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    F 0094U

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 950 nm, 300 µm Kantenlänge GaAs Infrared Light Emitting Diode (950 nm, 12 mil) F 0094U F 0094V Vorläufige Daten / Preliminary data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 15 mW @ 100 mA im TOPLED Gehäuse


    Original     		0094U F 0094U PDF

    osram topled

    Abstract: GMOY6080
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode 950 nm GaAs Infrared Emitter (950 nm) F 0094U F 0094V Wesentliche Merkmale • • • • • • Features Chipgröße 300 x 300 µm GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen Gleichstrom- oder Impulsbetrieb möglich


    Original     		0094U osram topled GMOY6080 PDF