Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Fotodarlington Transistor im Sidelooker-Gehäuse Photodarlington Transistor in Sidelooker-Package SFH 3130 F Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 840 nm bis 1080 nm • Enge Empfangscharakteristik
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Original
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Q62702-P5250
suita10
GEOY6976
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IC 3130
Abstract: Q62702-P5250 of ic 3130 SFH3130F GEO06976 4110 opto
Text: Fotodarlington Transistor im Sidelooker-Gehäuse Photodarlington Transistor in Sidelooker-Package SFH 3130 F Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 840 nm bis 1080 nm • Enge Empfangscharakteristik
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Original
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E00386
OHF00383
GEO06976
IC 3130
Q62702-P5250
of ic 3130
SFH3130F
GEO06976
4110 opto
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power transistor 2n3055
Abstract: transistor 2N3055 2n3055 circuit 2N3055 TO-3 2N3055
Text: Silicon Power Transistor 2N3055 Technical Data Typical Applications : These devices are designed for general purpose switching and amplifier applications. Specification Fetaures : F F F F Complementary NPN Silicon Power Transistor 15 Amp / 60 V device in TO-204AA [ TO-3 ] package
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Original
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2N3055
O-204AA
power transistor 2n3055
transistor 2N3055
2n3055 circuit
2N3055 TO-3
2N3055
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IC 3130
Abstract: 4110 P525 Q62702-P5250 GEOY6976
Text: Fotodarlington Transistor im Sidelooker-Gehäuse Photodarlington Transistor in Sidelooker-Package SFH 3130 F Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 840 nm bis 1080 nm • Enge Empfangscharakteristik
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Original
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2N3055H
Abstract: 2N3055H+RCA
Text: Silicon Power Transistor 2N3055H Technical Data Typical Applications : These devices are designed for general purpose switching and amplifier applications. Specification Fetaures : F Complementary NPN Silicon Power Transistor F 15 Amp / 100 V device in TO-204AA [ TO-3 ] package
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Original
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2N3055H
O-204AA
2N3055H
2N3055H+RCA
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transistor SD335
Abstract: SF126 SF127 SF128 SD337 sd336 SF137 BF241 TRANSISTOR SD349 SD339
Text: RFT Beschreibung Si-npn-Planar-Epitaxie, TO39 Si-npn-Planar-EpitaxieSC116 NF-Transistor Si-npn-Planar-EpitaxieSC117 NF-Transistor Si-npn-Planar-EpitaxieSC118 NF-Transistor Si-npn-Planar-EpitaxieSC119 NF-Transistor Si-npn-Planar-EpitaxieSC236 NF-Transistor für Vorund Treiberstufen
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Original
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Si-npn-Planar-EpitaxieSC116
Si-npn-Planar-EpitaxieSC117
Si-npn-Planar-EpitaxieSC118
Si-npn-Planar-EpitaxieSC119
Si-npn-Planar-EpitaxieSC236
Si-npn-Planar-EpitaxieSC237
Si-npn-Planar-EpitaxieSC238
VorSC239
Si-pnp-Planar-EpitaxieSC307
Si-pnp-Planar-EpitaxieSC308
transistor SD335
SF126
SF127
SF128
SD337
sd336
SF137
BF241 TRANSISTOR
SD349
SD339
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97CC
Abstract: transistor ESM 16 transistor ESM 30 ESM18 transistor ESM 18
Text: ESM 18 NPN SILICON TRANSISTOR, TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR SILIC IU M NPN, TRIPLE DIFFUSE High current fast switching transistor Transistor de commutation rapide fort courant V CEO 100 V Amplification BF ou H F grands signaux •c 25 A Thermal fatigue inspection
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CB-19
97CC
transistor ESM 16
transistor ESM 30
ESM18
transistor ESM 18
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2SK852
Abstract: jb 5531 JE 33 26L55 T1IG
Text: NEC o ^ n y ^ Ju n ctio n Field Effect Transistor i & m t e w m m N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Audio Frequency Amplifier f t W f t High gm < ntzshSi f i j f t o ¡ S ita . V o gdo> r - M i -c r < + •/ 7 u > = 10 V, V<; s = 0 1.25 + 0.1
