TRANSISTOR ZWA Search Results

TRANSISTOR ZWA Result Highlights (5)

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TTC5886A	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	NPN Bipolar Transistor / hFE=400~1000 / VCE(sat)=0.22V / tf=120ns
TTA2097	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	PNP Bipolar Transistor / hFE=200~500 / VCE(sat)=-0.27V / tf=60ns
XPQR8308QB	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	N-ch MOSFET, 80 V, 350 A, 0.00083 Ω@10V, L-TOGL
XPQ1R00AQB	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	N-ch MOSFET, 100 V, 300 A, 0.00103 Ω@10V, L-TOGL
TK190U65Z	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	MOSFET, N-ch, 650 V, 15 A, 0.19 Ohm@10V, TOLL

TRANSISTOR ZWA Datasheets Context Search

Catalog Datasheet	MFG & Type	Document Tags	PDF
MN1280 Abstract: KGT50N60kda bc547 smd transistor kia1117af transistor smd zG y6 smd transistor MB4213 y4 smd transistor smd transistor zaa KGT25N120NDA Text: Table of Contents SMD THD ▣ Table of Contents 2 ▣ Bipolar Junction Transistor 4 Transistor Line-up PNP Transistor Transistor Line-up (NPN Transistor) Small Signal General Purpose Transistor Current Regulating Device Small Signal Low Noise Transistor	Original		PDF
oz960 Abstract: khb9D5N20P MB4213 KIA78pI MN1280 F10P048 KIA7812A MJE13007 mb4213 equivalent TRANSISTOR SMD N2 3j Text: Table of Contents Index 4 SMD ✞✟ Bipolar Junction Transistors Transistor Line-up PNP Transistor Transistor Line-up (NPN Transistor) Small Signal General Purpose Transistors Small Signal Low Noise Transistors Small Signal Audio Muting Transistors Small Signal High hFE Transistors	Original	KIA7900PI TC7SH04FU KIC7SH04FU SC604* KAC3301QN M51943 KIA7042AP/AF TC7SH08FU KIC7SH08FU LT1937 oz960 khb9D5N20P MB4213 KIA78pI MN1280 F10P048 KIA7812A MJE13007 mb4213 equivalent TRANSISTOR SMD N2 3j	PDF
sot 23 zwa Abstract: MARK CB SOT23 zwa SOT23 MARKING ZWA KN4402S KN4403S Text: SEMICONDUCTOR KN4402S/4403S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. FEATURES E B L L H MAXIMUM RATING Ta=25ᴱ Collector-Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -40 V Emitter-Base Voltage	Original	KN4402S/4403S 140kHz sot 23 zwa MARK CB SOT23 zwa SOT23 MARKING ZWA KN4402S KN4403S	PDF
sot 23 zwa Abstract: SOT23 MARKING ZWA KN4403S zwa sot23 KN4402S zva 003 MARK CB SOT23 zwa Marking ZWA SOT-23 TRANSISTOR zwa Text: SEMICONDUCTOR KN4402S/4403S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. FEATURES E B L L D ・Complementary to the KN4400S/4401S 3 H G A 2 1 Q P UNIT Collector-Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage	Original	KN4400S/4401S KN4402S/4403S Width300 140kHz sot 23 zwa SOT23 MARKING ZWA KN4403S zwa sot23 KN4402S zva 003 MARK CB SOT23 zwa Marking ZWA SOT-23 TRANSISTOR zwa	PDF
DRUCK Abstract: AM442 Druck piezoresistive sensor Text: Kostengünstige Drucksensorsysteme Mikromechanische Druckmeßzellen auf Siliziumbasis verdrängen mehr und mehr die klassischen mechanischen Druckwandler und werden heute in der Automatisierungs– und der Medizintechnik sowie in Kfz-Anwendungen in großen Mengen eingesetzt. Unter dem Zwang zu kostengünstigen	Original		PDF
