MIKROELEKTRONIK A 202 Search Results

MIKROELEKTRONIK A 202 Result Highlights (5)

Part	Manufacturer	Description
74AC11086D	Texas Instruments	Quadruple 2-Input Exclusive-OR Gates 16-SOIC -40 to 85
74AC11244DW	Texas Instruments	Octal Buffers/Drivers 24-SOIC -40 to 85
74AC11245DW	Texas Instruments	Octal Bus Transceivers 24-SOIC -40 to 85
74AC16244DGGR	Texas Instruments	16-Bit Buffers And Line Drivers With 3-State Outputs 48-TSSOP -40 to 85
74ACT11000DR	Texas Instruments	Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates 16-SOIC -40 to 85

MIKROELEKTRONIK A 202 Datasheets Context Search

Catalog Datasheet	MFG & Type	Document Tags	PDF
ferritkerne Abstract: No abstract text available Text: Armin Schweiger Ringkerne: Druckabhängigkeit der Permeabilität Häufig werden Ferritkerne bei der Weiterverarbeitung mechanischer Beanspruchung ausgesetzt. Wie sich die Permeabilität von Ferritkernen – speziell von Ringkernen – bei Druck verhält, hat Siemens Matsushita	Original		PDF
CS81 Abstract: DS06-20206-1E 3813K 0.18-um CMOS standard cell library inverter Text: FUJITSU SEMICONDUCTOR DATA SHEET DS06-20206-1E Semicustom CMOS Standard cell array CS81 Series • DESCRIPTION The CS81 series of 0.18 µm CMOS standard cell arrays is a line of highly integrated CMOS ASICs featuring high speed and low power consumption at the same time.	Original	DS06-20206-1E CS81 DS06-20206-1E 3813K 0.18-um CMOS standard cell library inverter	PDF
DS06-20206-1E Abstract: xl 1225 transistor CS81 0.18-um CMOS standard cell library inverter Text: To Top / Lineup / Index FUJITSU SEMICONDUCTOR DATA SHEET DS06-20206-1E Semicustom CMOS Standard cell array CS81 Series • DESCRIPTION The CS81 series of 0.18 µm CMOS standard cell arrays is a line of highly integrated CMOS ASICs featuring high speed and low power consumption at the same time.	Original	DS06-20206-1E DS06-20206-1E xl 1225 transistor CS81 0.18-um CMOS standard cell library inverter	PDF
tube 5670 Abstract: NISSEI TRANSISTOR c 5578 B a1231 D-82024 ericsson 20147 d 1780 data book electronique HATTELAND MMD Components Text: 23-013M Januar 1996 HITACHI EUROPE ELECTRONIC COMPONENTS GROUP European Sales Locations HITACHI EUROPE ELECTRONIC COMPONENTS GROUP PRODUCT RANGE 4-, 8-, 16-Bit Microcomputers Microprocessor - Peripherals 32-Bit Microprocessors Smart Card ICs Display Controller/Driver	Original	23-013M 16-Bit 32-Bit tube 5670 NISSEI TRANSISTOR c 5578 B a1231 D-82024 ericsson 20147 d 1780 data book electronique HATTELAND MMD Components	PDF
information applikation mikroelektronik Abstract: information applikation C520D mikroelektronik Heft mikroelektronik Heft 12 VQB71 Mikroelektronik Information Applikation VQE23 applikation heft Applikation Information Text: m O N in s ie la t K Information Applikation t a n a r il* INFORMATION APPLIKATION MIKROELEKTRONIK Heft 14: C 520 D 3-Digit-Analog/Digital-Wandler <?> veb H alb le ite rw e rk franlcfurt o d e r lejtb etrieb im veb kombinat mikroelektronik K A M M E R DER T E C H N I K	OCR Scan		PDF
a210k Abstract: Mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft 12 A211D A209K VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR IC A211D Text: INFORMATION APPLIKATIO N MIKROELEKTRONIK In fo r m a tio n - Applikation Die monolithisch integrierten N F-V erstärker A 210D A210K A211D Eigenschaften und ! Anwendung Mikroelektronik Heft 1 veb haîbîeîterwerk frankfurt/oder l e i t b e t r i e b im v e b k o m b i n a t m ik r o e le k t r o n ik	OCR Scan	A210K A211D Mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft 12 A211D A209K VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR IC A211D	PDF
