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    U783 Search Results

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    U783 Price and Stock

    ROHM Semiconductor BU7831KN-E2

    IC FULLY INTEG PROCESSOR 20VQFN
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    DigiKey BU7831KN-E2 Cut Tape 1 1
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    BU7831KN-E2 Reel 2,500
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    Infineon Technologies AG IRLU7833

    MOSFET N-CH 30V 140A I-PAK
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    DigiKey IRLU7833 Tube
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    ROHM Semiconductor BU7839GVW-E2

    IC AMP CLASS D STEREO 24BGA
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    DigiKey BU7839GVW-E2 Reel 2,500
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    TE Connectivity CU7833-000

    Twisted Pair Cable 2 Conductor 22 AWG Spec 55PC Tin Plated Copper Modified ETFE 600V - Bulk (Alt: CU7833-000)
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    Avnet Americas CU7833-000 Bulk 26 Weeks 2,000
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    Mouser Electronics CU7833-000
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    Interstate Connecting Components CU7833-000
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    Master Electronics CU7833-000
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    Sager CU7833-000 1
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    TE Connectivity CU7835-000

    AD-1464-CONT-RMVL-TL-ASSY-CS9173 - Bulk (Alt: CU7835-000)
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    Avnet Americas CU7835-000 Bulk 1
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    U783 Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

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    Abstract: No abstract text available
    Text: MT4S300T 東芝トランジスタシリコンゲルマニウムＮＰＮエピタキシャルプレーナ型 MT4S300T 単位: mm ○ UHF～SHF 帯 低雑音増幅用 1.2±0.05 0.9±0.05 • 高利得です。:|S21e|2=18dB 標準 (@f=2GHz) • 高静電破壊耐量:2kV 以上(HBM 法)


    Original     		PDF MT4S300T

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    Abstract: No abstract text available
    Text: 第7章 シンチレーション計数法 各種放射線は医学応用、工学的応用、材料分析などの分野での非 破壊検査、診断用として広く用いられており、放射線検出器の果たす 役割も重要です。放射線の検出方法 1 2)3)4)は、気体または固体の電離作


    Original     		PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: カ タ ロ グ HICSチルドタワー 新時代の冷却システム 10~30℃の冷水を省エネ（省電力）で供給 ●生産装置・研究装置の冷却 ●食品関連装置の冷却 ●空調用顕熱冷却 密閉式冷却塔とチラー（オゾン破壊係数ゼロの冷媒を採用）を一体化し


    Original     		PDF HL-K229-E

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    Abstract: No abstract text available
    Text: 仕 様 C9750-05FCN 型名 C9750-05FCN-C 検出方式 推奨使用範囲 C9750-10FCN C9750-10FCN-C X線非破壊検査 シンチレータ方式 1 検出素子ピッチ 約 25 kV ~ 160 kV 2 0.4 mm 検出幅 256 mm : 640 pixels 検出分解能 512 mm : 1280 pixels


    Original     		PDF C9750-05FCN C9750-05FCN-C C9750-10FCN C9750-10FCN-C RS-422 SFAS0017J12 APR/2015

    C9750-10FC

    Abstract: L9181-02 C9750 L8121-02 L9421-02 L9931 C9732DK L9191 L10321 csi fop
    Text: X線源カメラ セレクションガイド X-ray Sources & Cameras Selection Guide 各種工業製品や食品など、品質や安全性が厳しく問われる現在において、微細な内部構造の欠陥、異物 の混入などの検査を非接触、非破壊で行えるX線検査は品質、安全性の向上のために非常に有効な手段


    Original     		PDF RS-232C RS232C L9421-02 L10101 kV100 L10321 L9631 kV110 L9181-02 C9750-10FC L9181-02 C9750 L8121-02 L9421-02 L9931 C9732DK L9191 L10321 csi fop

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    Abstract: No abstract text available
    Text: 注意 C16JC2 00.6.30 3:10 PM ページ 1 注意 •定格上の注意 1. 使用電圧 圧波形の装置を使用してください。電圧波形の歪みや規定 定格電圧以内でご使用ください。なお、直流定格品を交流電 電圧以上の波高値がコンデンサに印加されると絶縁破壊の原


    Original     		PDF C16JC2) 50Hz60Hz

    RCR2350B

    Abstract: No abstract text available
    Text: ８．不具合事例 ・フィルムコンデンサの故障要因と故障モード 故障要因 はく電極タブ構造 故障モード Ｆ２Ｄ，Ｐ２Ｓ，Ｈ２Ｄ ショート ・過電圧，高パルス電圧印加による 誘電体フィルムの絶縁破壊


