A0780
Abstract: MCH3307 MCH5836 SS10015M a07801
Text: MCH5836 注文コード No. N A 0 7 8 0 A 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0780 をさしかえてください。 MCH5836 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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MCH5836
NA0780
MCH3307)
SS10015M)
900mm2
41807PE
TC-00000614
A0780-1/6
A0780
MCH3307
MCH5836
SS10015M
a07801
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MCH3307
Abstract: MCH5836 SS10015M
Text: MCH5836 Ordering number : ENA0780 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5836 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an P-channel silicon MOSFET MCH3307 and a schottky barrier diode (SS10015M)
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Original
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MCH5836
ENA0780
MCH3307)
SS10015M)
A0780-6/6
MCH3307
MCH5836
SS10015M
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SS1001
Abstract: MCH5837 mosfet yb SS10015M TA72
Text: MCH5837 Ordering number : ENA0781 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5837 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode SS10015M
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Original
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PDF
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MCH5837
ENA0781
SS10015M)
A0781-6/6
SS1001
MCH5837
mosfet yb
SS10015M
TA72
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: CPH5848 Ordering number : EN8690 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5848 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Applications • DC / DC converters. Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3306 and a Schottky Barrier Diode (SS10015M)
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Original
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EN8690
CPH5848
MCH3306)
SS10015M)
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SBS808M
Abstract: No abstract text available
Text: SBS808M 注文コード No. N 8 3 5 0 三洋半導体データシート N SBS808M ショットキバリアダイオード 15V1A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。
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Original
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PDF
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SBS808M
15V1A
100mA,
600mm2
62005SB
TB-00001442
IT07150
IT07152
SBS808M
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a0670-1
Abstract: CPH5855
Text: CPH5855 Ordering number : ENA0670 CPH5855 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • DC / DC converters. Features • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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PDF
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CPH5855
ENA0670
A0670-6/6
a0670-1
CPH5855
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SS10015M Ordering number : ENN7979 Schottky Barrier Diode SS10015M 15V, 1A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • Low forward voltage (IF=0.3A, VF max=0.32V) (IF=0.5A, VF max=0.35V).
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Original
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PDF
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SS10015M
ENN7979
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86886
Abstract: diode sy 710 mch5846 CPH5846 MCH3309 SS10015M ss-1001
Text: CPH5846 Ordering number : EN8688 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5846 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3309 and a Schottky Barrier Diode (SS10015M)
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Original
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PDF
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CPH5846
EN8688
MCH3309)
SS10015M)
86886
diode sy 710
mch5846
CPH5846
MCH3309
SS10015M
ss-1001
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SS10015M
Abstract: 138SF 15VIO sanyo SS10015M
Text: SS10015M 注文コード No. N 7 9 7 9 三洋半導体データシート N ショットキバリアダイオード SS10015M 15V1A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。
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Original
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PDF
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SS10015M
15V1A
100mA,
600mm2
53104SB
TA-101012
IT07150
IT07152
IT07153
SS10015M
138SF
15VIO
sanyo SS10015M
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D1004
Abstract: MCH3405 MCH5811 SS10015M 40V 60A MOSFET SS1001
Text: MCH5811 注文コード No. N 8 0 5 9 三洋半導体データシート N MCH5811 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3405 とショットキバリアダイオード
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Original
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PDF
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MCH5811
MCH3405)
SS10015M
900mm2
D1004
TB-00000604
IT07150
IT07152
MCH3405
MCH5811
40V 60A MOSFET
SS1001
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A0670
Abstract: a0670-1 CPH5855
Text: CPH5855 注文コード No. N A 0 6 7 0 三洋半導体データシート N CPH5855 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
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Original
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PDF
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CPH5855
600mm2
13107PE
TC-00000401
A0670-1/6
IT07152
IT07153
ID00338
A0670
a0670-1
CPH5855
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A0849
Abstract: SS10015M VEC2820
