SBS007M
Abstract: No abstract text available
Text: SBS007M SPICE PARAMETER DIODE model : DIODE Parameter Value IS 1.04E-05 BV 20.0 ISR 5.80E-06 VJ 0.54 TT 1.00E-09 TRS 3.60E-03 Temp = 27 deg Date : 2003/10/7 Parameter N IBV NR M EG Value 1.04 1.00E-03 1.20 0.52 0.54 Parameter RS CJO FC XTI Value 0.156 8.70E-11
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Original
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SBS007M
04E-05
80E-06
00E-09
60E-03
00E-03
70E-11
SBS007M
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PDF
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ic 74243
Abstract: MCH3317 MCH5815 SBS007M TA-3841
Text: Ordering number : ENN7424 MCH5815 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5815 DC / DC Converter Applications 0.25 • [MCH5815] 0.25 Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3317 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2195
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Original
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ENN7424
MCH5815
MCH5815]
MCH3317)
SBS007M)
ic 74243
MCH3317
MCH5815
SBS007M
TA-3841
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SBS007M
Abstract: 69082
Text: 注文コード No. N 6 9 0 8 SBS007M No. N6908 21001 新 SBS007M ショットキバリアダイオード 15V, 0.5A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。 特長 ・順電圧が小さい
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Original
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SBS007M
N6908
100mA,
600mm2
Duty10%
IT02954
IT02953
IT02955
IT02956
SBS007M
69082
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PDF
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MCH3405
Abstract: MCH5801 SBS007M TA3100
Text: Ordering number : ENN6941 MCH5801 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5801 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3405 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2195
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Original
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ENN6941
MCH5801
MCH3405)
SBS007M)
MCH5801]
MCH3405
MCH5801
SBS007M
TA3100
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PDF
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7447
Abstract: CPH5818 MCH3339 SBS007M
Text: Ordering number : ENN7447 CPH5818 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5818 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3339 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2171
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Original
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ENN7447
CPH5818
MCH3339)
SBS007M)
CPH5818]
7447
CPH5818
MCH3339
SBS007M
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PDF
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MCH5818
Abstract: MCH3339 SBS007M
Text: MCH5818 注文コード No. N 7 7 5 4 三洋半導体データシート N MCH5818 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3339 とショットキバリアダイオード(SBS007M)を 1 パッケージに
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Original
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MCH5818
MCH3339)
SBS007M)
900mm2
TA-3839
--10V
IT05619
900mm2
MCH5818
MCH3339
SBS007M
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PDF
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SBS007M
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN6908 SBS007M Schottky Barrier Diode SBS007M 15V, 1A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1305 [SBS007M] 0.15 1 2.1 3 1.6 • 0.3 Low forward voltage (IF=0.3A, VF max=0.4V)
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Original
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ENN6908
SBS007M
SBS007M]
SBS007M
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PDF
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MCH3339
Abstract: MCH5818 SBS007M
Text: MCH5818 Ordering number : ENN7754 MCH5818 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3339 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) contained in one package facilitating high-density mounting.
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Original
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MCH5818
ENN7754
MCH3339)
SBS007M)
MCH3339
MCH5818
SBS007M
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PDF
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7447
Abstract: CPH5818 MCH3339 SBS007M
Text: Ordering number : ENN7447 CPH5818 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5818 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3339 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2171
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Original
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ENN7447
CPH5818
MCH3339)
SBS007M)
CPH5818]
7447
CPH5818
MCH3339
SBS007M
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MCH3408
Abstract: MCH5804 SBS007M IT03104 IT03105
Text: Ordering number : ENN6942 MCH5804 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5804 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3408 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2195
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Original
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ENN6942
MCH5804
MCH3408)
SBS007M)
MCH5804]
MCH3408
MCH5804
SBS007M
IT03104
IT03105
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PDF
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on line ups circuit diagrams