information applikation mikroelektronik Abstract: mikroelektronik applikation applikation heft mikroelektronik DDR "halbleiterwerk frankfurt" VEB mikroelektronik A211D Mikroelektronik Information Applikation "Mikroelektronik" Heft valvo transistoren Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATION KBD FT Inform ation-Applikation Aufbau, Eigenschaften und Anwendung des integrierten Aufnahmeund W iedergabeverstärkerSchaltkreises A 202 D M ikroelektronik Heft 4 veb Halbleiterwerk frankfurt/oder le itb e trie b im veb kom binat m ikroelektronik	OCR Scan		PDF
A210K Abstract: mikroelektronik applikation information applikation mikroelektronik INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATION VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation valvo halbleiter mikroelektronik Heft 12 tca730 "halbleiterwerk frankfurt" Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATION r INTEGRIERTE LAUTSTÄRKE/BALANCE UND BASS/DISKANTEINSTELL-SCHALTKREISE Illlll Inform ation-A pplikation G leichspannungsgesteuerte NF - S tereo -Einsteilschalt kreise A 2 7 3 D und A 2 7 4 D M ikroelektronik Heft 7	OCR Scan		PDF
SSY20 Abstract: SF828 VEB mikroelektronik funkamateur BUX 127 SF126 SF 127 SF128 SF826 SF 829 B Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation DDR-SiliziumTransistoren Typenübersicht Si-Transistoren des VEB Kombinat Mikroelektronik Grenzdaten Zonen Vorzugs anwendungen2 folge P,o, [mW, W ] Typ1 Kenndaten UcBO U ceO T • T * 1C , ACsat [V] [V] [mA, (A)] fiT3	OCR Scan		PDF
VEB mikroelektronik Abstract: Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft Text: m B Ik i^ ts je le l-c te n o r iil-c information Applikation m l^ o e le l-c fe n a riil-c Information Applikation H EFT 17 LEISTUNGSELEKTRONIK 4 Die sicheren A rbeitsbereiche Leistungsschalttransistoren VEB MIKROELEKTRONIK „VARLIIE8KNECHT“57AHNSDORP	OCR Scan	57AHNSDORP VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft	PDF
RPY 86 Abstract: valvo halbleiter RPY94 CQY 24 BV EI 30-20 3001 LDR 03 diode byx 64 600 valvo transistoren KP101A BAV99-1 Text: Elektronik. Wir bauen die Elemente. v a i v D Halbleiterbauelemente Produktprogramm DH, April 1984 Elektronik. Wir bauen die Elemente Unser Arbeitsgebiet - besonders die Mikroelektronik - entwickelt sich immer rascher zum Motor für eine Vielzahl von Innovationen. Mit gründ	OCR Scan		PDF
A225D Abstract: A 225D applikation heft information applikation mikroelektronik meuselwitz VEB mikroelektronik Piezofilter DDR FM -piezofilter VEB Kombinat zf filter "halbleiterwerk frankfurt" Text: Inform ation Applikation K * D FTDDlknroeBlBl^lanariil^. Inform ation Applikation HEFT 24 ; A 225 D FM -ZF-VERSTÄRKER FT-1 VEBHalbleTterwerfeFfanWurt TOctert U E c im VEB Kombinat Mikroelektronik KSDj KAMM ER DER TECHNIK I Ißegirksvörstandfiankfurt/O. .Autor : Di.pl .-Ing*	OCR Scan	19S4- A225D A 225D applikation heft information applikation mikroelektronik meuselwitz VEB mikroelektronik Piezofilter DDR FM -piezofilter VEB Kombinat zf filter "halbleiterwerk frankfurt"	PDF
b342d Abstract: information applikation applikation heft mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik Transistoren DDR VEB mikroelektronik "information applikation" mikroelektronik Heft 10 ITT transistoren Text: m n t k if ^ s j e le lK t e n a r iH - c g\|B Information Applikation in n f B = a n iis ö lH W b n a n lK Information Applikation Heft: 28 Transistorarrays Iweb Halbleiterwerk frankfurt/oder \| betrieb im veto kombinet mikroelektronik KAMMER DER TECHNIK Bezirksvorstand Frankfurt/O.	OCR Scan		PDF
VEB mikroelektronik Abstract: MQE10 DL8640DC C41dc 4580d DS2510DC VEB Kombinat analoge schaltkreise VEB M ik ro e le k tro n ik c520d Text: Neuheiten Weiterentwicklungen 1989 veb kombinat mikroelektronik Inhaltsverzeichnis Analoge Schaltkreise für die Konsumgüterelektronik H e rs te lle A 4555 D M u lti s t a n d a r d d e k o d e r f ü r P A L , SE C A M u n d N T S C 3 A 4565 D S ig n a l v e r s t e i l e r u n g s - u n d V e r z ö g e r u n g s s c h a ltu n g	OCR Scan		PDF

