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VEC2609 Abstract: No abstract text available Text: VEC2609 注文コード No. N A 0 1 0 3 三洋半導体データシート N VEC2609 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・インバータ用途に最適。・低オン抵抗の N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した	Original	VEC2609 900mm2 700mA 700mA, 400mA, 900mm2 IT03302 VEC2609	PDF
MCH3319 Abstract: VEC2305 Text: VEC2305 Ordering number : ENN7718 VEC2305 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • • • For load switches, DC / DC converters. 1.8V drive. Composite type with 2 P-Channel MOSFETs MCH3319 contained in a singlepackage, facilitaing high-density	Original	VEC2305 ENN7718 MCH3319) 900mm2 MCH3319 VEC2305	PDF
VEC2609 Abstract: INVERTER BOARD SANYO Text: VEC2609 Ordering number : ENA0103 VEC2609 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • The best suited for inverter applications. The VEC2609 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance,	Original	VEC2609 ENA0103 VEC2609 A0103-6/6 INVERTER BOARD SANYO	PDF
MCH3319 Abstract: VEC2305 IT06899 Text: VEC2305 注文コード No. N 7 7 1 8 三洋半導体データシート N VEC2305 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・ロードスイッチDC / DC コンバータ用。・1.8V 駆動。	Original	VEC2305 MCH3319) 900mm2 IT06901 --10A 900mm2 IT06903 MCH3319 VEC2305 IT06899	PDF