GEX06260 Search Results

GEX06260 Datasheets Context Search

Catalog Datasheet	MFG & Type	Document Tags	PDF
GEX06260 Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 OHR01882 transistor SR 51 Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 1.8 1.2 29 27 Cathode Diode Collector (Transistor) 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fex06260 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.5 g	Original	GEX06260 fex06260 OHR01041 OHR01882 OHR00860 GEX06260 Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 OHR01882 transistor SR 51	PDF
GEX06260 Abstract: Q62702-P1667 Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1753 Q62702-P1754 Text: NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA fex06626 .Neu: Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 1.8 1.2 29 27 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fexf6626 Cathode Diode Collector (Transistor)	Original	fex06626 GEX06260 fexf6626 OHF02336 OHF02342 OHF02340 GEX06260 Q62702-P1667 Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1753 Q62702-P1754	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: Opto Semiconductors GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4 5.7 5.1 29 27 Chip position Cathode Diode Collector (Transistor) fex06260 1.8 1.2 GEX06260	Original	fex06260 GEX06260 OHR01041 OHR01882 OHR00860	PDF
GEX06260 Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 1.8 1.2 29 27 Cathode Diode Collector (Transistor) 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fex06260 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.5 g	Original	GEX06260 fex06260 OHR01041 OHR01882 OHR00860 GEX06260 Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820	PDF
GEX06260 Abstract: Q62702-P1671 Q62702-P930 SFH213FA 870nm Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 213 SFH 213 FA SFH 213 SFH 213 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 213 und bei 880 nm (SFH 213 FA)	Original	OHR00883 OHF01026 GEX06260 GEX06260 Q62702-P1671 Q62702-P930 SFH213FA 870nm	PDF
Q62702-P1667 Abstract: Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1754 Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA SFH 313 SFH 313 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 313 und bei 880 nm (SFH 313 FA) • Hohe Linearität • 5 mm-Plastikbauform	Original	OHF02340 GEX06260 Q62702-P1667 Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1754	PDF
foto transistor Abstract: OHF02331 p1752 phototransistor 500-600 nm GEX06260 Q62702-P1667 Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1753 Text: SFH 313 SFH 313 FA NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA fex06626 .Neu: Area not flat 1.8 1.2 29 27 Cathode Diode Collector (Transistor) 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 2.54 mm spacing 0.6 0.4 0.6 0.4	Original	fex06626 GEX06260 fexf6626 OHF02336 OHF02342 OHF02340 foto transistor OHF02331 p1752 phototransistor 500-600 nm GEX06260 Q62702-P1667 Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1753	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: SIEMENS Neu: NPN-Silizium-Fototransistor SFH 313 SFH 313 FA New: Silicon NPN Phototransistor .O -'“ ’ Area not flat 9.0 5.9 5.5 0.6 0.4 5.1 Chip position Cathode Diode Collector (Transistor) GEX06260 M aße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified.	OCR Scan	GEX06260 313FA, OHFD2336	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: SIEMENS Neu: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit New: Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 213 SFH 213 FA CO CM Û O CO Area not flat 0.6 0 .4 Cathode (Diode Collector (Transistor) GEX06260 (O (O (O C\J Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.	OCR Scan	GEX06260	PDF
Q1031 Abstract: No abstract text available Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 A re a not flat 5.9 5.5 0.4 GEX06260 Collector Transistor Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. W esentliche Merkmale Features	OCR Scan	GEX06260 Q1031	PDF