwerk frankfurt" A281D Kombinat VEB halbleiterwerk Halbleiterwerk Frankfurt SF225 VEB Halbleiterwerk Frankfurt
Text: A 281 0 Monolithisch integrierter AM-FM-ZF-Verstarker für den Einsatz in battene- und netzgespeisten Rundfunkempfängern. Abmessungen in mm und An»chlu6belequnq : \3 3 Ì 0 J AOOA JAS » V n n n « lì V 9 n n n n jo 1_ _ v > 1 2 3,14 4 5 6 i 3 * 5 6
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"halbleiterwerk frankfurt"
Abstract: halbleiterwerk A295D scans-048 Halbleiterwerk Frankfurt VEB Halbleiterwerk Frankfurt DSAGER00030 0u81 frankfurt
Text: mm A 295 D Vorläufige technieche Daten Integrierter Kreuzschalter, Begrenzer und Farbkanalschalter für den Einsatz In Secam-Dekoder von Farbfernsehgeräten. Abmessungen In mm und AnschluBbetegung : ,35 tO J E3 X ° 's -005 •0 75 * *00 A2.AÒ £ 75 7t 73 72 71 70 9
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"halbleiterwerk frankfurt"
Abstract: VEB mikroelektronik A220D mikroelektronik RFT rft mikroelektronik bauelemente Kombinat VEB Kombinat Scans-048 halbleiterwerk Halbleiterwerk Frankfurt
Text: A 220 D M onolithisch integrierter FM - ZF - V erstärker und D em odulator vorzugsw eise fü r den Einsatz Im Ton - ZF - Teil von Fernseh geräten und als FM - ZF - V erstärker in R undfunkgeräten. Der S chaltkreis enthält einen sym m etrischen B reitbandverstär
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"halbleiterwerk frankfurt"
Abstract: Halbleiterwerk Frankfurt halbleiterwerk frankfurt oder Scans-048 VEB Halbleiterwerk Frankfurt Kombinat VEB frankfurt A252D
Text: A 252 D Vorläufige technische Daten Integrierte H orizontalkom bination fü r die Im pulstrennung und Zeilensynchronisation in Fernsehem pfängern m it Thyristor-Zeilen endstufe. Neben einem geregelten H orizontaloszillator und dem Am plitudensleb m it Störaustastung enthält dieser S chaltkreis die Baugruppen
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"halbleiterwerk frankfurt"
Abstract: halbleiterwerk Scans-048 Halbleiterwerk Frankfurt VEB Halbleiterwerk Frankfurt Kombinat VEB DSAGER00016 frankfurt
Text: A 230 D Vorläufige technische Daten integrierte RGB-Matrix mit D unkeltastschaltung für den Einsatz ;n Farbfernsehgeräten. Dia R \ G- und B-Ausg3ngsimpulse erlauben iie direkte Ansteuerung der Videoendstufe. Abm essungen in mm und AnschluBbelegung : .400
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