ELM36400EA
Abstract: No abstract text available
Text: 单 N 沟道 MOSFET ELM36400EA-S •概要 ■特点 ELM36400EA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=7A ·Rds on < 27mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 40mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目
|
Original
|
PDF
|
ELM36400EA-S
AUG-12-2005
P2703BAG
ELM36400EA
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: シングル N チャンネル MOSFET ELM36400EA-S •概要 ■特長 ELM36400EA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=7A ・ Rds on < 27mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 40mΩ (Vgs=4.5V)
|
Original
|
PDF
|
ELM36400EA-S
AUG-12-2005
P2703BAG
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Single N-channel MOSFET ELM36400EA-S •General description ■Features ELM36400EA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=30V Id=7A Rds(on) < 27mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 40mΩ (Vgs=4.5V)
|
Original
|
PDF
|
ELM36400EA-S
ELM36400EA-S
AUG-12-2005
P2703BAG
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Single N-channel MOSFET ELM36400EA-S •General description ■Features ELM36400EA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=30V Id=7A Rds(on) < 27mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 40mΩ (Vgs=4.5V)
|
Original
|
PDF
|
ELM36400EA-S
ELM36400EA-S
AUG-12-2005
P2703BAG
|