quarz
Abstract: Quarzoszillator C-Mos/TTL-kompatibel nf schaltungen telefunken transistoren SN74xx TELEFUNKEN Quarzoszillator EB155A oszillator SN74S124
Text: EB155A Quarzoszillatoren EB155A Quarzoszillatoren mit TTL- und CMOSSchaltungen Verfasser: Axel Streicher Datum: November 1984 Rev.: A Überarbeitet: Eilhard Haseloff Datum: April 1996 1 Applikationslabor EB155A Quarzoszillatoren Die in diesem Applikationsbericht enthaltenen Angaben und
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EB155A
quarz
Quarzoszillator C-Mos/TTL-kompatibel
nf schaltungen
telefunken transistoren
SN74xx
TELEFUNKEN
Quarzoszillator
EB155A
oszillator
SN74S124
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SN7400
Abstract: SN74H SN74LVT244 SN74S40 SN74BCT25240 and gatter SN7440 SN74ALS00 SN74ALS240 SN74LS240
Text: EB 214 Ein- und Ausgangskennlinien Verfasser: Peter Forstner Datum: 02.08.94 Rev.: 1.0 Der vorliegende Bericht enthält eine Sammlung der Ein- und Ausgangskennlinien der typischen integrierten Schaltungen aus den verschiedenen Logikfamilien. Über die in den Datenblättern genannten Werte hinaus geben diese Kurven
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SN74LV244
SN74LVC244
SN74ALVC16244
SN74LVT244
SN7400
SN74H
SN74LVT244
SN74S40
SN74BCT25240
and gatter
SN7440
SN74ALS00
SN74ALS240
SN74LS240
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DRAM "deep trench" capacitor
Abstract: edram
Text: S ie m e ns Embedded DRAMs und Ihre Anwendung Dr.-Ing. Jörg Schönfeld, Siemens AG, München q q q q Technologie- und Marktanforderungen angepaßte Systemarchitektur mit eDRAMs Modulares Core-Konzept Anwendungen S ie m e ns Dr.-Ing. J. Schönfeld HL DC PE MC 5
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SF HD60
Abstract: ic temperaturregler CMRD4865 miniatur linear potentiometer and gatter CXE DIODE D2425 H12WD4890 hd4850 LR1200480D25R
Text: DER WELTMARKTEXPERTE FÜR HALBLEITERRELAISTECHNIK Platinenmontage Schaltschrankmontage DIN-Schienenmontage Zusatzmodule E/A-Module Halbleiterrelais • Zusatzmodule • E/A Module C rydom hat einen ausgezeichneten Ruf als Lieferant fortschrittlicher und hochwertiger
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Bangalore-560001
SF HD60
ic temperaturregler
CMRD4865
miniatur linear potentiometer
and gatter
CXE DIODE
D2425
H12WD4890
hd4850
LR1200480D25R
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nf schaltungen
Abstract: digitale schaltungen EB215 schaltungen and gatter quarz smd N induktiv eilhard haseloff
Text: EB215 Elektromagnetische Verträglichkeit EB215 EMV-gerechte Gestaltung von Leiterplatten Verfasser: Eilhard Haseloff Datum: Mai 1993 Rev.: * 1 Applikationslabor EB215 Elektromagnetische Verträglichkeit Die elektromagnetische Verträglichkeit von elektronischen Schaltungen und
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EB215
nf schaltungen
digitale schaltungen
EB215
schaltungen
and gatter
quarz smd N
induktiv
eilhard haseloff
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Quarzoszillator
Abstract: leistungstransistoren schaltungen 1N4001 SN74ALS138 SN74BCT2414 SN74HC138 SN74HCT138 TIP32 TL7705A
Text: EB181A Datensicherung EB181A Datensicherung in batteriegepufferten Speichern mit dem Dekoder SN74BCT2414 Verfasser: Eilhard Haseloff Datum: 27.07.1988 Rev.: A Überarbeitet: 13.10.1995 1 Applikationslabor EB181A Datensicherung Dieser Bericht beschreibt die Funktion und Anwendung des Dekoders SN74BCT2414, der
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EB181A
SN74BCT2414
SN74BCT2414,
SN74BCT2414.
Quarzoszillator
leistungstransistoren
schaltungen
1N4001
SN74ALS138
SN74BCT2414
SN74HC138
SN74HCT138
TIP32
TL7705A
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29833
Abstract: F657 SN74ABT657
Text: EB 207 Parity Bus Transceivers Verfasser: Peter Forstner Datum: 20.08.92 Rev.: 1.0 Dieser Applikationsreport behandelt den Einsatz von bidirektionalen Bustreibern mit eingebauter Paritätsgenerierung und Paritätsprüfung. Neben dem Aufbau derartiger Schaltkreise wird ihre Anwendung gezeigt.
