GETY6090
Abstract: SFH400
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 460 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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opto 7800
Abstract: E7800 GET06625 Q62702-Q1745 current sensor 7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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OHR01461
GET06625
opto 7800
E7800
GET06625
Q62702-Q1745
current sensor 7800
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GET06090
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 460 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse
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Original
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OHR01888
GET06090
GET06090
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E7800
Abstract: GET06625 Q62702-Q1745 sfh4641
Text: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 SFH 464 1 0.9 .1 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 fet06625 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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GET06625
fet06625
OHR01461
OHR01457
E7800
GET06625
Q62702-Q1745
sfh4641
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BPX osram
Abstract: E7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Sehr hoher Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-16 GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm GaAlAs-Lumineszensdiode (660 nm) Version 1.1 SFH 464 E7800 Features: Besondere Merkmale: • Radiation without IR in the visible red range • Cathode is electrically connected to the case • • • • • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil
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Original
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E7800
D-93055
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7800 opto
Abstract: opto 7800 BPX osram E7800 GETY6625 Q62702-Q1745
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden
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Original
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E7800
Q62702Q1745
103ou
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2008-08-11 GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm GaAlAs-Lumineszensdiode (660 nm) Version 1.0 SFH 464 E7800 Features: Besondere Merkmale: • Radiation without IR in the visible red range • Cathode is electrically connected to the case • • • • • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil
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Original
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E7800
D-93055
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Q62702P1745
Abstract: E7800 GETY6625 OHLY0598
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 460 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse
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Original
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OHR01888
GETY6090
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E7800
Abstract: GETY6625 OHLY0598
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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GETY6625
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden
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Original
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E7800
Q62702Q1745
103ou
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GET06090
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 460 Preliminary Data 2.7 ø4.8 ø4.6 5.3 5.0 7.4 6.6 1 0.9 .1 ø5.6 ø5.3 glass lens GET06090 fet06090 14.5 12.5 1.1 .9 0 Cathode Chip position 2.54mm spacing ø0.45 Wesentliche Merkmale ● Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne
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Original
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GET06090
fet06090
OHR01869
OHR01870
OHR01462
OHR01871
OHR01888
GET06090
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