alternator diode 1776 B Abstract: 2az marking transistor sot-23 SMD SOT23 transistor MARK Y2 ic mb4213 NEC 12F triac F10P048 ktc3114 equivalent SMD TRANSISTOR MARKING 02N DIODE PJ 57 ss14 BC517 equivalent Text: Transistors Transistors Diodes Diodes Thyristors Thyristors SAW SAW Device Device Dielectric Dielectric Device Device Integrated Integrated Circuit Circuit Table of Contents Index 5 SMD Transistors Line-up PNP Transistors Transistors Line-up (NPN Transistors)	Original	Hig86-755-3679515 alternator diode 1776 B 2az marking transistor sot-23 SMD SOT23 transistor MARK Y2 ic mb4213 NEC 12F triac F10P048 ktc3114 equivalent SMD TRANSISTOR MARKING 02N DIODE PJ 57 ss14 BC517 equivalent	PDF
MB4213 Abstract: F10P048 mn1280 mb4213 equivalent smd transistor zaa diode zener ZD 15 ic mb4213 transistor 2AX SMD 252 B34 SMD ZENER DIODE bc237 equivalent SMD Text: Table of Contents Index 5 SMD Transistors Transistors Line-up PNP Transistors Transistors Line-up (NPN Transistors) Small Signal General Purpose Transistors Small Signal Low Noise Transistors Small Signal Audio Muting Transistors Small Signal Darlington Transistors	Original	SSIP-12 KIA6283K KIA7217AP SSIP-10 KIA6240K KIA6801K KIA6901P/F MB4213 F10P048 mn1280 mb4213 equivalent smd transistor zaa diode zener ZD 15 ic mb4213 transistor 2AX SMD 252 B34 SMD ZENER DIODE bc237 equivalent SMD	PDF
KF6N60 Abstract: 2SK3850 equivalent KF9N25 KF7N50 MDF10N65b transistor PANASONIC ZENER Kf10n60 KIA278R12PI equivalent kid65003ap equivalent kia578r05 Text: Factory : #149, Gongdan-1-dong Gumi, Gyeongsangbuk-do, KOREA 上 http://www.kec.co.kr http://www.keccorp.com Head office : #275-5, Yangjae-dong, Seocho-gu Seoul, KOREA 海 ww 众 w. 韩 ck 授 b- 权 sh 代 .c 理 om 2014 Semiconductor Product Guide KEC CORPORATION	Original	USFB053 USFB13 USFB13A USFB13L USFB14 USFZ10V USFZ11V USFZ12V USFZ13V USFZ15V KF6N60 2SK3850 equivalent KF9N25 KF7N50 MDF10N65b transistor PANASONIC ZENER Kf10n60 KIA278R12PI equivalent kid65003ap equivalent kia578r05	PDF
POWER Transformator Abstract: transistor 13030 gelijkrichter T130-40 forward smps lineair transformator Text: SMPS principes Technische informatie Topologiën Topologiën Spanningsregeling 13100 Ferro-resonantie-regeling Ii De Ferro-resonantie techniek genereert een lijnregeling met behulp van een resonantie-reservoir-circuit en voorziet in een intrinsieke isolatie tussen de primaire en de secundaire windingen.	Original		PDF
200w subwoofer circuit Abstract: transistor subwoofer circuit diagram manual de transistores 200w subwoofer circuit pcb 2.1 subwoofer diagram 100w amp pcb 200W audio amplifier AMPLIFICADOR DE POTENCIA TRANSISTOR BC547 200w power amplifier PCB velleman K8060 200w subwoofer preamp diagram Text: Total solder points: 74 Difficulty level: beginner 1 ¸ 2 ¸ 3 ¸ 4 ¸ 5 Z advanced 200W DISCRETE POWER AMPLIFIER K8060 or r system tre e k a e p s me thea r active Ideal fo guitar amp, ho , etc. fer, amp subwoo s, instrument m syste ILLUSTRATED ASSEMBLY MANUAL	Original	K8060 H8060IP-1 H8060B 200w subwoofer circuit transistor subwoofer circuit diagram manual de transistores 200w subwoofer circuit pcb 2.1 subwoofer diagram 100w amp pcb 200W audio amplifier AMPLIFICADOR DE POTENCIA TRANSISTOR BC547 200w power amplifier PCB velleman K8060 200w subwoofer preamp diagram	PDF
TL497A Abstract: konstant stromquelle eb118 schaltregler EB118A schaltbeispiele Text: EB118A Spannungswandler EB118 INTEGRIERTER SCHALTSPANNUNGSREGLER TL497A Verfasser: Eilhard Haseloff Datum: 01.04.1987 Rev.: * Überarbeitet: 18.04.1995 1 Applikationslabor EB118A Spannungswandler Dieser Bericht beschreibt die Anwendung des Schaltspannungsreglers	Original	EB118A EB118 TL497A TL497A. TL497A konstant stromquelle eb118 schaltregler EB118A schaltbeispiele	PDF
