mbrf1060ctl
Abstract: No abstract text available
Text: Schottky Rectifiers Peak Inverse Voltage VRWM Max. Average Forward Current (Io) Max. Reverse Leakage Current (IR) Max. Forward Voltage Drop (VF) Max. Junction Capacitance (Cj) (A) Max. Forward Surge Current (IFSM) (A) (V) 30 (mA) (V) (pF) 0.2 4 0.0005 1
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Original
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OD-123
BAT54W
OT-323
BAT54WS
BAT54A
OT-23
BAT54C
BAT54S
mbrf1060ctl
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PDF
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SS10015M Ordering number : ENN7979 Schottky Barrier Diode SS10015M 15V, 1A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • Low forward voltage (IF=0.3A, VF max=0.32V) (IF=0.5A, VF max=0.35V).
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Original
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SS10015M
ENN7979
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PDF
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marking DF
Abstract: ECSP1608-4 N3004 SS1003EJ
Text: SS1003EJ Ordering number : ENN8157 SS1003EJ Schottky Barrier Diode 30V, 1A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • • Low switching noise. Low forward voltage (IF=500mA, VF max=0.39V) (IF=1A, VF max=0.45V).
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Original
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SS1003EJ
ENN8157
500mA,
marking DF
ECSP1608-4
N3004
SS1003EJ
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PDF
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ECSP1608-4
Abstract: N3004 SS1003EJ
Text: SS1003EJ Ordering number : EN8157A SANYO Semiconductors DATA SHEET SS1003EJ Schottky Barrier Diode 30V, 1A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • • Low switching noise. Low forward voltage (IF=500mA, VF max=0.39V) (IF=1A, VF max=0.45V).
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Original
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SS1003EJ
EN8157A
500mA,
ECSP1608-4
N3004
SS1003EJ
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PDF
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SS1003M3
Abstract: No abstract text available
Text: SS1003M3 Ordering number : EN8372A SANYO Semiconductors DATA SHEET SS1003M3 Schottky Barrier Diode 30V, 1.0A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • • Low switching noise. Low forward voltage (IF=1.0A, VF max=0.43V).
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Original
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SS1003M3
EN8372A
SS1003M3
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PDF
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SS1003M3
Abstract: No abstract text available
Text: SS1003M3 Ordering number : ENN8372 SS1003M3 Schottky Barrier Diode 30V, 1.0A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • • Low switching noise. Low forward voltage (IF=0.35mA, VF max=0.43V).
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Original
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SS1003M3
ENN8372
SS1003M3
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PDF
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"Marking SC"
Abstract: SS1003M
Text: SS1003M Ordering number : ENN8347 SS1003M Schottky Barrier Diode 30V, 1A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • • Small Switching noise. Low forward voltage(IF=500mA, VF max=0.39V) (IF=1A, VF max=0.45V).
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Original
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SS1003M
ENN8347
500mA,
"Marking SC"
SS1003M
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PDF
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SS10015M
Abstract: 138SF 15VIO sanyo SS10015M
Text: SS10015M 注文コード No. N 7 9 7 9 三洋半導体データシート N ショットキバリアダイオード SS10015M 15V1A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。
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Original
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SS10015M
15V1A
100mA,
600mm2
53104SB
TA-101012
IT07150
IT07152
IT07153
SS10015M
138SF
15VIO
sanyo SS10015M
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PDF
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ECSP1608-4
Abstract: SS1003EJ 7033a
Text: SS1003EJ 注文コード No. N 8 1 5 7 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N8157 をさしかえてください。 SS1003EJ ショットキバリアダイオード 30V1A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。
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Original
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SS1003EJ
N8157
30V1A
500mA,
500mA
600mm2
62797GI
TB-00000946
O1806
ECSP1608-4
SS1003EJ
7033a
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PDF
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VR 100K
Abstract: SS1003M3 ID00435 VR100K
Text: SS1003M3 注文コード No. N 8 3 7 2 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N8372 をさしかえてください。 SS1003M3 ショットキバリアダイオード 30V1.0A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。
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Original
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SS1003M3
N8372
100mA,
72mm2
500mm
62797GI
TB-00001532
IT09557
IT09559
VR 100K
SS1003M3
ID00435
VR100K
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PDF
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SS1003M
Abstract: No abstract text available
Text: SS1003M 注文コード No. N 8 3 4 7 三洋半導体データシート N SS1003M ショットキバリアダイオード 30V1A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。
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Original
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SS1003M
30V1A
500mA,
500mA
100mA,
600mm2
62797GI
TB-00001441
61005SB
SS1003M
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PDF
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ECSP1608-4
Abstract: SB1003EJ SB1003M SS1003EJ SS1003M 16084 ecsp 1608-4 PACKAGE sanyo
Text: PRODUCT INFORMATION Vol.180 PicoSBD One Ampere-Rated Two-Terminal Leadless Schottky Barrier Diode Series Developed New devices achieve the industry's highest rated current of 1 A in a 1608 size device SS1003EJ, SB1003EJ, SS1003M and SB1003M Overview The market for miniature portable equipment powered by rechargeable batteries, equipment such as
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Original
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SS1003EJ,
SB1003EJ,
SS1003M
SB1003M
