Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: BYZ50A22 . BYZ50A47, BYZ50K22 . BYZ50K47 BYZ50A22 . BYZ50A47, BYZ50K22 . BYZ50K47 Silicon-Protectifiers with TVS characteristic – High Temperature Diodes Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Hochtemperatur-Dioden Version 2014-07-30
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Original
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BYZ50A22
BYZ50A47,
BYZ50K22
BYZ50K47
UL94V-0
UL94V-0
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: BYZ35A22 . BYZ35A47, BYZ35K22 . BYZ35K47 BYZ35A22 . BYZ35A47, BYZ35K22 . BYZ35K47 Silicon-Protectifiers with TVS characteristic – High Temperature Diodes Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Hochtemperatur-Dioden Version 2014-07-30
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Original
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PDF
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BYZ35A22
BYZ35A47,
BYZ35K22
BYZ35K47
UL94V-0
UL94V-0
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: BYZ35A22 . BYZ35A47, BYZ35K22 . BYZ35K47 BYZ35A22 . BYZ35A47, BYZ35K22 . BYZ35K47 Silicon-Protectifiers with TVS characteristic – High Temperature Diodes Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Hochtemperatur-Dioden Version 2014-08-18
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Original
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BYZ35A22
BYZ35A47,
BYZ35K22
BYZ35K47
UL94V-0
UL94V-0
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: BYZ50A22 . BYZ50A47, BYZ50K22 . BYZ50K47 BYZ50A22 . BYZ50A47, BYZ50K22 . BYZ50K47 Silicon-Protectifiers with TVS characteristic – High Temperature Diodes Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Hochtemperatur-Dioden Version 2014-08-18
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Original
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BYZ50A22
BYZ50A47,
BYZ50K22
BYZ50K47
UL94V-0
UL94V-0
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50K22
Abstract: No abstract text available
Text: BYZ 50A22 . BYZ 50A37 BYZ 50K22 . BYZ 50K37 Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes Silizium Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaften Hochtemperaturdioden Power dissipation – Verlustleistung 50 W Breakdown voltage
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Original
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50A22
50A37
50K22
50K37
UL94V-0
150/C
215/C
tter\byz50.
50K22
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BYZ50A22
Abstract: BYZ50A27 BYZ50A33 BYZ50A39 BYZ50A47 BYZ50K22 BYZ50K27 BYZ50K33 BYZ50K47
Text: BYZ50A22 . BYZ50A47, BYZ50K22 . BYZ50K47 BYZ50A22 . BYZ50A47, BYZ50K22 . BYZ50K47 Silicon-Protectifiers with TVS characteristic – High Temperature Diodes Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Hochtemperatur-Dioden Version 2009-05-04
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Original
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BYZ50A22
BYZ50A47,
BYZ50K22
BYZ50K47
UL94V-0
UL94V-0
BYZ50A22
BYZ50A27
BYZ50A33
BYZ50A39
BYZ50A47
BYZ50K22
BYZ50K27
BYZ50K33
BYZ50K47
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load-dump
Abstract: BYZ35A22 BYZ35A27 BYZ35A33 BYZ35A39 BYZ35A47 BYZ35K22 BYZ35K27 BYZ35K33 BYZ35K47
Text: BYZ35A22 . BYZ35A47, BYZ35K22 . BYZ35K47 BYZ35A22 . BYZ35A47, BYZ35K22 . BYZ35K47 Silicon-Protectifiers with TVS characteristic – High Temperature Diodes Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Hochtemperatur-Dioden Version 2009-05-04
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Original
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BYZ35A22
BYZ35A47,
BYZ35K22
BYZ35K47
UL94V-0
UL94V-0
load-dump
BYZ35A22
BYZ35A27
BYZ35A33
BYZ35A39
BYZ35A47
BYZ35K22
BYZ35K27
BYZ35K33
BYZ35K47
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: FE2A . FE2G FE2A . FE2G Superfast Switching Silicon Rectifier Diodes Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden Version 2013-10-15 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung ±0.05 50.400 V Plastic case
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Original
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DO-15
DO-204AC)
UL94V-0
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: BYZ50A22 . BYZ50A47 BYZ50K22 . BYZ50K47 Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes Silizium Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaften Hochtemperaturdioden Version 2004-10-01 Nominal current Nennstrom Ø 12.75 50 A Ø 11 ±0.1
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Original
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BYZ50A22
BYZ50A47
BYZ50K22
BYZ50K47
UL94V-0
50a-1
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: FE1A . FE1G FE1A . FE1G Superfast Switching Silicon-Rectifier Diodes Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden Version 2013-10-15 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung ±0.05 50.400 V Plastic case
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Original
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DO-15
DO-204AC)
UL94V-0
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byz 47
Abstract: 50A33
Text: BYZ 50A22 . BYZ 50A47 BYZ 50K22 . BYZ 50K47 Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes Silizium Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaften Hochtemperaturdioden Nominal current – Nennstrom 50 A Nominal breakdown voltage
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Original
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50A22
50A47
50K22
50K47
UL94V-0
50A27
50A33
50A39
50A47
byz 47
50A33
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35K37
Abstract: BYZ50A32
Text: BYZ 35A22 . BYZ 35A37 BYZ 35K22 . BYZ 35K37 Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes Silizium Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaften Hochtemperaturdioden Nominal current – Nennstrom 35 A Breakdown voltage Abbruch-Spannung
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Original
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35A22
35A37
35K22
35K37
UL94V-0
50A37
50K37
150/C
215/C
35K37
BYZ50A32
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: BYZ35A22 . BYZ35A47 BYZ35K22 . BYZ35K47 Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes Silizium Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaften Hochtemperaturdioden Version 2004-10-01 Nominal current Nennstrom Ø 12.75 35 A Ø 11 ±0.1
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Original
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BYZ35A22
BYZ35A47
BYZ35K22
BYZ35K47
UL94V-0
35a-1
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SUF4001 . SUF4007 SUF4001 . SUF4007 Ultrafast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes Ultraschnelle Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage Version 2012-04-02 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung
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Original
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SUF4001
SUF4007
DO-213AB
UL94V-0
SUF4001
SUF4002
SUF4003
SUF4004
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SUF4002
Abstract: SUF4005 DO-213AB SUF4001 SUF4003 SUF4004 SUF4006 SUF4007
Text: SUF4001 . SUF4007 SUF4001 . SUF4007 Ultrafast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes Ultraschnelle Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage Version 2006-04-19 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung
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Original
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SUF4001
SUF4007
DO-213AB
UL94V-0
SUF4001.