DCA50e Abstract: DCA50 germanium transistors NPN 6F22 MN1604 SK17 germanium transistoren Text: DCA50e Komponenten-Analysator erweitert Hergestellt in Großbritannien. Peak Electronic Design Ltd. Atlas House, Kiln Lane, Harpur Ind. Est, Buxton, SK17 9JL, U.K. Einleitung Der DCA50e KomponentenAnalysator ist ein zukunftsweisendes Instrument, das eine Vielzahl von	Original	DCA50e DCA50e DCA50 germanium transistors NPN 6F22 MN1604 SK17 germanium transistoren	PDF
FX2N 64mr manual Abstract: FX2N-48MT FX2N-128MR mitsubishi plc FX2n-32mt SERIES FX2N-64MT fx2n-48mr FX2N-1PG MANUAL Mitsubishi MELSEC FX2N-80MR FX2N-80MT Mitsubishi MELSEC FX2N-80MR-DS Text: HARDWARE MANUAL FX2N SERIES PROGRAMMABLE CONTROLLERS FX2N Series Programmable Controllers ENG Foreword • • • FRE Préface • • • GER • • Dieses Handbuch enthält Texte, Abbildungen und Erläuterungen zur korrekten Installation und Bedienung der FX2N-SPS und sollte vor einer Installation oder einem Einsatz des Gerätes gelesen werden. Die Inhalte müssen verstanden sein.	Original	JY992D66301H J24532 FX2N 64mr manual FX2N-48MT FX2N-128MR mitsubishi plc FX2n-32mt SERIES FX2N-64MT fx2n-48mr FX2N-1PG MANUAL Mitsubishi MELSEC FX2N-80MR FX2N-80MT Mitsubishi MELSEC FX2N-80MR-DS	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: SMT Multi TOPLED Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 331 Wesentliche Merkmale Features • SMT-Gehäuse mit rotem Sender (635 nm) und Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung • Gegurtet lieferbar • Sender und Empfänger getrennt ansteuerbar	Original		PDF

sot 23 zwa Abstract: KN4403S KN4402S zwa sot23 SOT23 MARKING ZWA Text: SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA KN4402S/4403S EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. FEATURE • Complementary to KN4400S/4401S. DIM MAXIMUM RATINGS Ta=25°C CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT 2.93+0.20 B 1 .3 0 + 0 .2 0 /—0.15	OCR Scan	KN4402S/4403S KN4400S/4401S. f-140kHz sot 23 zwa KN4403S KN4402S zwa sot23 SOT23 MARKING ZWA	PDF
NMC27C256 Abstract: No abstract text available Text: NATL SENICOND -CHEMORY} IDE D \| bSOllEb O D b l S M 1! S \| ZWA National 3 ' Semiconductor p r e l im in a r y x NMC27C256C 262,144-Bit 32k x 8 UV Erasable CMOS PROM (Very High Speed Version) General Description Features The NMC27C256C is a high-speed 256k, UV erasable and	OCR Scan	NMC27C256C 144-Bit 28-pin NMC27C256	PDF
27C51 Abstract: No abstract text available Text: NMC27C49 PRELIMINARY ZWANational ju l Semiconductor NMC27C49 Very High Speed Version 65,536-Bit 8k x 8 UV Erasable CMOS PROM Pin Compatible with 64k Bipolar PROMs General Description Features The NMC27C49 is a very high-speed 64k, UV erasable and electrically reprogrammable CMOS EPROM, ideally suited	OCR Scan	NMC27C49 536-Bit 24-pin 27C51	PDF
VEB mikroelektronik Abstract: Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft Text: m B Ik i^ ts je le l-c te n o r iil-c information Applikation m l^ o e le l-c fe n a riil-c Information Applikation H EFT 17 LEISTUNGSELEKTRONIK 4 Die sicheren A rbeitsbereiche Leistungsschalttransistoren VEB MIKROELEKTRONIK „VARLIIE8KNECHT“57AHNSDORP	OCR Scan	57AHNSDORP VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft	PDF
