Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 487 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an
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Original
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osram sfh 309
Abstract: No abstract text available
Text: 2009-09-30 GaAlAs Infrared Emitter 880 nm GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 487 Features: • • • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED High reliability UL version available High pulse handling capability
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Original
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D-93055
osram sfh 309
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 487 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an
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Original
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GEX06250
Abstract: SFH 409 SFH 487 Q62703-Q1095 Q62703-Q2174
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Area not flat 0.7 0.4 5.2 4.5 4.1 3.9 4.0 3.6 ø3.1 ø2.9 0.8 0.4 1.8 1.2 29 6.3 5.9 27 Cathode (SFH 409) Anode (SFH 487) 0.6 0.4 (3.5) Chip position GEX06250 fex06250 2.54 mm spacing
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Original
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880nm)
GEX06250
fex06250
OHR00881
OHR00880
OHR00886
OHR00949
GEX06250
SFH 409 SFH 487
Q62703-Q1095
Q62703-Q2174
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SFH 200 optokoppler
Abstract: GEXY6250 Q62703-Q1095 Q62703-Q2174
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409
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Original
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Q62703-Q1095
Abstract: Q62703-Q2174 GEX06250
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409
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Original
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OHR01895
GEX06250
Q62703-Q1095
Q62703-Q2174
GEX06250
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409
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Original
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GEXY6250
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OPTOKOPPLER
Abstract: SFH 200 optokoppler GEXY6250 Q62703-Q1095 Q62703-Q2174
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409
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Original
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GEXY6250
OPTOKOPPLER
SFH 200 optokoppler
GEXY6250
Q62703-Q1095
Q62703-Q2174
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optokoppler
Abstract: GEXY6250 Q62703-Q1095 Q62703-Q2174 Q62703Q2174
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409
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Original
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GEXY6250
optokoppler
GEXY6250
Q62703-Q1095
Q62703-Q2174
Q62703Q2174
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GEMY6689
Abstract: No abstract text available
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 487 Wesentliche Merkmale Features • • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit UL Version erhältlich Hohe Impulsbelastbarkeit
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 487 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an
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sfh 487-2
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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880nm)
OHR01895
sfh 487-2
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