ENN8175
Abstract: CPH3430 marking zf
Text: CPH3430 Ordering number : ENN8175 N-Channel Silicon MOSFET CPH3430 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol
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Original
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CPH3430
ENN8175
900mm2
ENN8175
CPH3430
marking zf
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MCH6422
Abstract: A0162-2
Text: MCH6422 注文コード No. N A 0 1 6 2 三洋半導体データシート N MCH6422 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。
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Original
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MCH6422
1200mm2
IT06819
IT06818
IT06816
1200mm2
IT10361
IT10362
A0162-3/4
MCH6422
A0162-2
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CPH3430
Abstract: No abstract text available
Text: CPH3430 注文コード No. N 8 1 7 5 三洋半導体データシート N CPH3430 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。
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Original
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CPH3430
900mm2
IT06819
IT06818
900mm2
IT06821
IT09129
CPH3430
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PDF
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MCH6422
Abstract: No abstract text available
Text: MCH6422 Ordering number : ENA0162 N-Channel Silicon MOSFET MCH6422 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol
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Original
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MCH6422
ENA0162
1200mm2
A0162-4/4
MCH6422
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PDF
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A11612
Abstract: A1161-4 2a11612 A1161 CPH5870 IT13497
Text: CPH5870 注文コード No. N A 1 1 6 1 三洋半導体データシート N CPH5870 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した複合タイプ
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Original
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CPH5870
600mm2
51408PE
TC-00001359
A1161-1/5
ID00340
A1161-4/5
A11612
A1161-4
2a11612
A1161
CPH5870
IT13497
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PDF
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2a11612
Abstract: 2S200
Text: CPH5870 Ordering number : ENA1161 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5870 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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CPH5870
ENA1161
A1161-5/5
2a11612
2S200
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PDF
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CPH6429
Abstract: No abstract text available
Text: CPH6429 Ordering number : ENN8081 CPH6429 N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions
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Original
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CPH6429
ENN8081
1200mm2
CPH6429
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PDF
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: CPH6429 CPH6429 Ordering number : ENN8081 N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Drain-to-Source Voltage
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Original
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CPH6429
ENN8081
1200mm2â
CPH6429/D
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