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    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    77191

    Abstract: SS05015SH
    Text: SS05015SH 注文コード No. N 7 7 1 9 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N7719 とさしかえてください。 SS05015SH ショットキバリアダイオード 15V, 0.5A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。


    Original
    PDF SS05015SH N7719 100mA, 900mm2 62797GI TB-00001125 IT07927 IT08178 IT06807 77191 SS05015SH

    SS05015SH

    Abstract: No abstract text available
    Text: SS05015SH Ordering number : ENN7719A SS05015SH Schottky Barrier Diode 15V, 0.5A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • Low forward voltage (IF=0.3A, VF max=0.4V) (IF=0.5A, VF max=0.45V).


    Original
    PDF SS05015SH ENN7719A SS05015SH

    SCH2822

    Abstract: No abstract text available
    Text: SCH2822 注文コード No. N A 0 6 6 8 三洋半導体データシート N SCH2822 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した


    Original
    PDF SCH2822 900mm2 22807PE TC-00000508 A0668-1/6 IT07927 IT08178 IT06807 SCH2822

    SCH2830

    Abstract: A08615 IT12618
    Text: SCH2830 注文コード No. N A 0 8 6 1 三洋半導体データシート N SCH2830 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した


    Original
    PDF SCH2830 900mm2 72mm2 62707PE TC-00000761 A0861-1/6 IT10260 SCH2830 A08615 IT12618

    SCH2830

    Abstract: No abstract text available
    Text: SCH2830 Ordering number : ENA0861 SANYO Semiconductors DATA SHEET SCH2830 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a P-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package


    Original
    PDF SCH2830 ENA0861 A0861-6/6 SCH2830

    SCH2822

    Abstract: marking qx
    Text: SCH2822 Ordering number : ENA0668 SANYO Semiconductors DATA SHEET SCH2822 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a P-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package


    Original
    PDF SCH2822 ENA0668 A0668-6/6 SCH2822 marking qx