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BFY90
Abstract: Scans-0010548 BFy 90 transistor
Text: IMPIM-Transistor fü r A n ten n en verstärker B F Y 90 BFY 90 ist ein epitaktischer NPN-Silizium-HF-Transistor im Gehäuse 18 A 4 DIN 41 876 TO-72 . Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Der Transistor ist für allgemeine Anwendungen bis in den GHz-Bereich geeignet z.B. für Antennen- und Hochfrequenz
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BFY90
Q62702-F297
Scans-0010548
BFy 90 transistor
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PRW 200
Abstract: transistor VCE 1000V CMK2100 1bw transistor
Text: 7 ^ 3 < ? -3 / F F 100 R 10 K 52E EUPEC Transistor Transistor ]> • aM D SST? Thermische Eigenschaften Rthjc Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte VCES Maximum rated values 1000 V 100 A 751 MUPEC Thermal properties DC, pro Baustein / per module
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34D32CI7
PRW 200
transistor VCE 1000V
CMK2100
1bw transistor
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2sc2757
Abstract: No abstract text available
Text: SILICON TRANSISTOR 2SC2757 UHF/VHF OSCILLATOR AND VHF M IXER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR M IN I MOLD DESCRIPTION PACKAGE DIMENSIONS T he 2SC2757 is an NPN silicon e pita xial transistor intended to r use as V H F in millimeters and U H F oscillators and a V H F m ix e r in a tuner o f a T V receiver.
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2SC2757
2SC2757
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DIODE S2E
Abstract: s2e transistor
Text: 7 ^ 3 < ? - 3 / F F 100 R 10 K 52E EUPEC Transistor Transistor ]> • aM D SST? Thermische Eigenschaften Rthjc Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte VCES Maximum rated values 1000 V 100 A 751 MUPEC Thermal properties DC, pro Baustein / per module
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2SK520
Abstract: transistor k43 2SK520 K44 2SK425 k41 transistor transistor k42 transistor k41 2SK520 K43 marking k42 mwk41
Text: Junction Field Effect Transistor 2SK520 zt>nnitosikh^ > > * 9 N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor High Frequency Amplifier 2S 520U K n . - 7- m f f l ? 4 7 ° k M + * ~ i - < n R F T > - f m & £ v r - - n i 7' PACKAGE DIMENSIONS Unit : mm)
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tt2SK238,
2SK425#
2SK520
transistor k43
2SK520 K44
2SK425
k41 transistor
transistor k42
transistor k41
2SK520 K43
marking k42
mwk41
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2SC1729
Abstract: No abstract text available
Text: MITSUBISHI RF POWER TRANSISTOR 2SC1729 NPN EPITAXIAL PLANAR TYP E DESCRIPTION OUTLINE DRAWING 2SC 1729 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for R F power amplifiers on V H F band mobile radio amplications. Dimensions in mm FEATURES • High power gain: Gpe > 10dB
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2SC1729
2SC1729
175MHz.
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FF15R10K
Abstract: No abstract text available
Text: 7 *39-3/ F F 15R 10K SSE EUPEC D Ü D D lf iE Thermische Eigenschaften Transistor Transistor 34032^7 i RthJC Elektrische Eigenschaften Electrical properties VcES Maximum rated values 1000 V 15 A RthCK lc 54b «U PEC Thermal properties DC, pro Baustein/per module
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FF15R10K
34D32CI7
FF15R10K
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Product Specification Philips Semiconductors PowerMOS transistor BUK543-100A/B Logic level FET_ _ GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode logic level f ield-effect power transistor in a plastic full-pack
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BUK543-100A/B
BUK543
-100A
-100B
PINNING-SOT186
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2SC2352
Abstract: z239
Text: NEC SILICON TRANSISTOR BfCTRON OEVKE 2SC2352 VHF MIXER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION PACKAGE DIMENSIONS The 2SC2352 is an NPN silicon epitaxial transistor intended fo r use as a in millimeters inches V H F m ixer in a tun er o f a T V receiver.
