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    PBMB50B12 Search Results

    PBMB50B12 Datasheets (2)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Curated Datasheet Type PDF
    PBMB50B12 Nihon Inter Electronics IGBT MODULE H-Bridge 50A 1200V Original PDF
    PBMB50B12C Nihon Inter Electronics IGBT MODULE H-Bridge 50A 1200V Original PDF

    PBMB50B12 Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    PBMB50B12

    Abstract: PBMB50B12C
    Text: IGBT MODULE PBMB50B12C H-Bridge 50A 1200V CIRCUIT OUTLINE DRAWING P N G1 E1 U G3 E3 V G2 E2 G4 E4 PBMB50B12 8- fasten- tab No 110 P N G3 E3 V G5 E5 W G4 E4 G6 E6 4- fasten-tab No 250 Dimension mm PBMB50B12C Approximate Weight : 200g MAXMUM RATINGS (Tc=25°C)


    Original     		PDF PBMB50B12C PBMB50B12 TC125 fig11-Tansient PBMB50B12 PBMB50B12C

    PBMB50B12

    Abstract: No abstract text available
    Text: IGBT MODULE PBMB50B12 H-Bridge 50A 1200V CIRCUIT OUTLINE DRAWING P N G1 G3 E1 E3 U V G2 G4 8- fasten- tab No 110 E2 E4 4- fasten-tab No 250 Dimension mm Approximate Weight : 200g MAXMUM RATINGS (Tc=25°C) Item Collector-Emitter Voltage Gate - Emitter Voltage


    Original     		PDF PBMB50B12 TC125 fig11-Tansient PBMB50B12

    PBMB50B12

    Abstract: PBMB50B12C
    Text: ＰＢＭＢ５０Ｂ１２ ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｈ･Ｂridge ５０ Ａ，１２００Ｖ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 94 8-fasten tab #110 PBMB50B12 G3E3 G5 E5 U V W G2 E2 G4 E4 G6 E6 15.5 18 5 13 5


    Original     		PDF PBMB50B12 PBMB50B12C TC125 fig11-Tansient PBMB50B12 PBMB50B12C

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ−Ｈ･Ｂridge 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩ □ ＰＢＭＢ５０Ｂ１２Ｃ ５０ Ａ，１２００Ｖ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ P N G3 E3 V G5 E5 W G4 E4 G6 E6 PBMB50B12C


    Original     		PDF PBMB50B12C TC125

    PT76S16

    Abstract: d2n203le 10ERB20 508RP FCHS20A 300MCB
    Text: Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ


    Original     		PDF

    508RP

    Abstract: 10ERB20 d2n202le D2W220CD FCH10U15 FCU20A40
    Text: NO. 42 Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ


    Original     		PDF

    1200VIGBT

    Abstract: No abstract text available
    Text: ｢Ｂシリーズ｣ 1200V IGBTモジュールの紹介 高速性と低損失を実現した 新世代チップを採用 日本インター株式会社 モジュール製品部 主な特性の改良点 Ｃシリーズとの比較


    Original     		PDF 1200VIGBT 100mA 00A/s 100A1 20kW440VPWM 20kHz PDMB100C12 PDMB100B12 CM100TU-24F 1200VIGBT

    PDM5001

    Abstract: PDT400N16 pah60n8cm PHMB50E6CL PHT250N16 PHT400N16 PD100KN16 PAH100N8CM PT76S16 PAT400N16
    Text: Contents Page Rectifier Diode PH PC PD PE PF PB PT C2 C3 C4,C5 C5 C6 C6 C7,C8 Fast Recovery Diode PH-F, PC-F, PD-F P2H-F C9 C10 Schottky Barrier Diode PC-Q, PE-Q, PQ-Q P2H-Q C11 C12 Thyristor plus Diode PHT PDT PAT PFT PAH PCH PDH PKH PBH, PBH-A, PBF PGH


    Original     		PDF C3557 PH1503 PH150 PDM5001 PDT400N16 pah60n8cm PHMB50E6CL PHT250N16 PHT400N16 PD100KN16 PAH100N8CM PT76S16 PAT400N16

    FCGS20A12

    Abstract: FCHS10A12 EC10QS04 TE12L d2n203le 10ERA60 FCHS20A 20NFB60 FCU20A40 PAH100N8CM 10eda10
    Text: NO. 43 Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ


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