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    OHRD1938

    Abstract: Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,


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    transistor 415

    Abstract: OHRD1938 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,


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    GEOY6645 GEXY6630 transistor 415 OHRD1938 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296 PDF

    GEO06645

    Abstract: GEX06630 OHRD1938 Q62702-P1136 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 Cathode 29 27 7.8 7.5 5.9 5.5 4.8 4.2 Area not flat fexf6626 0.4 0.6 ø4.8 ø5.1 0.4 0.8 spacing 2.54 mm 1.8 1.2 9.0 8.2 0.6 0.4 GEO06645 Chip position Area not flat 29.5 27.5 Cathode Diode


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    fexf6626 GEO06645 fex06630 GEX06630 OHR01553 OHR00860 GEO06645 GEX06630 OHRD1938 Q62702-P1136 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296 PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,


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    415-U 416-R Q62702-P296 Q62702-P1137 Q62702-P1139 PDF

    transistor 415

    Abstract: GEO06645 GEX06630 OHRD1938 Q62702-P1136 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296 transistor sr 61
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 Cathode 29 27 7.8 7.5 5.9 5.5 4.8 4.2 Area not flat 0.6 0.4 fexf6626 0.4 0.6 ø4.8 ø5.1 0.4 0.8 spacing 2.54mm 1.8 1.2 9.0 8.2 GEO06645 Chip position Approx. weight 0.2 g 5.9 5.5 0.6 0.4 4.0


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    fexf6626 GEO06645 GEX06630 fex06630 OHR01553 OHR00860 transistor 415 GEO06645 GEX06630 OHRD1938 Q62702-P1136 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296 transistor sr 61 PDF

    transistor 415

    Abstract: MARKING 416 OPTO OHRD1938 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296 SFH 960
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,


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    stea01-01 GEO06645 GEX06630 transistor 415 MARKING 416 OPTO OHRD1938 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296 SFH 960 PDF