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schaltungen
Abstract: digitale schaltungen Und Gatter SN74ALS00 SN74ALS245A SN74HC SN74HC245 SN74HCT245 cmoslogikfamilie SN74ALS03
Text: EB163A HCT-Schaltungen EB163A Einsatzmöglichkeiten und Grenzen der SN54/74HCT CMOS-Logikfamilie Verfasser: Eilhard Haseloff Datum: 18.04.1985 Überarbeitet: Januar 1996 Rev.: A 1 Applikationslabor EB163A HCT-Schaltungen Dieser Bericht beschreibt die Einsatzmöglichkeiten der High-Speed-CMOS-Familie
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EB163A
SN54/74HCT
SN54/74HCT.
schaltungen
digitale schaltungen
Und Gatter
SN74ALS00
SN74ALS245A
SN74HC
SN74HC245
SN74HCT245
cmoslogikfamilie
SN74ALS03
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AD074452
Abstract: iC-MB3 IC-PROG and gatter MikroC interbus
Text: FACHBEITRAG SENSOREN 53 Sensorik mit Biss Offene, digitale Schnittstelle für Mess- und Antriebssysteme Im Sensor-Markt findet sich eine Vielzahl etablierter StandardSchnittstellen, die entweder Punkt zu Punkt oder im Busverband die Sensor-Kommunikation mit der Steuerung oder einem Messgerät übernehmen.
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aud24
AD074452
AD074452
iC-MB3
IC-PROG
and gatter
MikroC
interbus
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DRAM "deep trench" capacitor
Abstract: No abstract text available
Text: Embedded DRAMs und ihre Anwendung Dr.-Ing. Jörg Schönfeld, Siemens AG, HL DC PE MC, Postfach 80 17 09, D-81617 München email: [email protected] 1. Abstract 3. Stand der Technik Dieser Beitrag diskutiert zuerst allgemeine Aspekte von embedded DRAMs [eDRAMs]
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D-81617
DRAM "deep trench" capacitor
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SCL4013BE
Abstract: VEB mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik Heft v 4013 d mikroelektronik Heft 12 MHF 4013 V4001D ic HEF 4013 Schieberegister
Text: o = ü = D D [ ] = « [ r q s e l e l - « t e n o n i l - f Integrierte Schaltkreise Funktion und Einsatzmöglichkeiten CMOS-Logikschaltkreise V 4013 D, V 4015 D und V 4027 D C M O S - Logikbaureihe V 40 00 D Heft 3 Funktion und Einsatzm öglichkeiten der
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VEB mikroelektronik
Abstract: 4011 BP TOSHIBA V40511D Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 mikroelektronik Heft SCL4001BE information applikation mikroelektronik SCL4030BE SCL4011BE
Text: ö=ü ] k :n ^ G le l- c t 3 n o n il- c Integrierte Schaltkreise Funktion und Einsatzmöglichkeiten CMOS-Logikschaltkreise V 4001 D, V 4011 D, V 4012 D, V 4023 D und V 4030 D CM OS - Logikbaureihe V 4 0 0 0 D Heft 2 Funktion und Einsatzm öglichkeiten der
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V4001
Kennw01
VEB mikroelektronik
4011 BP TOSHIBA
V40511D
Mikroelektronik Information Applikation
mikroelektronik Heft 12
mikroelektronik Heft
SCL4001BE
information applikation mikroelektronik
SCL4030BE
SCL4011BE
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VEB mikroelektronik
Abstract: E355D D410D mikroelektronik DDR E351D DDR Schaltkreise Transistoren DDR E412D elektronik DDR E345D
Text: ^ o n ij- c B ip o la r e reise Bipolare digitale Schaltkreise Dekoder, Treiber, Timer Inhaltsverzeichnis Seite Typenübersicht 5 Kurzzeichenübersicht 6 Technische Erläuterungen 7 - Zuverlässigkeit 8 - Definitionen 9 - G renz- und Betriebswerte 12 - Einbau- und Lötvorschriften
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D4501X1
VEB mikroelektronik
E355D
D410D
mikroelektronik DDR
E351D
DDR Schaltkreise
Transistoren DDR
E412D
elektronik DDR
E345D
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: BEL 639 transistor Sowjetische Halbleiter-Bauelemente KBC111 k4213 Germanium Transistor katalog radio fernsehen elektronik elektronik DDR KT904 KT372
Text: K a ta lo g sowjetischer H albleiterbauelem ente Si« linden im K a t a lo g t e il : Der hiermit unseren Lesern vorgelegte Katalog sowjetischer Transistoren, Dioden und integrierter Schaltkreise ist das Resultat enger Zusammen arbeit zwischen dem VEB Elektronikhandel Berlin und der Redaktion der
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SGNTEC TOMS vm m . wmm Lieferprogramm Seite 1 von 4 DSP Group DSPs für digitale Sprachkompression TRUESPEECH und 723 und andere) fü r A n w e n d u n g in d ig ita le n Anrufbeantwortern, Computer-Telefonie, Internet usw. Ìli E S S T ech n o lo gy in i
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16-BIT-Stereo-Codec
R3000/R4000/R5000
bis450V.
