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    SFH 400 Search Results

    SF Impression Pixel

    SFH 400 Price and Stock

    ams OSRAM Group SFH-400

    EMITTER IR 950NM 300MA TO-18
    Distributors Part Package Stock Lead Time Min Order Qty Price Buy
    DigiKey SFH-400 Bulk
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    ams OSRAM Group SFH-400-3

    EMITTER IR 950NM 300MA
    Distributors Part Package Stock Lead Time Min Order Qty Price Buy
    DigiKey SFH-400-3
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    ams OSRAM Group SFH 2400 FA-Z

    Photodiodes PHOTODIODE
    Distributors Part Package Stock Lead Time Min Order Qty Price Buy
    Mouser Electronics SFH 2400 FA-Z 345,790
    • 1 $0.94
    • 10 $0.669
    • 100 $0.529
    • 1000 $0.408
    • 10000 $0.341
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    ROHM Semiconductor 1SS400CSFHT2RA

    Small Signal Switching Diodes 90V Vrm 225mA Ifm H. Speed Switching
    Distributors Part Package Stock Lead Time Min Order Qty Price Buy
    Mouser Electronics 1SS400CSFHT2RA 8,843
    • 1 $0.3
    • 10 $0.197
    • 100 $0.085
    • 1000 $0.069
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    ams OSRAM Group SFH 2400

    Photodiodes SFH 2400-Z
    Distributors Part Package Stock Lead Time Min Order Qty Price Buy
    Mouser Electronics SFH 2400 7,131
    • 1 $1.29
    • 10 $0.739
    • 100 $0.563
    • 1000 $0.431
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    SFH 400 Datasheets (9)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Curated Datasheet Type PDF
    SFH400 Infineon Technologies GaAs IRED, High reliability, Cathode is connected to the case Original PDF
    SFH400 OSRAM Infrared, UV, Visible Emitters, Optoelectronics, EMITTER IR GAAS 950NM TO-18 Original PDF
    SFH 400 OSRAM Opto Semiconductors Optoelectronics - Infrared, UV, Visible Emitters - EMITTER IR 950NM 300MA TO-18 Original PDF
    SFH400 Siemens GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Original PDF
    SFH400 Siemens GaAs Infrared Emitter Original PDF
    SFH 4000 OSRAM Optoelectronics, High Speed Infrared Emitter, Single, 950nm Wave Length Original PDF
    SFH4000 OSRAM High Speed Infrared Emitter Original PDF
    SFH400-3 Infineon Technologies GaAs IRED, High reliability, Cathode is connected to the case Original PDF
    SFH400-3 Siemens GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Original PDF

    SFH 400 Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    SMR 4000

    Abstract: 495p topled SFH 4501
    Text: IR-LUMINESZENZDIODEN INFRARED EMITTERS TYPENÜBERSICHT IR-L SUMMARY OF TYPES (I UMINESZENZDIODEN 1. Emitter in SMT NFRARED EMITTERS) 1. Emitters in SMT TOPLED SFH 420 / SFH 4211 / SFH 421 / SFH 4200 SMARTLED SFH 4000 / SFH 4010 / SFH 4020 SFH 4080 / SFH 4209 / SFH 4219


    Original
    PDF

    SFH400

    Abstract: Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPX 38 sfh 400 BPY 62
    Text: SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 fet06092 fet06091 fet06090 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group 501 10.95 SFH 400, SFH 401, SFH 402


    Original
    PDF fet06092 fet06091 fet06090 SFH400 Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPX 38 sfh 400 BPY 62

    2500FA

    Abstract: 2505FA
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode in SMR Gehäuse Silicon PIN Photodiode in SMR® Package SFH 2500FA, SFH 2505, SFH 2505FA SFH 2500FA SFH 2505 SFH 2505FA Wesentliche Merkmale Features • Wellenlängenbereich S10% 400nm bis 1100nm (SFH 2505) und 750nm bis 1100nm


    Original
    PDF 2500FA, 2505FA 2500FA 400nm 1100nm 750nm 2500FA/SFH 2505FA) 2500FA 2505FA

    OHRD1938

    Abstract: Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPY 62 SFH 960
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


    Original
    PDF GEO06314 GET06091 GET06013 OHRD1938 Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPY 62 SFH 960

    Q62702-P790

    Abstract: Bpy 43 Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P96 Q62702-P98 SFH402 BPY 62
    Text: SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 fet06092 fet06091 fet06090 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren


    Original
    PDF fet06092 fet06091 fet06090 Q62702-P790 Bpy 43 Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P96 Q62702-P98 SFH402 BPY 62

    SFH400

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


    Original
    PDF GETY6091 GEOY6314 GETY6013 SFH400

    BPX65

    Abstract: Q62702-P784 BPX osram BPX-65 sfh 291 tci 571 OHRD1938 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


    Original
    PDF

    OHRD1938

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400, SFH 401,SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


    Original
    PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 203 P SFH 203 PFA SFH 203 P SFH 203 PFA Wesentliche Merkmale Features • Wellenlängenbereich (S10%) 400nm bis 1100nm (SFH 203 P) und 750nm bis 1100nm (SFH 203 PFA)


    Original
    PDF 400nm 1100nm 750nm

    P3596

    Abstract: GEXY6710 Q62702-P1673 Q62702-P3595 Q62702-P3596 Q62702-P874
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 310 SFH 310 FA SFH 310 SFH 310 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 310 und bei 880 nm (SFH 310 FA) • Hohe Linearität


