TRANSISTOR BEK Search Results

TRANSISTOR BEK Result Highlights (5)

Part	Manufacturer	Description
2SC6026MFV	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	NPN Bipolar Transistor / VCEO=50 V / IC=0.15 A / hFE=120~400 / VCE(sat)=0.25 V / SOT-723
TTC5886A	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	NPN Bipolar Transistor / VCEO=50 V / IC=5 A / hFE=400~1000 / VCE(sat)=0.22 V / tf=120 ns / New PW-Mold
TTA2097	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	PNP Bipolar Transistor / VCEO=-50 V / IC=-5 A / hFE=200~500 / VCE(sat)=-0.27 V / tf=60 ns / New PW-Mold
TTC022	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	NPN Bipolar Transistor / VCEO=12 V / IC=5 A / hFE=250~500 / VCE(sat)=0.14 V / tf=50 ns / PW-Mini
TTC020	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	NPN Bipolar Transistor / VCEO=80 V / IC=4 A / hFE=100~200 / VCE(sat)=0.17 V / tf=70 ns / PW-Mini

TRANSISTOR BEK Datasheets Context Search

Catalog Datasheet	Type	Document Tags	PDF
BT diode Abstract: ECONOPACK mounting instructions bsm 25 gd 1200 n2 bsm 75 gd 120 n2 bsm 50 gd 120 n2 calculation of IGBT snubber siemens igbt BSM 200 GA 120 BSM15GD120DN2 diode bym 26 siemens igbt BSM 100 Text: Technische Angaben Technical Information SIEMENS 1 Übersicht IGBT-Module 1 O verview IG BT Modules Hochsperrende spannungsgesteuerte Bipolar-Module Insulated Gate Bipolar Transistor modules Produktpalette Product Range IGBT-Module mit den Spannungen 600 V,	OCR Scan		PDF
transistor vergleichsliste Abstract: OC44 AD149 ASZ16 siemens transistor asy 27 AF124 ASZ15 GD241 transistor gc301 AC125F Text: TRANSISTOR VERGLEICHSLISTE Teil 1: G erm anium transistoren ra d io -television T ran sistorvergleichsliste T eil 1 : G erm anium transistoren TRANSISTOR V E R G L E I C H S LI S T E T eil 1: G erin an iu u itran sisto ren M IL IT Ä R V E R L A G D E R D E U T S C H E N D E M O K R A T IS C H E N	OCR Scan		PDF
bsm 25 gd 1200 n2 Abstract: bsm 75 gd 120 n2 siemens mosfet BSM 50 siemens igbt bsm 50 gd 120 n2 Thyristor Tabelle BSM15GD BSM15GD120DN 250068 BSM15GD120DN2 Text: Technische Angaben Technical Information 1 Übersicht IGBT-Module 1 Overview IGBT Modules Hochsperrende spannungsgesteuerte Bipolar-Module Insulated Gate Bipolar Transistor modules Produktpalette Product Range IGBT-Module mit den Spannungen 600 V, 1200 V und 1700 V und im Strombereich	Original		PDF
ST102 Abstract: LS38 Y-H8 846 transistor Text: SILICON TRANSI STOR CORP SbE D 0254022 OOOQ^TQ 31N « S T C SILICON TRANSISTOR CORPORATION Katrina Road Chelmsford, Massachusetts 01824 Telephone: 508-256-3321 FAX: 508-250-1046 A POWERHOUSE 400 VOLTS 0.33 OHMS QUAD N CHANNEL POWER MOSFET DEVICE TYPE STQ402	OCR Scan	STQ402 ST102 MIL-S-19500 ST102 LS38 Y-H8 846 transistor	PDF
LS29 Abstract: TRANSISTOR mosfet Text: SILICON TRANSISTOR CORP Ô2S4G25 St.E D DGDG'ì'ìb Ô3 2 « S T C \ 'Z ° \ 'Z n SILICON TRANSISTOh CORPORATION Katrina Road Chelmsford, Massachusetts 01824 Telephone: 508-256-3321 FAX: 508-250-1046 A POWERHOUSE 100 VOLTS 075 OHMS QUAD N CHANNEL POWER MOSFET	OCR Scan	2S4G25 STQ102 ST102 MIL-S-19500 LS29 TRANSISTOR mosfet	PDF