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D410D
Abstract: Scans-048 D10A169 DSAGER00019
Text: D 410 D I n t e g r i e r t e r k u r z s c h lu ß f e s te r T r e ib e r s c h a lt k r e l s 3 UND-Gatter Der S c h a l t k r e is z e ic h n e t s ic h du rch hohe S t ö r s i c h e r h e i t und Z e r s t ö r f e s t i g k e i t a u s . E r b e s te h t aus 3 UND-Gattern m it 2 , 3
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II1/18/397
D410D
Scans-048
D10A169
DSAGER00019
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B084D
Abstract: DL074D 74LS74N transistor vergleichsliste TRANSISTOR 132D VEB mikroelektronik schlenzig B4761D B761D B176D
Text: Neue Halbleiterbauelemente KLAUS SCHLENZIG/ DIETER JUNG Operations verstärker LowPower- SchottkyReihe KLAUS SCHLENZIG/DIETER JUNG Neue Halbleiter bauelemente Operationsverstärker und Low-Power-Schottky-Reihe Militärverlag der D eutschen Demokratischen
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Relais ITT
Abstract: DIODE 5TE elektronik DDR bauelemente DDR VEB M ik ro e le k tro n ik VEB Kombinat Transistoren DDR TRANSISTOR KATALOG translog Kombinat VEB A 281
Text: KOMBINAT VEB ELEKTRO- APPARATE - WERKE BERLIN-TREPTOW O ursalog G Digitale Bausteine M odul 20 In h a ltsverzeich n is Seite Allgemeine Übersicht Konstruktiver und funktioneller Aufbau Systemparameter Zusammenschaltregeln Betriebsdaten ursamat Gefäßsystem
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EEL52F
Relais ITT
DIODE 5TE
elektronik DDR
bauelemente DDR
VEB M ik ro e le k tro n ik
VEB Kombinat
Transistoren DDR
TRANSISTOR KATALOG
translog
Kombinat VEB A 281
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C
Text: electronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz-und Kenndaten der in der DDR getertigten Halbleiterbauelemente. Die Kennwerte werden im allgemeinen für eine Umgebungs temperatur von 25 °C angegeben.
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6x10x12
Halbleiterbauelemente DDR
Dioden SY 250
diode sy-250
B250C135
u103d
GD244
transistor gc 301
SAM42
diode sy 166
D172C
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VOGT p8
Abstract: tic 2160 triac kaschke fi 270 uaa145 EQUIVALENT UAA145 "direct replacement" TDA1086T telefunken transistor Kaschke Components CQY40 UAA146
Text: Allgemeines General Seite Page • H I Schaltungen fur Rundfunkempfanger Circuits for radio receivers Seite Page Schaltungen fur die Signalverarbeitung in Fernsehempfangern Circuits for the signal processing in television receivers Seite ■ Page ■ Schaltungen fur Bedienungssysteme in Rundfunk- und
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Scans-048
Abstract: DSAGER000249 schaltungen
Text: ALLGEMEINE HINWEISE ZU DEN TTL-SERIEN 49/54/74 T TL-IC 's sind integrierte Schaltkreise der Digital technik. Die Schaltfunktionen werden durch direkte K opp lung in Transistor-Transistor-Logik erreicht. Die Gruppenbezeichnung 54 . . . und 74 . . . kenn
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54er-Serie
74er-Serie
49er-Serie
74erSerie.
Scans-048
DSAGER000249
schaltungen
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E412D
Abstract: information applikation information applikation mikroelektronik applikation heft Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik Heft 12 aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik DDR
Text: innjolkiij ii l _!Il j I h Information Applikation L . i m in i l- c Die vorliegende technische Information dient dea Informati. bedürfnis des Schaltungsentwicklers sowie interessierten Technikers im In- und Ausland eu speziellen aasgewählten Erzeugnissen der Halbleiterbauelemente-Industrie der
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs temperatur von 25 °C angegeben.
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DOR102
Halbleiterbauelemente DDR
GAZ17
diode sy-250
"halbleiterwerk frankfurt"
sal41
diode sy-170
SF 127
diode say17
Halbleiter-Bauelemente DDR
SY 170
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: diode BZW 70-20 VEB mikroelektronik Datenblattsammlung mikroelektronik DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik datenblattsammlung mikroelektronik applikation information applikation mikroelektronik "halbleiterwerk frankfurt"
Text: 9 ¡M i n M W V S I I V I S N l l ¥ a Die vorliegenden Datenblätter dienen als Informationsmaterial für Geräteentwickler und Konstrukteure, Sie beinhalten Informationen über Halbleiterbauelemente des in "den Listen elektronischer Baulemente eingestuften Sortiments.
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V4019
DDR-1035
Halbleiterbauelemente DDR
diode BZW 70-20
VEB mikroelektronik
Datenblattsammlung
mikroelektronik DDR
aktive elektronische bauelemente ddr
mikroelektronik datenblattsammlung
mikroelektronik applikation
information applikation mikroelektronik
"halbleiterwerk frankfurt"
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