opto 7800
Abstract: E7800 GET06625 Q62702-Q1745 current sensor 7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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OHR01461
GET06625
opto 7800
E7800
GET06625
Q62702-Q1745
current sensor 7800
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opto 7800
Abstract: E7800 GET06625 7800 opto opto 7800 a
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse
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Original
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SFH4881b
OHR00948
GET06625
opto 7800
E7800
GET06625
7800 opto
opto 7800 a
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opto 7800
Abstract: E7800 Q62703-Q199 Q62703-Q3509 opto 7800 a
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse
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Original
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Photoin10
OHR01877
GET06625
opto 7800
E7800
Q62703-Q199
Q62703-Q3509
opto 7800 a
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Q62703-Q4752
Abstract: diode 482 diode SR 315 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1665 Q62703-Q1668 SFH480 Q62703Q1087
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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GEO06314
GET06091
GET06013
Q62703-Q4752
diode 482
diode SR 315
Q62703-Q1088
Q62703-Q1089
Q62703-Q1662
Q62703-Q1665
Q62703-Q1668
SFH480
Q62703Q1087
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EDEW-1LA5
Abstract: Edixeon EDEW LL60 EDERTB-1LC6 Edison EDERTB-1LC6 binning LL60ED-BO25L edew-1la
Text: LL60 60-in-1 Lens for Color Mixing Datasheet For Edixeon Multi-Color 60-in-1 and Single-Color LEDs Features: • High efficiency ■ Available in1 beam Patterns ■ Optimized for color mixing effects ■ Lens alone Typical applications : ■ Stage Lighting
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Original
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60-in-1
EDEW-1LA5
Edixeon EDEW
LL60
EDERTB-1LC6
Edison EDERTB-1LC6 binning
LL60ED-BO25L
edew-1la
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E7800
Abstract: GETY6625 OHLY0598
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden
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Original
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BPX osram
Abstract: E7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Sehr hoher Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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BPX osram
Abstract: E7800 GETY6625 Q62703-Q3509
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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BPX osram
Abstract: E7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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E7800
Q62703-Q4755
BPX osram
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lichtschranke
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 This data sheet is under PCN-revision (OS-PCN-2009-021-A2). Not to be used for design-in. PCN data sheet can be provided on request.
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Original
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E7800
OS-PCN-2009-021-A2)
lichtschranke
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E7800
Abstract: GETY6625 OHLY0598 measurement of humidity in das
Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
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Original
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E7800
E7800
GETY6625
OHLY0598
measurement of humidity in das
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SFH483ME7800
Abstract: SFH483-M sfh483m E7800 LME7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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E7800
E7800
Q62703Q4755
SFH483ME7800
SFH483-M
sfh483m
LME7800
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
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Original
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E7800
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: LED Display Product Data Sheet LTP-2C44F-01 Spec No.: DS-30-97-133 Effective Date: 10/27/2000 Revision: - LITE-ON DCC RELEASE BNS-OD-FC001/A4 LITE-ON Technology Corp. / Optoelectronics No.90,Chien 1 Road, Chung Ho, New Taipei City 23585, Taiwan, R.O.C. Tel: 886-2-2222-6181 Fax: 886-2-2221-1948 / 886-2-2221-0660
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Original
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LTP-2C44F-01
DS-30-97-133
BNS-OD-FC001/A4
854-inch
10-mm)
LTP-2C44F-01
1/16Duty
BNS-OD-C131/A4
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circuit diagram of moving message display using 8
Abstract: 2716A circuit diagram of moving message display using L moving message over dot matrix display moving message display circuit diagram moving message 80535 application note 74ls373 buffer ic 74LS373 PD2435
Text: Interfacing the PD243X Alphanumeric Programmable DisplayTM with the SAB80515/SAB80535 Microcontroller To Produce a Bidirectional, Speed Regulated Moving Message Display by Using the SAB80515/SAB80535's Timer 2 & 8-Bit Converter Appnote 49 This application note introduces the user to one of the features
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Original
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PD243X
SAB80515/SAB80535
1-888-Infineon
circuit diagram of moving message display using 8
2716A
circuit diagram of moving message display using L
moving message over dot matrix display
moving message display
circuit diagram moving message
80535 application note
74ls373 buffer ic
74LS373
PD2435
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-05-20 Infrared Emitter 850 nm IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.2 SFH 4850 E7800 Features: Besondere Merkmale: • Typical peak wavelength 860nm • Anode is electrically connected to the case • • • • • Typische Peakwellenlänge 860nm
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Original
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E7800
860nm
D-93055
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BPX osram
Abstract: E7800 242-E7800
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel • Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464,
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Original
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E7800
Abstract: GETY6625 OHLY0598
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel
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Original
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BPX osram
Abstract: E7800 GETY6625 Q62703Q015
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2013-03-14 Mini TOPLED Datasheet Version 1.0 LW MVSG Small size high-flux LED for slim designs Hocheffiziente, kompakte Lichtquelle für platzsparende Designs Features: Besondere Merkmale: • Package: white SMT package, colored diffused silicone resin • Technology: ThinGaN UX:3
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Original
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JS-001
D-93055
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Application Bulletin A-012, A Precision Waveform Generator and Voltage-Controlled Oscillator
Abstract: No abstract text available
Text: 68HC08M6 HC08M68HC 8M68HC08M MC68HC908RF2/D REV 1 MC68HC908RF2 Advance Information HCMOS Microcontroller Unit blank MC68HC908RF2 Advance Information Motorola reserves the right to make changes without further notice to any products herein. Motorola makes no warranty, representation or guarantee regarding the
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MC68HC908RF2/D
68HC08M6
HC08M68H
8M68HC08
MC68HC908RF2
MC68HC908RF2
KMC908RF2CFA
KMC908RF2MFA
MC68HC908RF2CFA
MC68HC908RF2MFA
Application Bulletin A-012, A Precision Waveform Generator and Voltage-Controlled Oscillator
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JFET TRANSISTOR REPLACEMENT GUIDE j201
Abstract: UA6538 DC motor speed control using 555 and ir sensor U2740B-FP UAA145 CQY80 U2840B tcrt9050 TCDF1910 sod80 smd zener diode color band
Text: Semiconductors Technical Library March 1996 Back Products Overview Communications Automotive Computer Industrial Broadcast Media Aerospace & Defense Communications Applications Telephone ICs Type U3750BM–CP Package 44–pin PLCC Function One chip telephone
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Original
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U3750BM
U3760MB-FN
U3760MB-SD
SSO-44
SD-40
U3800BM
U3810BM
U4030B
U4030B
JFET TRANSISTOR REPLACEMENT GUIDE j201
UA6538
DC motor speed control using 555 and ir sensor
U2740B-FP
UAA145
CQY80
U2840B
tcrt9050
TCDF1910
sod80 smd zener diode color band
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2.3" Single Digit Display FEATURES • 2 .3 " digit height • Right hand decim al point • C hoice of six colors/materials OPTO-ELECTRICAL CHARACTERISTICS Ta = 25°C PEAK W AVE LENGTH (nm) PAR T NO. FACE CO LO RS EMITTED SURFACE EPO XY COLOR COLOR CO LO R
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00006CH
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: HEW LETT PACKARD High CMR Isolation Amplifier Technical Data HCPL-7800 HCPL-7800A HCPL-7800B Applications • M otor P hase Current S en sing • G eneral P urpose Industrial C urrent S en sing • H igh-Voltage P ow er Source V oltage M onitoring *The term s common-mode rejection
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HCPL-7800
HCPL-7800A
HCPL-7800B
HCPL-7800A
HCPL-7800B,
HCPL-7800
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