    Original
    PDF Q62702-P874 P3596 GEXY6710 Q62702-P1673 Q62702-P3595 Q62702-P3596 Q62702-P874

    it 401 a

    Abstract: Q62702P0097
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400, SFH 401,SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


    Original
    PDF

    P3596

    Abstract: Q62702-P3595 Q62702-P1673 Q62702-P3596 Q62702-P874
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 310 SFH 310 FA SFH 310 SFH 310 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 310 und bei 880 nm (SFH 310 FA) • Hohe Linearität • 3 mm-Plastikbauform


    Original
    PDF OHF00871 OHF01524 GEX06710 P3596 Q62702-P3595 Q62702-P1673 Q62702-P3596 Q62702-P874

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 310 SFH 310 FA SFH 310 SFH 310 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 310) und bei 880 nm (SFH 310 FA)


    Original
    PDF Q62702P0874 Q62702P3595 Q62702P1673 Q62702P3596

    214 opto

    Abstract: GEX06630 Q62702-P1672 Q62702-P922
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 214 SFH 214 FA SFH 214 SFH 214 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 214 und bei 880 nm (SFH 214 FA)


    Original
    PDF OHR00883 OHF01026 GEX06630 214 opto GEX06630 Q62702-P1672 Q62702-P922

    SFH213

    Abstract: SFH213 FA
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 213 SFH 213 FA SFH 213 FA SFH 213 Wesentliche Merkmale Features • Wellenlängenbereich (S10%) 400nm bis 1100nm (SFH 213) und 750nm bis 1100nm (SFH 213 FA) • Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)


    Original
    PDF 400nm 1100nm 750nm Q62702P0930 Q62702P1671 720-SFH213 SFH213 SFH213 FA

    lichtschranke

    Abstract: OHF01034 OHF01773
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 213 SFH 213 FA SFH 213 FA SFH 213 Wesentliche Merkmale Features • Wellenlängenbereich (S10%) 400nm bis 1100nm (SFH 213) und 750nm bis 1100nm (SFH 213 FA) • Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)


    Original
    PDF 400nm 1100nm 750nm Q62702P0930 Q62702P1671 lichtschranke OHF01034 OHF01773

    GEO06645

    Abstract: Q62702-P955 Q62702-P956 SFH203
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 203 SFH 203 FA SFH 203 SFH 203 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 203 und bei 880 nm (SFH 203 FA)


    Original
    PDF OHR00883 OHF01026 GEO06645 GEO06645 Q62702-P955 Q62702-P956 SFH203

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2014-01-13 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 213, SFH 213 FA SFH 213 SFH 213 FA Features: Besondere Merkmale: • Wavelength range S10% 400 nm to 1100 nm (SFH 213) and 750 nm to 1100 nm (SFH 213 FA) • Short switching time (typ. 5 ns)


    Original
    PDF 400nm 1100nm D-93055

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) Cathode (SFH 480) Anode (SFH 216, SFH 231 SFH 400) Chip position SFH 480 SFH 481 SFH 482 Radiant Sensitive area o O) o CO o GE006314 2.7 Chip position 00.45 Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401


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    PDF GE006314 GET06091 GET06013 OHR00881

    diode SR 315

    Abstract: BPX65 high sensitive
    Text: SIEM ENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) Chip position (2.7) Cathode (SFH 480) Anode (SFH 216, SFH 231, SFH 400) SFH 480 SFH 481 SFH 482 Radiant Sensitive area L GE006314 o a > o (O o Approx. weight 0.5 g Anode = SFH 481


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    PDF E006314 GET06091 GET06013 BPX65) diode SR 315 BPX65 high sensitive

    SFH Siemens

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400 SFH 401 SFH 402 Cathode SFH 480 Anode (SFH 216, SFH 231 SFH 400) Chip position Radiant Sensitive area o o (O o O) GE006314 : SFH 481 Anode Cathode : SFH 401 O ) o (O o Chip position (2.7) Radiant sensitive area


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    PDF GE006314 GET06013 OHRD1937 SFH Siemens

    SFH Siemens

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Chip position 2.7 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Cathode (SFH 480 Anode (SFH 216, SFH 231, SFH 400) Radiant Sensitive area 00.45 i -L 5.3 5.0 7.4 GE006314 O Oí o o (O 6.6 Approx. weight 0.5 g Anode = SFH 481


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    PDF GE006314 GET06091 SFH401 SFH Siemens

    ic 4580

    Abstract: IC 4580 R sideled
    Text: IR -L u m in e s z e n z d io d e n I n f r a r e d E m it t e r s T y p e n ü b e r s ic h t S umm ary 1. 1. Em itter in SMT TOPLED SFH 420 / SFH 4211 / SFH421 / SFH 4200 SIDELED SFH 425 / SFH 426 / SFH 4205 2. SMARTLED SFH 4000 / SFH 4 0 1 0 /SFH 4020 SFH 4080 / SFH 4 2 0 9 /SFH 4219


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    PDF SFH421 ic 4580 IC 4580 R sideled

    Siemens SFH 506

    Abstract: SFH Siemens
    Text: SIEM ENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter r C ath o d e Anode C hip p osition 2.7 SFH 400 SFH 401 SFH 402 (SFH 4 8 0 ) R a d ia n t Sensitive (S F H 2 1 6 , SFH 2 3 1 , area SFH 4 0 0 ) i Anode = SFH 481 C athode = SFH 401 (package) 0 0.45


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    PDF QHR01M4 Siemens SFH 506 SFH Siemens