Abstract: 2SK3850 242M SSFP package K3492 3ln03 MCH3435 CPH5612 three phase on line ups circuit diagrams TN6R04
Text: Ordering number: EP51E MOSFET Series '05-05 TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN Telephone: 81- 0 3-3837-6339, 6340, 6342, Facsimile: 81-(0)3-3837-6377 ●SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor company Homepage URL: http://www.semic.sanyo.co.jp/index_e.htm
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Original
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EP51E
CPH6605
MCH6613
ECH8609
CPH3424
CPH3427
K3614
FW343
FW356
FW360
on line ups circuit diagrams
2SK3850
242M
SSFP package
K3492
3ln03
MCH3435
CPH5612
three phase on line ups circuit diagrams
TN6R04
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CPH5815
Abstract: MCH3317 SBS007M
Text: Ordering number : ENN7381 CPH5815 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5815 DC / DC Converter Applications 4 0.15 3 0.6 5 0.2 [CPH5815] 2.9 0.05 1 2 0.95 0.4 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 0.9 0.7 0.2 • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET
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Original
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ENN7381
CPH5815
CPH5815]
MCH3317)
SBS007M)
CPH5815
MCH3317
SBS007M
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PDF
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CPH5815
Abstract: MCH3317 SBS007M N2603
Text: 注文コード No. N 7 3 8 1 CPH5815 三洋半導体データシート N CPH5815 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3317）とショットキバリアダイオード（SBS007M）を
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Original
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CPH5815
MCH3317
SBS007M
600mm2
IT02912
IT02914
IT02915
IT00636
CPH5815
MCH3317
SBS007M
N2603
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74243
Abstract: 74241 MCH3317 MCH5815 SBS007M TA-3841 74242
Text: 注文コード No. N 7 4 2 4 MCH5815 三洋半導体データシート N MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード MCH5815 特長 DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3317）とショットキバリアダイオード（SBS007M）を
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Original
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MCH5815
MCH3317
SBS007M
900mm2
IT02912
IT02914
IT02915
ID00338
74243
74241
MCH3317
MCH5815
SBS007M
TA-3841
74242
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PDF
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2SC3953-SPICE
Abstract: 2sa1538 spice 2sc3953 spice 2SC5610 MJE-360 2SC4548 2sk4096 2SB631K 2SC5706 equivalent 2SC2911-SPICE
Text: 12A02CH-SPICE -* SANYO 12A02CH SPICE PARAMETER * .LIB 12A02CH * DATE : 2006/12/26 * Temp = 27 deg .MODEL 12A02CH PNP +NF = 1.0 IS VAF = 110.0f
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Original
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12A02CH-SPICE
12A02CH
12A02CH
2SB1205
2SB1205
2SC3953-SPICE
2sa1538 spice
2sc3953 spice
2SC5610
MJE-360
2SC4548
2sk4096
2SB631K
2SC5706 equivalent
2SC2911-SPICE
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TA-3843
Abstract: SBS007M CPH5818 MCH3339 N7447
Text: 注文コード No. N 7 4 4 7 A CPH5818 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7447 とさしかえてください。 CPH5818 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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CPH5818
N7447
MCH3339
SBS007M
600mm2
IT02953
IT05891
IT02955
IT02956
TA-3843
SBS007M
CPH5818
MCH3339
N7447
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TA-3843
Abstract: MOSFET MCH33 N7447 CPH5818 MCH3339 SBS007M TA384
Text: 注文コード No. N 7 4 4 7 A CPH5818 No. N 7 4 4 7 A 91003 半導体ニューズ No. N7447 とさしかえてください。 CPH5818 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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CPH5818
N7447
MCH3339
SBS007M
600mm2
IT02953
IT05891
IT02955
IT02956
TA-3843
MOSFET MCH33
N7447
CPH5818
MCH3339
SBS007M
TA384
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TA3100
Abstract: MCH3405 MCH5801 SBS007M N6941
Text: 注文コード No. N 6 9 4 1 MCH5801 No. N6941 62501 新 MCH5801 特長 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3405）とショットキバリアダイオード
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Original
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MCH5801
N6941
MCH3405
SBS007M
900mm2
IT02912
IT02914
IT02915
TA3100
MCH3405
MCH5801
SBS007M
N6941
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MCH3408
Abstract: MCH5804 SBS007M IT03104
Text: 注文コード No. N 6 9 4 2 MCH5804 No. N 6 9 4 2 52101 新 MCH5804 特長 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3408）とショットキバリアダイオード
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Original
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MCH5804
MCH3408
SBS007M
600mm2
IT02953
IT03107
IT02955
IT02956
MCH3408
MCH5804
SBS007M
IT03104
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PDF
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SBS007M
Abstract: marking DIODE 2U 04 marking SB
Text: Ordering number : ENN6908 Schottky Barrier Diode SBS007M ISAttYOl 15V, 1A Rectifier Package Dimensions unit : mm 130 5 Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . [S B S 007M ] Features • Low forward voltage (If =0.3A , V f m ax=0.4V)
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OCR Scan
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ENN6908
SBS007M
sbs007m]
SBS007M
marking DIODE 2U 04
marking SB
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