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osram ir ld 274 Abstract: No abstract text available Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484	Original	Q62703Q1031 Q62703Q1819 Q62703Q1820 osram ir ld 274	PDF
GEXY6051 Abstract: OHRD1938 Q62703-Q1031 Q62703-Q1820 Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 • • • • Anwendungen	Original		PDF
osram ir ld 274 Abstract: GEX06051 OHRD1938 800 274 0 Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484	Original		PDF
GEX06260 Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 OHR01882 transistor SR 51 Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 1.8 1.2 29 27 Cathode Diode Collector (Transistor) 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fex06260 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.5 g	Original	GEX06260 fex06260 OHR01041 OHR01882 OHR00860 GEX06260 Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 OHR01882 transistor SR 51	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: Opto Semiconductors GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4 5.7 5.1 29 27 Chip position Cathode Diode Collector (Transistor) fex06260 1.8 1.2 GEX06260	Original	fex06260 GEX06260 OHR01041 OHR01882 OHR00860	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 Features • Very highly efficient GaAs-LED	Original	GEXY6051	PDF
osram ir ld 274 Abstract: GEX06051 OHRD1938 Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484	Original		PDF
GEX06260 Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 1.8 1.2 29 27 Cathode Diode Collector (Transistor) 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fex06260 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.5 g	Original	GEX06260 fex06260 OHR01041 OHR01882 OHR00860 GEX06260 Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820	PDF
GEX06051 Abstract: OHRD1938 Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 • • • • Anwendungen	Original	OHR01882 GEX06051 GEX06051 OHRD1938 Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: 2011-03-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 274 Features: • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED High reliability Spectral match with silicon photodetectors Same package as SFH 484 • • • • Applications	Original	D-93055	PDF
GEX06048 Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 LD274 Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 Features • Very highly efficient GaAs-LED	Original	OHR01882 GEX06048 GEX06048 Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 LD274	PDF