    Original     		PDF RCR-2350B RCR2350B

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    Abstract: No abstract text available
    Text: 正特性サーミスタ“ポジアール ”POSITIVE THERMISTORS“Posi-R” 正特性サーミスタ“ポジアール®”ご使用上の注意事項 厳守事項 1.油中水中など液体中での使用は、ポジアール®が破壊することがありますので、ご使用にならないでください。


    Original     		PDF ZPC4MCE100Dã 1000C

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    Abstract: No abstract text available
    Text: メタライズトポリプロピレン フィルムキャパシタ EPC SERIES 電気機器用フィルムコンデンサ 特 長 ●小型 ●保安機構付き蒸着フィルム採用 （異常な過電圧・発熱等 で絶縁破壊に至った場合


    Original     		PDF 003max. 545Vac 50/60Hz 60sec. 100Vdc) 620Vac 500Vdc)

    HMC1052 MSOP 10

    Abstract: HMC1052
    Text: 两轴磁传感器 HMC1052 应用 □ 罗盘 HMC1052 □ 导航系统 □ 高度参考 HMC1052 是一个突破性的设计， 它将高性能的两轴磁阻传感器，集 中在单个芯片上。这种专利设计的 优点，包括：完美的正交双轴检测，


    Original     		PDF HMC1052 HMC10XX HMCI052 HMCI052. HMC1052 MSOP 10 HMC1052

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    Abstract: No abstract text available
    Text: 最大定格について •最大定格の定義 製品の動作を制限する要因として電圧、電流、温度、消費電力がありますが、当社製品を使用して頂く時には、これらを考慮して頂か ないと製品の劣化・破壊につながる場合があります。その為、当社では最大定格を規定しており、その規定している値を一瞬たりとも越え


    Original     		PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: 連 載 セキュリティー機器やロボットを作ろう 〈第 6 回〉ガラス破り検出器の製作 秦 明宏 Akihiro Hata 最近の空き巣犯罪の手口でもっとも多いのは，ガラ 役目を果たしてくれません． ス破りだそうです．これは窓ガラスなどの一部を破壊


    Original     		PDF

    ZUG2203-12A

    Abstract: ZUG2206-12A
    Text: 1/2 窮坿㌔喘EMC陀襖匂 RoHS峺綜斤哘恢瞳 坪峨峨遊侏 ZUG-12A狼双 蒙泣 ●悶持弌，來嬬互。壓鴻刑議撞揮囃，斤掲斤各襖（慌蓑）撹蛍⑪ 幣凪單埆議縫受來。 ●窮送亶息陣崙噐0.75mA參和。 ●寡喘左俊喘耗砿極徨恬葎銭俊極徨。


    Original     		PDF ZUG-12A ZUG2203-12A ZUG2206-12A UL1283 E62388 EN60939 P08208996 LR76849C ZUG2203-12A ZUG2206-12A

    D74HC04C

    Abstract: AVRL101A6R8GT smd diode 1410 AVRL101A1R1N AVR-M1005C6R8N AVRM0603C080M-101N 0215C zener 7.5 B 47 AVRM1005C6R8N avr generator
    Text: 1/10 儿樗窮怦匂(SMD) 惜喊嚥斤貨喘 RoHS峺綜斤哘恢瞳 AVR 狼双 AVR-M,AVRL 侏 儿樗窮怦匂（Variable resistor）頁窮怦峙咀現紗窮儿遇延晒議窮儿 卆正來掲㌔來窮怦圷周。 儿樗窮怦匂㌢輝噐 2 倖堪選銭俊議馴追屈自砿（Zener diode）。咀


    Original     		PDF 2002/95/EC AVR-M1608C120MT6AB D74HC04C -630A 200pF-0 AVRL101A3R3FT AVRL101A6R8GT D74HC04C smd diode 1410 AVRL101A1R1N AVR-M1005C6R8N AVRM0603C080M-101N 0215C zener 7.5 B 47 AVRM1005C6R8N avr generator

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    Abstract: No abstract text available
    Text: フラットパネルセンサ C7942CA-22 大受光面 120 x 120 mm C7942CA-22は小型で軽量なデジタルX線イメージセンサです。非破壊検査・バイオケミカル・X線顕微鏡などのキーデバイス として開発されました。高分解能・高品位のデジタルX線画像をリアルタイムでとらえることができます。