mikroelektronik ddr Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik vqb 71 A910D VQB71 "halbleiterwerk frankfurt" diode sy-170 VQB 37 u112d Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn daten der in der DDR gefertigten Halbleiterbauelem ente. Dem Anwender soll durch diese Übersicht die Auswahl der jeweils in Frage kommenden	OCR Scan		PDF
mikroelektronik Heft 12 Abstract: SY 185 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 B260D information applikation keramische Werke Hermsdorf mikroelektronik Heft 10 VEB mikroelektronik information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Text: li ii iff li i l •> ■! l l ■! *i n lil i KBD Information Applikation ANSTEUER SCHALTKREIS FÜR SCHALTNETZTEILE UND GLEICH SPANNUNGSWANDLER — R«ge verstarkm B 260 Informations- und Applikationshefte „M IK R O E LE K TR O N IK " Bisher erschienen:	OCR Scan		PDF
TCA 785 application note Abstract: SAF 1093 H669 TCA 785 halbleiterwerk 82C257 a19100 phase control ic 7400 family SDA 2086 Text: Hinweise für Ihre LiteraturBestellung How to order Literature Folgende Hinweise gelten nur für Bestellungen innerhalb Deutschlands. The following only applies to orders placed in Germany Richten Sie bitte Ihre Bestellung an Send your order to Siemens AG	OCR Scan	unve00 B115-H6793-X-X-7600 B115-H6844-X-X-7600 B115-H6881 -X-X-7600 2258A/82C258A, 82C257, 82C258A B158-B6305-X-X-7600 B115-H6877-X-X-7600 TCA 785 application note SAF 1093 H669 TCA 785 halbleiterwerk 82C257 a19100 phase control ic 7400 family SDA 2086	PDF
Halbleiterbauelemente DDR Abstract: information applikation Transistoren DDR information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik Kombinat VEB A 281 "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik DDR Text: ErïrûDEko^^elel-cbnanikc Information Applikation BAUELEMENTE DER I LEISTUNGSELEKTRONIK 3 Autor: Ing. Lutz Ehrhardt, Stahnsdorf Redaktion und Layout: Ing. Lutz Ehrhardt Heinz Schulz Umschlag: Peter Hoffmann RedaktionsKommission: Heinz Schulz, Vorsitzender	OCR Scan		PDF
information applikation Abstract: Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation mikroelektronik 40098 Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 mikroelektronik applikation MIKROELEKTRONIK Frankfurt applikation heft 40511 Text: in j^ D lk ^ im iB lB l- c t e n n r iil- c KaD Information Applikation CMOSLOGIKSCHALTKREISE i - : d o l - i t s n a n i l - c Information Applikation • Heft 12: CMOS-Logilc-IS ^ K»D T veb halbleiterwerkfrankfurt oder ' VEB ZENTRUM FÜR FO R SC H U N G	OCR Scan		PDF
Halbleiterbauelemente DDR Abstract: information applikation mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik applikation heft VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft Text: r ï n i k a r ^ e l e l - c Information Applikation t e n a n î l - c m [ n r L ü ^ i s i î s t e k t e n a r i i k Information Applikation HEFT 3 4 : H A LBLEITER V EN TILE und LEISTU N GSELEKTRO N IK v»bmikrooloVtronîk.kartItebknefchtiBtfthnnddtf imvobNombinfttmitiroeloktronik	OCR Scan		PDF
granat 216 Abstract: RFT HiFi RFT SD 3935 RFT SV 3930 RFT KR 650 KR 660 rk 88 HMK-V 100 STRALSUND RFT SKR 501 granat 227 Text: SERVICE-MITTEILUNGEN vee I N D U S T R I E V E R T R I E B RUNDFUNK UNO FERNSEHEN Iradio - television \| Ausgabe 1987 Belte •■ 7 1 - 4 P a u s c h a l a a t z l l a t « für Garantiereparaturen Stands Dezember 1987 04 » Stern-Radio Sonneberg 01 = PSGW Staßfurt a/w	OCR Scan	1100-S 4000-2/41C granat 216 RFT HiFi RFT SD 3935 RFT SV 3930 RFT KR 650 KR 660 rk 88 HMK-V 100 STRALSUND RFT SKR 501 granat 227	PDF
A109d Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR a211d B109D "halbleiterwerk frankfurt" VEB Kombinat zf filter VEB Kombinat halbleiterwerk Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors 1981 D ie vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn daten der in der D D R gefertigten H albleiterbauelem ente. Dem Anw ender soll durch diese Übersicht die Auswahl d er jew eils in Frage kommenden	OCR Scan		PDF
Halbleiterbauelemente DDR Abstract: VEB mikroelektronik aktive elektronische bauelemente ddr information applikation information applikation mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik DDR SMY50 mikroelektronik applikation "Mikroelektronik" Heft Text: Information Applikation Fïn]o i=3rn(s]eiel-ctenoriil-c Information Applikation H E F T 56 : Verhalten von Elektronischen Baueleaenten bei E S D (Electrostatic discharge -Physikalische Grundlagen-Wi^kungen-Maßnahmen zum Schutz vor ESD- veb halbJoiterwork fronkfurt /oderb e t r ie b im v e b k o m b in a t m ik r o o t a k t r o m k	OCR Scan		PDF
information applikation Abstract: Mikroelektronik Information Applikation B305D B304D eft 317 transistor information applikation mikroelektronik B303D Kombinat VEB A 301 A301D "information applikation" Text: LnnJÖD=^Jj i ^ j s l E k t j P D n i k Information Applikation B 303 D B 304 D B 305 D B 306 D m ölkr^elel-ctsnariik Information Applikation Heft: 23 INITIATOREN-IS B303D- B 304D B 305D *B 306D VEB. Halbleiterwerk FrankfurtïOder im VEB Kom binat Mikroelektronik,	OCR Scan		PDF

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