2SJ634
Abstract: No abstract text available
Text: 2SJ634 Ordering number : ENN8276 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ634 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. DC / DC Converter. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
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Original
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2SJ634
ENN8276
2SJ634
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PDF
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2SJ635
Abstract: 82774
Text: 2SJ635 注文コード No. N 8 2 7 7 三洋半導体データシート N 2SJ635 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。
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Original
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2SJ635
IT09433
IT09434
IT09742
IT09435
2SJ635
82774
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PDF
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2SJ634
Abstract: No abstract text available
Text: 2SJ634 注文コード No. N 8 2 7 6 三洋半導体データシート N 2SJ634 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。
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Original
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2SJ634
IT09422
IT09423
IT09742
IT09424
2SJ634
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PDF
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7518
Abstract: 2SJ635
Text: 2SJ635 Ordering number : ENN8277 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ635 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. DC / DC Converter. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
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Original
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2SJ635
ENN8277
7518
2SJ635
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PDF
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