M54533P Abstract: 251C relay 101-100 154 Diode Mitsubishi VKST Text: • b3E b EM^Û E? D G ISG IB M ITSU B ISH I DGTL f iñb ■ M I T 3 MITSUBISHI BIPOLAR DIGITAL ICs M54533P LOGIC 6-UNIT 320mA TRANSISTOR ARRAY W ITH CLAMP DIODE AND STROBE DESCRIPTION T h e M 54533P, 6 -c h a n n e l sink driver, consists of 12 N P N tran	OCR Scan	D01SQ1B M54533P 320mA M54533P, 320mA M54533P TS-751C! 251C relay 101-100 154 Diode Mitsubishi VKST	PDF
ku 606 Abstract: KT808AM transistor d 808 transistor kt transistor 805A 2110-B1 KT 805 RFT Transistoren KT808 2107B-2 Text: SERVICE-M ITTEILUNGEN VEB IN D U S T R IE V E R T R IE 8 R U N D F U N K U N D F E R N S EH EN ra d io -television AUSGABE: SEITE 1-4 DATUM: 3.84 Mitteilung aus dem VEB RFT Industrievertrieb R.u.F. Leipzig / SI E I H B A U A N L E I T Ü H G für den äquivalenten ?DE-Steckbaustein mit Transistor, der die Rohre 6 Sch 5 P in den Sü-Paxbfernseh^eraten RADUGA 726/730 ersetzt«	OCR Scan	05A-K KT808 ku 606 KT808AM transistor d 808 transistor kt transistor 805A 2110-B1 KT 805 RFT Transistoren 2107B-2	PDF
ge-2 transistor Abstract: transistor gt 322 MP 41 transistor drehkondensator transistor D 322 servicemitteilungen SERVICE-MITTEILUNGEN oszillator VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN GER-A Text: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB INOUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN r a d io -television AUSGABE: DATUM: 2/72 April 1972 Ersatzteilspezifikation für Koffersuper "Selena" Wir geben Ihnen nachstehend die Ersatzteilspezifikation für den Kofferempfänger "Selena" bekannt. Bitte verv/enden Sie bei der Be	OCR Scan	SP3-4A-20-10 ge-2 transistor transistor gt 322 MP 41 transistor drehkondensator transistor D 322 servicemitteilungen SERVICE-MITTEILUNGEN oszillator VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN GER-A	PDF
murrelektronik Abstract: DIN EN 50035 MTW 11 output 110 V DC Pt-100-DIN 43760 STROM RELAIS M/triac 2060 10-polig 4...20 mA 0-5 ma output DC-13 Text: MIRO - Die Modulfamilie der neuen Generation ELEKTRONIK MIRO - die Modulfamilie der neuen Generation verbindet bekannte Vorteile mit innovativem, technologischem know how. Mit Koppelgliedern als Schnittstelle zwischen elektronischer Steuerung und peripheren Geräten ist eine optimale	Original	100-Sensors) murrelektronik DIN EN 50035 MTW 11 output 110 V DC Pt-100-DIN 43760 STROM RELAIS M/triac 2060 10-polig 4...20 mA 0-5 ma output DC-13	PDF
AM422-1 Abstract: AM422 100KPG Sensorsystems Text: Kostengünstige Drucksensoren mit Stromausgang Neben den einfachen piezoresistiven Drucktransducern montierte Druckmeßzellen , deren Temperaturabhängigkeit und Signalverhalten hinreichend bekannt sind, werden von verschiedenen Herstellern (z.B. von Motorola, Keller oder Fujikura) unter anderem auch abgeglichene oder	Original	AM422 AM422-1 AM422 100KPG Sensorsystems	PDF
Transistor Datenbuch Abstract: siemens igbt siemens datenbuch Text: Vorwort Mit diesem neuen Datenbuch stellen wir Ihnen unser aktuelles SIPMOS -Halbleiter-Produktspektrum vor. Das Buch beinhaltet alle derzeit bekannten Neuerungen und Verbesse rungen bzw. Weiterentwicklungen auf diesem Gebiet. Mit der Herausgabe dieses Datenbuches werden alle vorhergehenden Ausgaben ungültig.	OCR Scan		PDF