Text: VEC2820 注文コード No. N A 0 8 4 9 三洋半導体データシート N VEC2820 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオード SS10015M を 1 パッケージに内蔵した複
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Original
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PDF
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VEC2820
SS10015M)
900mm2
60607PE
TC-00000736
A0849-1/6
IT07152
IT07153
A0849
SS10015M
VEC2820
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MCH5846
Abstract: SS10015M CPH5846 MCH3309
Text: CPH5846 注文コード No. N 8 6 8 8 三洋半導体データシート N CPH5846 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード(SS10015M)を 1 パッケージに
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Original
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PDF
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CPH5846
MCH3309)
SS10015M)
900mm2
N0106PE
TC-00000270
IT07150
IT07152
MCH5846
SS10015M
CPH5846
MCH3309
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D1004
Abstract: MCH3405 MCH5811 SS10015M
Text: MCH5811 Ordering number : ENN8059 MCH5811 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET MCH3405 and a schottky barrier diode (SS10015M)
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Original
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PDF
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MCH5811
ENN8059
MCH3405)
SS10015M)
D1004
MCH3405
MCH5811
SS10015M
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SS1001
Abstract: ENA0781A MCH5837 SS10015M
Text: MCH5837 Ordering number : ENA0781A SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5837 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode SS10015M
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Original
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PDF
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MCH5837
ENA0781A
SS10015M)
A0781-6/6
SS1001
ENA0781A
MCH5837
SS10015M
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SS1001
Abstract: MCH3307 MCH5836 SS10015M
Text: MCH5836 Ordering number : ENA0780A SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5836 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an P-channel silicon MOSFET MCH3307 and a schottky barrier diode (SS10015M)
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Original
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PDF
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MCH5836
ENA0780A
MCH3307)
SS10015M)
PW10s,
A0780-6/6
SS1001
MCH3307
MCH5836
SS10015M
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ss1001
Abstract: MCH3445 MCH5812 SS10015M
Text: MCH5812 Ordering number : ENN7998 MCH5812 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET MCH3445 and a schottky barrier diode (SS10015M)
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Original
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PDF
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MCH5812
ENN7998
MCH3445)
SS10015M)
ss1001
MCH3445
MCH5812
SS10015M
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yb 27 BR MOSFET
Abstract: MCH5837 SS10015M SS1001 A0781
Text: MCH5837 注文コード No. N A 0 7 8 1 A 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0781 をさしかえてください。 MCH5837 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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PDF
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MCH5837
NA0781
SS10015M)
900mm2
41807PE
TC-00000616
A0781-1/6
IT07150
yb 27 BR MOSFET
MCH5837
SS10015M
SS1001
A0781
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SS10015M
Abstract: VEC2820
Text: VEC2820 Ordering number : ENA0849 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2820 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode SS10015M contained in one
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Original
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PDF
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VEC2820
ENA0849
SS10015M)
A0849-6/6
SS10015M
VEC2820
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MCH3339
Abstract: MCH5823 SS10015M
Text: MCH5823 注文コード No. N 7 7 5 7 三洋半導体データシート N MCH5823 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3339 とショットキバリアダイオード(SS10015M)を 1 パッケージに
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Original
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PDF
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MCH5823
MCH3339)
SS10015M)
900mm2
D2004PE
TB-00001070
IT07151
MCH3339
MCH5823
SS10015M
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MCH3445
Abstract: MCH5812 SS10015M
Text: MCH5812 注文コード No. N 7 9 9 8 三洋半導体データシート N MCH5812 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3445 とショットキバリアダイオード
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Original
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PDF
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MCH5812
MCH3445)
SS10015M
900mm2
D2004PE
TB-00001089
IT07150
IT07152
MCH3445
MCH5812
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MCH3339
Abstract: MCH5823 SS10015M
Text: MCH5823 Ordering number : ENN7757 MCH5823 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with a P-Channel Silicon MOSFET MCH3339 and a Schottky Barrier Diode (SS10015M)
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Original
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PDF
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MCH5823
ENN7757
MCH3339)
SS10015M)
MCH3339
MCH5823
SS10015M
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