SUF4004
SUF4005.
SUF4002
SUF4005
DO-213AB
SUF4001
SUF4003
SUF4004
SUF4006
SUF4007
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35a3
Abstract: 35A32 35A26 35K37
Text: BYZ 35A22 . BYZ 35A37 BYZ 35K22 . BYZ 35K37 Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes Silizium Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaften Hochtemperaturdioden Nominal current – Nennstrom 35 A Breakdown voltage Abbruch-Spannung
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Original
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35A22
35A37
35K22
35K37
UL94V-0
150/C
215/C
tter\byz35.
35a3
35A32
35A26
35K37
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PX1500J
Abstract: px1500
Text: PX1500A . PX1500M PX1500A . PX1500M Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden Version 2012-10-01 Nominal current Nennstrom ±0.1 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50.1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse
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Original
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PX1500A
PX1500M
UL94V-0
PX1500A
PX1500B
PX1500D
PX1500G
PX1500J
px1500
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: elektronik DDR Leistungsdiode Halbleiter-Bauelemente DDR Hallgenerator CSSR silizium diode
Text: Tunneldiode HF-Transistor Diode Kapazitätsdiode NF-Transistor NF-Leistungstransistor Ptot >1W Bauelement 2.Element Hall-Feldsonde CSSR: Silizium Hall-Generator CSSR: Galliumarsenidphosphid HF-Leistungstransistor Hall-Generator DDR: MIS-Transistor strahlungsempfindliches
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Original
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sfh siemens
Abstract: npn phototransistor sfh 309 380nm SFH 309
Text: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor Silicon NPN Phototransistor with Daylight Filter SFH 309 SFH 309 F Area not flat 4,5t-” Collector Transistor Cathode (Diode) 'Chip position
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PCE25°
sfh siemens
npn phototransistor sfh 309
380nm
SFH 309
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Diode BAW 62
Abstract: oszillograf 7x7x1 DIODE S45 Q68000-A1185-F1 99A7 01JE Diode BAW 99 500F2
Text: Silizium-Planar-Doppeldiode BAV99 Die epitaktische Silizium-Planar-Doppeldiode B A V 99 bestehend aus zwei in Reihe geschal teten Einzeldioden. Die Diode im Kunststoffgehäuse 23 A3 DIN 41 869 S O T -2 3 , findet Anwendung als schneller Schalter speziell für Dünn- und Dickfilmschaltungen. Der Typ
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OT-23)
Q68000-A1185-F1
01min
450KlW
Diode BAW 62
oszillograf
7x7x1
DIODE S45
Q68000-A1185-F1
99A7
01JE
Diode BAW 99
500F2
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k 518
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium -Planar-Kapazitätsdiode B B Y 30 BBY 30 ist eine planare Silizium-Kapazitätsdiode im Gehäuse 51 A2 DIN 41880 D O -7 , welche besonders für Anwendungen im unteren VHF-Bereich geeignet ist. Kathode Typ B este lln u m m e r BBY 30 Q 62702-B 44
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Q62702-B44
/CD30V
k 518
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BZ102
Abstract: TFK U 217 B bz102-2v8 5V stabilisator f 102 TFK 19 001
Text: BZ 102/. Silizium-Diffusions-Stabilisator-Dioden Silicon diffusion voltage stabilising diodes Anwendungen: Spannungsstabilisierung und Spannungsbegrenzung Applications: Voltage stabilisation and voltage regulation Abmessungen in mm Dimensions in mm Normgehäuse
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102/1V
BZ102/2V8
BZ102
TFK U 217 B
bz102-2v8
5V stabilisator
f 102
TFK 19 001
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BZY87
Abstract: bzy 150 5V stabilisator BZY 100 74127 H7 RF bzy 50 bzy 130
Text: BZY 87/. 'W Silizium-Diffusions-Stabilisator-Dioden Silicon diffusion voltage stabilising diodes Anwendungen: Spannungsstabilisierung und Spannungsbegrenzung Applications: Voltage stabilisation and voltage regulation Abmessungen in mm Dimensions in mm 0 2 .6
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BZY87/.
U-26-Â
87/1V
BZY87
bzy 150
5V stabilisator
BZY 100
74127
H7 RF
bzy 50
bzy 130
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n4007
Abstract: LN4004 IN4007 n 4007 LN4005 ln4001 IN4003 74350 IN 4007 n 4002
Text: V 1 N4001 * 1 N4007 Silizium-Diffusions-Dioden Silicon diffusion diodes Anwendungen: Gleichrichter Applications: Rectifier Abmessungen In mm Dimensions in mm r »3,1 Absolute Grenzdaten Absolute maximum ratings Sperrspannung, periodische Spitzensperrspannung
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1N4001
n4007
LN4004
IN4007
n 4007
LN4005
ln4001
IN4003
74350
IN 4007
n 4002
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