ECSP1608-4
SB1003EJ
SB1003M
SS1003EJ
16084
ecsp 1608-4
PACKAGE sanyo
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PDF
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: CPH5848 Ordering number : EN8690 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5848 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Applications • DC / DC converters. Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3306 and a Schottky Barrier Diode (SS10015M)
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Original
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EN8690
CPH5848
MCH3306)
SS10015M)
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PDF
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MCH3339
Abstract: MCH5823 SS10015M
Text: MCH5823 Ordering number : ENN7757 MCH5823 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with a P-Channel Silicon MOSFET MCH3339 and a Schottky Barrier Diode (SS10015M)
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Original
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MCH5823
ENN7757
MCH3339)
SS10015M)
MCH3339
MCH5823
SS10015M
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PDF
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86886
Abstract: diode sy 710 mch5846 CPH5846 MCH3309 SS10015M ss-1001
Text: CPH5846 Ordering number : EN8688 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5846 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3309 and a Schottky Barrier Diode (SS10015M)
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Original
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CPH5846
EN8688
MCH3309)
SS10015M)
86886
diode sy 710
mch5846
CPH5846
MCH3309
SS10015M
ss-1001
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PDF
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D1004
Abstract: MCH3405 MCH5811 SS10015M
Text: MCH5811 Ordering number : ENN8059 MCH5811 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET MCH3405 and a schottky barrier diode (SS10015M)
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Original
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MCH5811
ENN8059
MCH3405)
SS10015M)
D1004
MCH3405
MCH5811
SS10015M
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PDF
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MCH3307
Abstract: MCH5836 SS10015M
Text: MCH5836 Ordering number : ENA0780 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5836 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an P-channel silicon MOSFET MCH3307 and a schottky barrier diode (SS10015M)
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Original
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MCH5836
ENA0780
MCH3307)
SS10015M)
A0780-6/6
MCH3307
MCH5836
SS10015M
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PDF
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SS1001
Abstract: MCH5837 mosfet yb SS10015M TA72
Text: MCH5837 Ordering number : ENA0781 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5837 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode SS10015M
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Original
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MCH5837
ENA0781
SS10015M)
A0781-6/6
SS1001
MCH5837
mosfet yb
SS10015M
TA72
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PDF
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SS1001
Abstract: MCH3307 MCH5836 SS10015M
Text: MCH5836 Ordering number : ENA0780A SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5836 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an P-channel silicon MOSFET MCH3307 and a schottky barrier diode (SS10015M)
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Original
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MCH5836
ENA0780A
MCH3307)
SS10015M)
PW10s,
A0780-6/6
SS1001
MCH3307
MCH5836
SS10015M
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PDF
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SS10015M
Abstract: VEC2820
Text: VEC2820 Ordering number : ENA0849 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2820 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode SS10015M contained in one
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Original
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VEC2820
ENA0849
SS10015M)
A0849-6/6
SS10015M
VEC2820
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PDF
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SS1001
Abstract: ENA0781A MCH5837 SS10015M
Text: MCH5837 Ordering number : ENA0781A SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5837 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode SS10015M
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Original
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MCH5837
ENA0781A
SS10015M)
A0781-6/6
SS1001
ENA0781A
MCH5837
SS10015M
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PDF
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MCH3339
Abstract: MCH5823 SS10015M
Text: MCH5823 注文コード No. N 7 7 5 7 三洋半導体データシート N MCH5823 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3339 とショットキバリアダイオード(SS10015M)を 1 パッケージに
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Original
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MCH5823
MCH3339)
SS10015M)
900mm2
D2004PE
TB-00001070
IT07151
MCH3339
MCH5823
SS10015M
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PDF
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MCH5846
Abstract: SS10015M CPH5846 MCH3309
Text: CPH5846 注文コード No. N 8 6 8 8 三洋半導体データシート N CPH5846 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード(SS10015M)を 1 パッケージに
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Original
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CPH5846
MCH3309)
SS10015M)
900mm2
N0106PE
TC-00000270
IT07150
IT07152
MCH5846
SS10015M
CPH5846
MCH3309
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PDF
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A0849
Abstract: SS10015M VEC2820
Text: VEC2820 注文コード No. N A 0 8 4 9 三洋半導体データシート N VEC2820 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオード SS10015M を 1 パッケージに内蔵した複
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Original
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VEC2820
SS10015M)
900mm2
60607PE
TC-00000736
A0849-1/6
IT07152
IT07153
A0849
SS10015M
VEC2820
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PDF
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