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    K100F06K

    Abstract: TK100 TK100F06K3
    Text: K100F06K3 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 U-MOSIV K100F06K3 ○ スイッチングレギュレータDC-DC コンバータ用 ○ モータドライブ用 • 取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。


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    TK100F06K3 K100F06K TK100 TK100F06K3 PDF

    toshiba transistor date code marking

    Abstract: TK100F06K3 K100F06K
    Text: K100F06K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type U-MOSIV K100F06K3 Swiching Regulator, DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications High forward transfer admittance: |Yfs| = 174 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V)


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    TK100F06K3 toshiba transistor date code marking TK100F06K3 K100F06K PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: K100F06K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type U-MOSIV K100F06K3 Swiching Regulator, DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications High forward transfer admittance: |Yfs| = 174 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V)


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    K100F06K

    Abstract: TK100F06K3 TK100 2-10W1A K100F06K3
    Text: K100F06K3 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 U-MOSIV K100F06K3 ○ スイッチングレギュレータDC-DC コンバータ用 ○ モータドライブ用 • 取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。


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    Abstract: No abstract text available
    Text: K100F06K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type U-MOSIV K100F06K3 Swiching Regulator, DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications High forward transfer admittance: |Yfs| = 174 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V)


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    TK100F06K3 18mitation, PDF