TESLA KY 703 Abstract: TESLA NU 73 service-mitteilungen servicemitteilungen 2 PN 66 145 silizium diode "service-mitteilungen" Tesla Scans-048 Leipzig Text: SERVICE-MITTEILUNGEN V EB IN D U ST R IE V E R T R IE B RU N D FU N K UND FE R N SE H E N r a d i o -television Als Weiterentwicklung des bekannten Rundfunkgerätes SELECT wird aus der Sozia listischen Republik Rumä nien der Heimempfänger R O Y A L AUSGABE:	OCR Scan	III/18/379 TESLA KY 703 TESLA NU 73 service-mitteilungen servicemitteilungen 2 PN 66 145 silizium diode "service-mitteilungen" Tesla Scans-048 Leipzig	PDF
ladungspumpe Abstract: spannungsregelung drossel 13041 TRANSISTOR schaltregler Spannungsregler Text: Grundlagen Technische Informationen Topologien Topologien Spannungsregelung 13084 Ferroresonante Regelung Ii In der Ferroresonanztechnik erfolgt die Leitungsregelung mit einer resonanten Ladungspumpe, die zugleich für die galvanische Trennung zwischen Ein- und Ausgang verantwortlich ist.	Original		PDF
diode sy 162 Abstract: SC236D 6P14P diode sy SF 127 C GF147S 6D22S 6P45S ECC88 6n23p Text: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB IN DUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN iR iU ii 1r a d i o - t e i e v i s l o n I SEITE JUNI 1 9 8 1 b 1 - 7 Mitteilung aus dem VEB RFT Industrievertrieb R.u.F. Leipzig / S SERVICE-ANLEITUNG zum Translstor-Taschenempfänger "Signal 402"	OCR Scan		PDF

smd-transistor DATA BOOK Abstract: triac ansteuerung smd-transistor SMD transistors Relais datenblatt RGS 13 simple circuit diagram of electronic choke SITAC P-Channel Depletion Mode Field Effect Transistor SMD transistor Mo Siemens varistor family Text: Technische Angaben Technical Information SIPMOS Kleinsignal-Bauelemente SIPMOS Small-Signal Components MOS-Transistoren im Bereich 50 V . 800 V und 40 mA . 3800 mA. IGBT: 1200 V; 2500 mA MOS transistors in the range of 50 V . 800 V and 40 mA . 3800 mA.	Original		PDF
AFC8513 Abstract: afpxc30pd E30R 60870-5-104 FP0-E32RS FP0E32RS fp-x c14r AFPX-a21 AFPX-C60TD optokoppler PNP Text: FP-X Serie Speicherprogrammierbare Steuerungen 02/2008 Leistungsstark Leistungsstark Vielfältige Erweiterungsmöglichkeiten und hohe Geschwindigkeit Schnellste Befehlsabarbeitung Die Befehlsbearbeitungszeit für einen Basisbefehl beträgt 0,32 s ca. 2ms für 5000 Schritte *1	Original	CH-6343 AFC8513 afpxc30pd E30R 60870-5-104 FP0-E32RS FP0E32RS fp-x c14r AFPX-a21 AFPX-C60TD optokoppler PNP	PDF
siemens Transistoren Abstract: induktive triac ansteuerung smd transistors SIPMOS application note BSS98 equivalent Siemens Halbleiter Bauelemente Siemens Halbleiter Text: Technische Angaben Technical Information SIEMENS SIPMOS Kleinsignal-Bauelemente SIPMOS® Small-Signal Components MOS-Transistoren im Bereich 50 V . 800 V und 40 mA . 3800 mA. IGBT: 1200 V; 2500 mA MOS transistors in the range of 50 V . 800 V and 40 mA . 3800 mA.	OCR Scan		PDF
