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Abstract: No abstract text available
Text: Single N-channel MOSFET ELM32434LA-S •General description ■Features ELM32434LA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • Vds=600V • Id=2A • Rds(on) < 4.4Ω (Vgs=10V) ■Maximum absolute ratings
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Original
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ELM32434LA-S
ELM32434LA-S
P0001
Mar-23-2009
O-252
P0260AD
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ELM32434LA
Abstract: No abstract text available
Text: 单 N 沟道 MOSFET ELM32434LA-S •概要 ■特点 ELM32434LA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=600V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=2A ·Rds on < 4.4Ω (Vgs=10V) ■绝对最大额定值 项目 如没有特别注明时, Ta=25℃
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ELM32434LA-S
Mar-23-2009
P0260AD
O-252
FieldELM32434LA-S
ELM32434LA
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Text: Single N-channel MOSFET ELM32434LA-S •General description ■Features ELM32434LA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • Vds=600V • Id=2A • Rds(on) < 4.4Ω (Vgs=10V) ■Maximum absolute ratings
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Mar-23-2009
P0260AD
O-252
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P0260AD
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Text: シングル N チャンネル MOSFET ELM32434LA-S •概要 ■特長 ELM32434LA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=600V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=2A ・ Rds on < 4.4Ω (Vgs=10V) ■絶対最大定格値
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Mar-23-2009
P0260AD
O-252
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