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Untitled Abstract: No abstract text available Text: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM16604EA-S •概要 ■特長 ELM16604EA-S は低入力容量 N チャンネル P チャンネル低電圧駆動、低オン抵抗という特・ Vds=20V Vds=-20V 性を備えた大電流 MOSFET です。	Original	ELM16604EA-S	PDF
复合 Abstract: ELM16604EA Text: 复合沟道 MOSFET ELM16604EA-S •概要 ■特点 N 沟道 ELM16604EA-S 是低输入电容低工作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=20V P 沟道 ·Vds=-20V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=3.4A Vgs=4.5V	Original	ELM16604EA-S 复合 ELM16604EA	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: Complementary MOSFET ELM16604EA-S •General Description ■Features ELM16604EA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. N-channel • • • • • P-channel Vds=20V Vds=-20V Id=3.4A(Vgs=4.5V) Id=-2.5A(Vgs=-4.5V)	Original	ELM16604EA-S ELM16604EA-S	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: Complementary MOSFET ELM16604EA-S •General Description ■Features ELM16604EA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. N-channel • • • • • Vds=20V Vds=-20V Id=3.4A(Vgs=4.5V) Id=-2.5A(Vgs=-4.5V) Rds(on) < 60mΩ(Vgs=4.5V) Rds(on) < 110mΩ(Vgs=-4.5V)	Original	ELM16604EA-S ELM16604EA-S	PDF