VEB mikroelektronik Abstract: Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft Text: m B Ik i^ ts je le l-c te n o r iil-c information Applikation m l^ o e le l-c fe n a riil-c Information Applikation H EFT 17 LEISTUNGSELEKTRONIK 4 Die sicheren A rbeitsbereiche Leistungsschalttransistoren VEB MIKROELEKTRONIK „VARLIIE8KNECHT“57AHNSDORP	OCR Scan	57AHNSDORP VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft	PDF
TL497A Abstract: konstant stromquelle eb118 schaltregler EB118A schaltbeispiele Text: EB118A Spannungswandler EB118 INTEGRIERTER SCHALTSPANNUNGSREGLER TL497A Verfasser: Eilhard Haseloff Datum: 01.04.1987 Rev.: * Überarbeitet: 18.04.1995 1 Applikationslabor EB118A Spannungswandler Dieser Bericht beschreibt die Anwendung des Schaltspannungsreglers	Original	EB118A EB118 TL497A TL497A. TL497A konstant stromquelle eb118 schaltregler EB118A schaltbeispiele	PDF
500 DKZ Abstract: TFK 4 314 valvo TELEFUNKEN* U 111 B str w 6052 tfk 1007 tfk 014 Schwingquarz Telefunken TFK S 417 T valvo transistoren Text: TELEPO RT VI ein Sprechfunkgerät für das 80-, 100- und 150/160-MHz-Band Kanalraster 50, 25 und 20 kHz Beschreibung A H /B s -V 300 657/1 Teile 1, 2, 3, 4, 5, 6 Nachdruck, auch auszugsweise, verboten 765 kn Mo Technische W eiterentwicklung Vorbehalten Inhalt	OCR Scan	150/160-MHz-Band 500 DKZ TFK 4 314 valvo TELEFUNKEN* U 111 B str w 6052 tfk 1007 tfk 014 Schwingquarz Telefunken TFK S 417 T valvo transistoren	PDF
VEB mikroelektronik Abstract: information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik applikation Mikroelektronik Information Applikation a4100d "information applikation" Dioden SY 250 "halbleiterwerk frankfurt" halbleiterwerk Text: m ö tk n n ^ e le l-c fa n a riil-c Information Applikation ~ in^joNFiggelB k tana n lk Information Applikation H e f t 4 2 : IBISÜIKSSELSKlHOlflK 5 j BijlQiaXßX leiatimgsgchalttranaiatpp ¡teil 1 vab hnlbleiterwark Trankfurt /od«f> im v a b k o m b in a t m ik r t M la k t r o n ü c	OCR Scan		PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: W E N Radiometrix Hartcran House, 231 Kenton Lane, Harrow, HA3 8RP, England 21 August August 2008 Tel: +44 0 20 8909 9595, Fax: +44 (0) 20 8909 2233 NBEKNBEK-000000-xxx N BEK Cont rolle r As 1 2 0 0 Ba ud M ode m The Narrow band Evaluation Kit (NBEK) IC can be used as 1200baud half-duplex serial modem	Original	NBEK-000NBEK-000-xxx 1200baud	PDF
kd226 Abstract: KD522B transistor c 6073 transistor KT 209 M transistor kt 801 KD226B KT805AM Diode KD 521 a transistor KT 209 4413.13-02 Text: SERVICE-MITTEILUNGEN V E B RFT I N D U S T R I E V E R T R I E B ¡D j RUNDFUNK UND F E R N S E H E N raa/o te/ev/s/on \| - Ausgabe 1968 M am 4-5 Seite 1 - 8 Mitteilung aus dem VEB RFT IV RuF Leipzig/S 1. Regenerierung von UKW-Tunern 1.1. Allgemeine Informationen	OCR Scan		PDF
N60S5 Abstract: triac ansteuerung 3.5kw pfc smps 450W 2kw mosfet mos sot223, 300v SPN-25 mosfet 1000v smps 5kw 2kw pfc welding Text: COOLMOS TM COOLMOSTM von SIEMENS* Ein Quantensprung in der Hochvolt MOSFET-Technologie macht Anwenderträume wahr Lorenz L., März M., Deboy G. Power-MOSFET zählen seit nunmehr 20 Jahren zu den bedeutendsten Komponenten in der Transistorwelt. Mit einem Marktvolumen von 1.4 Mrd. US$ in 1997 und einem prognostizierten	Original		PDF

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