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    Abstract: No abstract text available
    Text: Dual N-channel MOSFET ELM14828AA-N •General description ■Features ELM14828AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • Vds=60V Id=4.5A (Vgs=10V) Rds(on) < 56mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 77mΩ (Vgs=4.5V)


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    Text: Dual N-channel MOSFET ELM14828AA-N •General description ■Features ELM14828AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • Vds=60V Id=4.5A (Vgs=10V) Rds(on) < 56mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 77mΩ (Vgs=4.5V)


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    Text: 双 N 沟道 MOSFET ELM14828AA-N •概要 ■特点 ELM14828AA-N 是 N 沟道低输入电容低工作电压、 •Vds=60V 低导通电阻的大电流 MOSFET,内藏有两个 MOSFET。 ·Id=4.5A Vgs=10V ·Rds(on) < 56mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 77mΩ (Vgs=4.5V)


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    Text: デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM14828AA-N •概要 ■特長 ELM14828AA-N は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=60V オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー ・ Id=4.5A Vgs=10V MOSFET です。


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