MJ2955- Search Results
MJ2955- Price and Stock
onsemi MJ2955GTRANS PNP 60V 15A TO204 |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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MJ2955G | Tray | 116 | 1 |
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MJ2955G | 100 | 10 Weeks | 100 |
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MJ2955G | Bulk | 9 Weeks, 1 Days | 1 |
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MJ2955G | Bulk | 99 | 1 |
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MJ2955G | 310 |
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MJ2955G | 155 |
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MJ2955G | 11 Weeks | 100 |
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MJ2955G | 200 | 12 Weeks | 100 |
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MJ2955G | 7,600 |
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MJ2955G | 155 |
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MJ2955G | 200 | 1 |
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EVVO Semiconductor MJ2955TRANS PNP 60V 15A TO3 |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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MJ2955 | Tray | 1 |
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STMicroelectronics MJ2955TRANS PNP 60V 15A TO3 |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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MJ2955 | Tray |
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MJ2955 | 12 |
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MJ2955 | 180 |
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Central Semiconductor Corp MJ2955-PBFREETRANS PNP 70V 15A TO3 |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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MJ2955-PBFREE | Bulk |
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Aptina Imaging MJ2955GTrans GP BJT PNP 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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MJ2955G | 150 | 20 |
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MJ2955- Datasheets (43)
Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Curated | Datasheet Type | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJ2955 |
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15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS 115 WATTS - Pol=PNP / Pkg=TO3 / Vceo=60 / Ic=15 / Hfe=20-70 / fT(Hz)=2.5M / Pwr(W)=115 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJ2955 |
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Complementary Silicon Power Transistors | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJ2955 |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically Sealed TO3 Metal Package - Pol=PNP / Pkg=TO3 / Vceo=60 / Ic=15 / Hfe=20-70 / fT(Hz)=2.5M / Pwr(W)=115 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJ2955 |
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Complementary power transistors | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJ2955 |
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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS - Pol=PNP / Pkg=TO3 / Vceo=60 / Ic=15 / Hfe=20-70 / fT(Hz)=2.5M / Pwr(W)=115 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJ2955 | USHA | PNP High power transistor. Designed for general-purpose switching and amplifier application. Vceo = 60Vdc, Vcer = 70Vdc, Vcb = 100Vdc Ic = 15Adc, PD = 115W. - Pol=PNP / Pkg=TO3 / Vceo=60 / Ic=15 / Hfe=20-70 / fT(Hz)=2.5M / Pwr(W)=115 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJ2955 | USHA | Silicon power transistor. General purpose switching and amplifier applications. Vceo = 60Vdc, Vcer = 70Vdc, Vcb = 100Vdc, Veb = 7Vdc, Ic = 15Adc, Ib = 7Adc. - Pol=PNP / Pkg=TO3 / Vceo=60 / Ic=15 / Hfe=20-70 / fT(Hz)=2.5M / Pwr(W)=115 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJ2955 | Various Russian Datasheets | Transistor | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJ2955 |
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PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER) - Pol=PNP / Pkg=TO3 / Vceo=60 / Ic=15 / Hfe=20-70 / fT(Hz)=2.5M / Pwr(W)=115 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJ2955 | Boca Semiconductor | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS - Pol=PNP / Pkg=TO3 / Vceo=60 / Ic=15 / Hfe=20-70 / fT(Hz)=2.5M / Pwr(W)=115 | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJ2955 |
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Leaded Power Transistor General Purpose, TO-3 | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJ2955 | Continental Device India | TO-3 Power Package Transistors | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJ2955 | Continental Device India | Semiconductor Device Data Book 1996 | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJ2955 | Crimson Semiconductor | EPITAXIAL BASE Transistor | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJ2955 |
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Transistor Short Form Data | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJ2955 |
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Silicon Transistors / TO-63 Transistors | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJ2955 |
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Full Line Condensed Catalogue 1977 | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJ2955 |
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Silicon P-N-P epitaxial-base high-power transistor. -100V, 150W. - Pol=PNP / Pkg=TO3 / Vceo=60 / Ic=15 / Hfe=20-70 / fT(Hz)=2.5M / Pwr(W)=115 | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJ2955 | Mospec | Complementary Silicon Power Transistor | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJ2955 | Mospec | POWER TRANSISTORS(15A,50V,115W) - Pol=PNP / Pkg=TO3 / Vceo=60 / Ic=15 / Hfe=20-70 / fT(Hz)=2.5M / Pwr(W)=115 | Scan |