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2SC2352
2SC2352
11-i--
z239
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TRANSISTOR K 314
Abstract: antenne
Text: BFS 55 Nicht für N e u e n tw ick lu n g IMPIM -Transistor fü r H F -A n w e n d u n g e n bis in den G H z -B e re ic h B F S 55 ist ein N PN -Silizium -H F-Transistor im Gehäuse 18 A 4 D IN 41 876 T O -7 2 . Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Der Transistor ist besonders für H F -A n
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Q62702-F272
TRANSISTOR K 314
antenne
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transistor buv 90
Abstract: BCY 85 Q60203-Y66 BCY 66
Text: N PN -Transistor fü r rauscharm e N F -V o rs tu fe n BCY 66 BCY 66 ist ein epitaktischer NPN-Silizium-Planar-Transistor im Gehäuse 18 A3 DIN 41876 TO-18 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch verbunden. Der Transistor ist für besonders rauscharme NF-Vorstufen vorgesehen. (Komplementärtransistor dazu B C Y 67).
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Q60203-Y66
transistor buv 90
BCY 85
Q60203-Y66
BCY 66
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u101b
Abstract: No abstract text available
Text: DATA SHEET COMPOUND TRANSISTOR _ j f P A 101 HIGH FREQUENCY NPN TRANSISTOR ARRAY FEATURES OUTLINE DIMENSIONS Units in mm • BUILT-IN ULTRAHIGH FREQUENCY MULTIPLIER: • OUTSTANDING hFE LINEARITY • TW O PACKAGE O PTIO NS: (Each Transistor has fr 9 GHz)
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uPA101B
14-pin
tPA101G
u101b
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MOTOROLA SC XSTRS/R F 4bE D • b3b72SH MOTOROLA 3 T - 3 3 - 1 3 ■I SEM ICONDUCTOR TECHNICAL DATA 2N6166 T h e R F L in e 100 W A T T S - 150 MHz R F POWER TRANSISTOR NPN SILICON R F POWER TRANSISTOR NPN S IL IC O N designed f o r V H F p o w e r a m p lifie r a p p lic a tio n s in m ilita ry and in
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b3b72SH
2N6166
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BFR15A
Abstract: 200MHZ S70C
Text: IMPN -Transistor für rauscharme Breitband- und Antennenverstärker BFR 15A B F R 1 5 A ist ein epitaktischer NPN-Silizium-Planar-HF-Transistor im Gehäuse 18A 4 DIN 41876 TO-72 für allgemeine Verwendung bis in den GHz-Bereich, z. B. für rauscharme Breitband- und Antennenverstärker.
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BFR15A
Q62702-F460
200MHZ
200MHZ
S70C
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em 6695
Abstract: LA 8873
Text: DATA SHEET NEC SILICON TRANSISTOR 2SC5184 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES PACKAGE DIMENSIONS • Low Noise • N F = 1.3 dB typ. @ Vce = 2 V, Ic = 3 mA, f = 2 GHz • N F = 1.3 dB typ.
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2SC5184
SC-70
2SC5184-T1
2SC5184-T2
em 6695
LA 8873
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MPS6507
Abstract: transistor 911
Text: MPS6507 SILICON NPN SILICON VH F/U H F AM PLIFIER TRANSISTOR NPN SILICON A N N U LA R V H F/U H F A M PLIFIER TRANSISTOR . . designed for use in V H F /U H F am plifier applications. High Collector Em itter Breakdown Voltage B V c e o “ 20 V d c (Min) @ 1c = 1 -Q m Adc
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MPS6507
100MAdc,
10mAdc,
MPS6507
transistor 911
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