    Original     		PDF C7942CA-22 C7942CA-22ã KACCC0406JA A8406ã KACC1160J07

    MLCC AVX

    Abstract: ESR 48 AEC-Q200 mlcc AVX MLCC AECQ200
    Text: AVX 多层陶瓷电容 FLEXITERMTM:预防电容破裂失效指南 作者：Mark Stewart 陶瓷电容产品市场技术部经理 AVX 责任有限公司 Coleraine，北爱尔兰， 摘要 MLCC 电容的巨大普及性与可选择性技术的比较，首先是他们出色的可靠性记录和低成本。


    Original     		PDF AEC-Q200 MLCC AVX ESR 48 AEC-Q200 mlcc AVX MLCC AECQ200

    20SE471

    Abstract: TND14SE471KT 10n 471k 431k TND20V-221K TND14SE511KT TNR 241K TNR10SE471K-T TNR10SE621K-T TND10SE621KT
    Text: RoHS指令 適合品 バリスタの耐量をはるかに超えるサージエネルギーの印加によってバリスタが破壊した 場合一般のバリスタでは外装樹脂が燃える場合があります。 TNR SE シリーズは、バリスタが過大なサージエネルギーを吸収して万一破壊した場合


    Original     		PDF UL1449 FileE323623 UL1414 FIleE6542612SE FileLR-97864 File118623 1006D 20RH20 DC5060HzAC 8/20s152 20SE471 TND14SE471KT 10n 471k 431k TND20V-221K TND14SE511KT TNR 241K TNR10SE471K-T TNR10SE621K-T TND10SE621KT

    SiC IGBT

    Abstract: No abstract text available
    Text: 08cj-B-01 参考出展 SiCパワーデバイス SiC Power Devices ◆ SiCの特長 - Siの10倍の破壊電界強度を持つ炭化珪素（SiC）を用いたパワーデバイス - 耐圧600V~1200V系Si-PiNダイオードIGBTを高速なユニポーラ素子に


    Original     		PDF 08cj-B-01 600V1200VSi-PiN 00A/cm2 IGBT70% SiC IGBT

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    Abstract: No abstract text available
    Text: Classification REFERENCE SPECIFICATION Part Name Issue № Part № EVQ P0D 07K LIGHT TOUCH SWITCH 11－1 1. 通知事項 1.1 適用される法律および規制 ①本製品はモントリオール議定書で規制されているオゾン層破壊物質を使用部材の製造工程で


    Original     		PDF 2002/95/EC)

    mf5e

    Abstract: INTC00 HT66F60 MF5F HT66F60 52QFP
    Text: HT66Fx0 使用 LVD 的設定與注意事項 HT66Fx0 使用 LVD 的設定與注意事項 文件編碼：HA0193T 簡介 HT66Fx0 系列 MCU 突破傳統 LVD 的電壓點固定執行 HALT 指令後無效等硬體制約，採 用了新型的 LVD 架構，可軟體配置 LVD 電壓點，且能在檢測到低電壓時產生中斷並具備喚


    Original     		PDF HT66Fx0 HA0193T HT66F20/30/40/50 HT66F60 HT66F60) mf5e INTC00 MF5F HT66F60 52QFP

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    Abstract: No abstract text available
    Text: 最大定格について •最大定格の定義 T a ＝2 5 ℃時 製品の動作を制限する要因として電圧、電流、温度、消費電力がありますが、当社製品を使用して頂く時には、これらを考慮して頂か ないと製品の劣化・破壊につながる場合があります。その為、当社では最大定格を規定しており、その規定している値を一瞬たりとも越え


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    Abstract: No abstract text available
    Text: 2003 年 10 月 フ ジ ク ラ 技 報 第 105 号 新 製 品 紹 介 光ファイバIDテスタR 光ファイバ伝送路の敷設や保守，撤去を実施す 光レベル測定，損失測定の3種類の機能を実現． る場合，非破壊で特定の光ファイバ心線を判別す


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    Abstract: No abstract text available
    Text: 16素子Siフォトダイオードアレイ S11212-421 S11212シリーズ S11212-321 S11212-121 S11212-021 X線非破壊検査用の裏面入射型 フォトダイオードアレイ 裏面入射型構造を採用したＸ線非破壊検査用の16素子Siフォトダイオードアレイです。当社従来品 S5668シリーズ に比


    Original     		PDF S11212-421 S11212ã S11212-321 S11212-121 S11212-021 S5668ã

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    Abstract: No abstract text available
    Text: 赤外LED L12170 砲弾型パッケージの高出力LED L12170は砲弾型パッケージの赤外LEDです。低価格とともに高出力・高速応答を実現しています。 特長 用途 高出力 赤外照明 高速応答 産業機器 計測機器


    Original     		PDF L12170 L12170ã KLEDB0412JA KLEDB0377JA KLEDA0096JB KLED1063J05