A1193
Abstract: 3ln04ch marking la IT1171
Text: 3LN04CH Ordering number : ENA1193 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET 3LN04CH General-Purpose Switching Device Applications Features • 1.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Drain-to-Source Voltage
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Original
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3LN04CH
ENA1193
PW10s,
900mm20
A1193-4/4
A1193
3ln04ch
marking la
IT1171
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PDF
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a1194
Abstract: MOSFET IGSS 100A 3LN04S
Text: 3LN04S Ordering number : ENA1194 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET 3LN04S General-Purpose Switching Device Applications Features • 1.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage
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Original
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3LN04S
ENA1194
PW10s,
145mm80mm1
A1194-4/4
a1194
MOSFET IGSS 100A
3LN04S
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PDF
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A1196
Abstract: 3LN04SS 3ln04
Text: 3LN04SS Ordering number : ENA1196 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET 3LN04SS General-Purpose Switching Device Applications Features • • 1.5V drive. Halogen Free compliance. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter
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Original
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3LN04SS
ENA1196
PW10s,
145mm80mm1
A1196-4/4
A1196
3LN04SS
3ln04
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PDF
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TA-3308
Abstract: CPH6313
Text: CPH6313 注文コード No. N 7 0 1 7 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N7017 をさしかえてください。 CPH6313 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 特長 ・低オン抵抗。
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Original
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CPH6313
N7017
1200mm2
1200mm
IT03600
IT03138
IT03601
TA-3308
CPH6313
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PDF
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CPH6313
Abstract: IT03135
Text: CPH6313 Ordering number : EN7017A SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH6313 P-Channel Silicon MOSFET High-Speed Switching Applications Features • • • Low ON-resistance. High-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
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Original
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CPH6313
EN7017A
PW10s,
1200mm20
CPH6313
IT03135
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PDF
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A11612
Abstract: A1161-4 2a11612 A1161 CPH5870 IT13497
Text: CPH5870 注文コード No. N A 1 1 6 1 三洋半導体データシート N CPH5870 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した複合タイプ
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Original
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CPH5870
600mm2
51408PE
TC-00001359
A1161-1/5
ID00340
A1161-4/5
A11612
A1161-4
2a11612
A1161
CPH5870
IT13497
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PDF
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A1195
Abstract: No abstract text available
Text: MCH6650 注文コード No. N A 1 1 9 5 三洋半導体データシート N MCH6650 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・1.5V 駆動。 ・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。
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Original
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MCH6650
900mm2
200mA
200mA,
100mA,
IT11717
900mm2
IT13627
A1195
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PDF
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a1198
Abstract: 7028 NS A1198
Text: SCH2408 Ordering number : ENA1198 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET SCH2408 General-Purpose Switching Device Applications Features • • 1.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.
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Original
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SCH2408
ENA1198
PW10s,
900mm20
A1198-4/4
a1198
7028
NS A1198
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PDF
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mosfet xb
Abstract: No abstract text available
Text: MCH6650 Ordering number : ENA1195 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET MCH6650 General-Purpose Switching Device Applications Features • • 1.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.
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Original
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MCH6650
ENA1195
PW10s,
900mm20
A1195-4/4
mosfet xb
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PDF
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2a11612
Abstract: 2S200
Text: CPH5870 Ordering number : ENA1161 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5870 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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CPH5870
ENA1161
A1161-5/5
2a11612
2S200
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PDF
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A1198
Abstract: IT1171 NS A1198 IT11710
Text: SCH2408 注文コード No. N A 1 1 9 8 三洋半導体データシート N SCH2408 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・1.5V 駆動。 ・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。
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Original
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SCH2408
900mm2
200mA
200mA,
100mA,
IT11717
PW10s
900mm2
IT13629
A1198
IT1171
NS A1198
IT11710
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PDF
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: EC4409C Ordering number : ENA1197 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET EC4409C General-Purpose Switching Device Applications Features • • 1.5V drive. Halogen Free compliance UL94 HB . Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
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Original
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EC4409C
ENA1197
PW10s,
145mm80mm1
A1197-4/4
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PDF
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A1196
Abstract: IT1171 3LN04SS IT11710
Text: 3LN04SS 注文コード No. N A 1 1 9 6 三洋半導体データシート N 3LN04SS N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・1.5V 駆動。 ・ハロゲンフリー対応。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
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Original
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3LN04SS
145mm
200mA
200mA,
100mA,
IT11716
350mA
145mm
A1196
IT1171
3LN04SS
IT11710
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PDF
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