VEB mikroelektronik Abstract: information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik applikation Mikroelektronik Information Applikation a4100d "information applikation" Dioden SY 250 "halbleiterwerk frankfurt" halbleiterwerk Text: m ö tk n n ^ e le l-c fa n a riil-c Information Applikation ~ in^joNFiggelB k tana n lk Information Applikation H e f t 4 2 : IBISÜIKSSELSKlHOlflK 5 j BijlQiaXßX leiatimgsgchalttranaiatpp ¡teil 1 vab hnlbleiterwark Trankfurt /od«f> im v a b k o m b in a t m ik r t M la k t r o n ü c	OCR Scan		PDF
relais datenbuch siemens Abstract: siemens datenbuch triac zu 103 ma BSS97 diode sg 5 ts Scans-048 BUZ23 s489 DSAGER00059 Transistor Datenbuch Text: SIEMENS SIPMOS Kleinsignaltransistoren Technische Beschreibung Ausgabe September 1986 Inh alt 1. Einleitung 5 2. Technologie 5 3. Schaltverhalten 6 4. D atenblattangaben 8 4.1 4.2 4.3 Drainstrom lD Gate-Schwellenspannung VGS th Temperaturabhängigkeit 8 8	OCR Scan	BRT12H BRT12M relais datenbuch siemens siemens datenbuch triac zu 103 ma BSS97 diode sg 5 ts Scans-048 BUZ23 s489 DSAGER00059 Transistor Datenbuch	PDF
Halbleiterbauelemente DDR Abstract: information applikation mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik applikation heft VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft Text: r ï n i k a r ^ e l e l - c Information Applikation t e n a n î l - c m [ n r L ü ^ i s i î s t e k t e n a r i i k Information Applikation HEFT 3 4 : H A LBLEITER V EN TILE und LEISTU N GSELEKTRO N IK v»bmikrooloVtronîk.kartItebknefchtiBtfthnnddtf imvobNombinfttmitiroeloktronik	OCR Scan		PDF
TRANSISTOR sd 346 Abstract: Lautsprecher RFT L 2911 Lautsprecher LP C 4804 transistor TRANSISTOR b 882 p rft lautsprecher transistor GC 228 Transistor B 886 service-mitteilungen RFT KR 650 Text: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB RFT INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN radio - television I Ausgabe 1988 Seite 8 1-4 Mitteilung aus dem VEB Fernsehgerätewerk Staßfurt Sicherheitskontrollen für 4oooer Parbfernsengeräte Nachfolgend geben wir Hinweise, welche speziellen Kontrollen	OCR Scan	untersc0037 TRANSISTOR sd 346 Lautsprecher RFT L 2911 Lautsprecher LP C 4804 transistor TRANSISTOR b 882 p rft lautsprecher transistor GC 228 Transistor B 886 service-mitteilungen RFT KR 650	PDF
transistor eft 323 Abstract: EFT 323 transistor BC-108 6001-015 service-mitteilungen bc149 EFT323 bauelemente DDR OA1180 TRANSISTOR BC 187 Text: S E R V I C E - MI TTEILUNGEN r a d i o -television DATUM: Juli 1973 VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN AUSGABE: 8/73 Neu« Import - Geräte LUDWIK und JUBILAT - Rundfunkempfänger aus der VR Polen Aua der VR Polen werden o.g. Rundfunkempfänger importiert. Beide Ge	OCR Scan		PDF
BD512 mosfet Abstract: itt transistoren Relais ITT halbleiterwerk transistor 2N 3055 ITT Intermetall Leuchtdiode CQY 40 transistor BD 522 schaltregler BD512 Text: VMOS Transistoren Eigenschaften und Schaltungsbeispiele 6240-09-2 D INTERMETALL Halbleiterwerk der Deutsche ITT Industries GmbH VMOS-Transistoren Eigenschaften und Schaltungsbeispiele Zusammengestellt von folgenden Mitarbeitern der ITT Semiconductors Gruppe	OCR Scan		PDF

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