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Q65110A2626 Abstract: No abstract text available Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 S (R18R) BP 104 S (R18R) BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)	Original	PDF	Q65110A2626 Q65110A2626
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62 Text: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111	Original	PDF	GEMY6050 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
GEOY6861 Abstract: GPLY7049 Q65110A2626 Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 SR BP 104 SR BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)	Original	PDF
STR G 8654 Abstract: A673 transistor transistor A673 transistor Bu 45080 TT 2188 mx 362-0 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 diode BZW 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver Text: Foreword Foreword Foreword Vorwort The information in this catalog is correct as of March 2011. Die Angaben in diesem Katalog entsprechen dem Stand März 2011. All products listed in this catalog are RoHS compliant, a fact that will be explicitly noted in the respective data sheet. For up-to-date	Original	PDF
OHF00078 Abstract: Q65110A2626 GEOY6861 J-STD-020B OHLA0687 Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • Geeignet für Vapor-Phase Löten und	Original	PDF	Q65110A2626 200any OHF00078 Q65110A2626 GEOY6861 J-STD-020B OHLA0687
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 Abstract: DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code Text: Infrared Components ge 88 - 92 107 108 Infrared Components Summary of Types Silicon Photodetectors For moreComponents Infrared detailed product Summary information of Types andSilicon technical Photodetectors datasheets, please visit http://catalog.osram-os.com	Original	PDF	GEXY6713 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code
Untitled Abstract: No abstract text available Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 SR BP 104 SR BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)	Original	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 SR BP 104 S BP 104 SR Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)	Original	PDF	Q65110A2626 Q65110A4262
BP 40 Datenblatt Abstract: No abstract text available Text: 2012-10-15 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 BP 104 S, BP 104 SR BP 104 S BP 104 SR Features: Besondere Merkmale: • Suitable for reflow soldering • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns	Original	PDF	D-93055 BP 40 Datenblatt