ELM34413AA
Abstract: No abstract text available
Text: 单 P 沟道 MOSFET ELM34413AA-N •概要 ■特点 ELM34413AA-N 是 P 沟道低输入电容，低工作电 •Vds=-30V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=-12A ·Rds on < 12mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 19mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值
|
Original
|
ELM34413AA-N
4413AA-N
P1203EVG
MAR-30-2006
ELM34413AA
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: シングル P チャンネル MOSFET ELM34413AA-N •概要 ■特長 ELM34413AA-N は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-12A ・ Rds on < 12mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 19mΩ (Vgs=-4.5V)
|
Original
|
ELM34413AA-N
P1203EVG
MAR-30-2006
ModeELM34413AA-N
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Single P-channel MOSFET ELM34413AA-N •General description ■Features ELM34413AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=-30V Id=-12A Rds(on) < 12mΩ (Vgs=-10V) Rds(on) < 19mΩ (Vgs=-4.5V)
|
Original
|
ELM34413AA-N
ELM34413AA-N
P1203EVG
MAR-30-2006
|
PDF
|
p1203evg
Abstract: No abstract text available
Text: Single P-channel MOSFET ELM34413AA-N •General description ■Features ELM34413AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=-30V Id=-12A Rds(on) < 12mΩ (Vgs=-10V) Rds(on) < 19mΩ (Vgs=-4.5V)
|
Original
|
ELM34413AA-N
ELM34413AA-N
P1203EVG
MAR-30-2006
p1203evg
|
PDF
|