BUW58
Abstract: BUW57 BUW73 Q62702 Q62901-B11-A Q62901-B50 Q62702-U263
Text: BUW 57 BUW 58 BUW 73 N P N -S iliziu m -Leistu n g stra n sisto ren V o r lä u f ig e D a te n B U W 57, B U W 58 und B U W 73 sind N PN -Silizium -Leistungstransistoren in D reifachdiffu sionstechnik im Gehäuse 3 A 2 DIN 41 872 T O -3 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch
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Q62702-U263
Q62702-U262
Q62702â
Q62901-B11-A
Q62901-B50
BUW58
BUW57
BUW73
Q62702
Q62901-B11-A
Q62901-B50
Q62702-U263
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l 129 v
Abstract: BD129 bd127 128bd bd128 0477A2 BD 127 V2412 127BD TFK BD 128
Text: BD 127 BD 128 BD 129 'V Silizium-NPN-Planar-Leistungstransistoren Silicon NPN Planar Power Transistors Anwendungen: Allgemein bei hohen Betriebsspannungen Applications: General at high supply voltages Features: Besondere Merkmale: • Hohe Sperrspannung • High reverse voltage
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BD237
Abstract: BD 235 BD233 SD235 BD235 BD 100 V BD 237 to 126 leistungstransistoren 32-DIN BD NPN transistors
Text: BD 233 * BD 235 - BD 237 Silizium-NPN-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon NPN Epibase Power Transistors Anwendungen: Audio-Treiber- und Endstufen Applications: Audio driver and output stages Besondere Merkmale: • Hohe Spitzenleistung Features: • High peak power
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2DIN125A
150mA1)
BD237
BD 235
BD233
SD235
BD235
BD 100 V
BD 237
to 126 leistungstransistoren
32-DIN
BD NPN transistors
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BD436
Abstract: BD 434 B0436 d341 LT 436 BD434
Text: BD 434 - BD 436 'W Silizium-PNP-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon PNP Epibase Power Transistors Anwendungen: NF-Endstufen Applications: AF-output stages Besondere Merkmale: • Niedrige Betriebsspannung speziell für Autoradiobetrieb Features: • Low supply voltage especially tor automobil radio
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tfk 135
Abstract: bd139 tfk BD 139 140 BD 139 N tfk bd 137 j BD 139 TFK bd139 tfk 136 BD139 bd 135
Text: V BD 135 • BD 137 • B D 139 Silicon NPN Epitaxial Planar Power Transistors Anw endungen: Allgemein Im NF-Bereich Applications: General in AF-range Features: Besondere Merkmale: • Verlustleistung 8 W
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erlegscheibe32D
N125A
tfk 135
bd139 tfk
BD 139 140
BD 139 N
tfk bd 137 j
BD 139
TFK bd139
tfk 136
BD139
bd 135
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TRR25-10XX2
Abstract: TRR 100-12xx2 transistor c282 trr 30-06xx2 TRANSISTOR BIPOLAIRE 75-10xx2 06XX2 50-10XX2 5012-X ISOLA DE 156
Text: A S E A B R Oü JN /AB B □□40300 S.ENICOÎ' □□□□SOS Transistor-Module T R R . Transistor-Modules TRR. 2 Leistungstransistoren mit 2 Freilaufdioden 2 Power transistors with 2 free wheeling diodes 1 J V - 5 3 ' o I Transistor Type/Type ATRR ATRR
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25-10xx2
30-06xx2
50-06XX2
50-10xx2
50-12XX2
75-10x
200-10XX2
300-10xx2
10-04L5
TRR25-10XX2
TRR 100-12xx2
transistor c282
trr 30-06xx2
TRANSISTOR BIPOLAIRE
75-10xx2
06XX2
5012-X
ISOLA DE 156
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Vorwort Mit diesem neuen Datenbuch stellen wir Ihnen das aktuelle Produktspektrum der SIPMOS-Leistungstransistoren und Di oden vor. Das Buch beinhaltet alle derzeit bekannten Neuerungen, Verbesserungen und W eiterentwicklungen auf diesem Ge biet. Mit der Herausgabe dieses Buches wer
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leistungstransistoren
Abstract: bup314d buz 342 G siemens 230 95 O BUP 307D BUZ,350 BUZ,271 BUP400D bup313d BUP314
Text: SIEMENS Gehäuseübersicht Package Information N-Kanal Leistungstransistoren N Channel Power Transistors D i A PN \ ° s TO-220 AB *D S ^ D S o n V 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 60 60 60 60 60 100 100 100 100 100 100 100 100 Q 10 18 23 28 m
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O-220
BUZ12A
BUZ11S2
BUZ10S2
O-218
346S2
BUP410D
leistungstransistoren
bup314d
buz 342 G
siemens 230 95 O
BUP 307D
BUZ,350
BUZ,271
BUP400D
bup313d
BUP314
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siemens dioden
Abstract: leistungstransistoren thyristor capacitive discharge ignition Leistungsdiode car ignition circuit diagram of mosfet BUZ 384 car ignition chip die npn transistor Siemens Halbleiter
Text: Technische Angaben Erläuterungen der Datenblattwerte Qualität und Zuverlässigkeit Technical Inform ation Explanation o f Data Sheet Parameters Q uality and R eliability SIEM ENS 1 Übersicht 1.1 SIPM OS-Leistungstransistoren Leistungstransistoren im Bereich 5 0 V .
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SIL00001
MILSTD-883,
siemens dioden
leistungstransistoren
thyristor capacitive discharge ignition
Leistungsdiode
car ignition circuit diagram
of mosfet BUZ 384
car ignition
chip die npn transistor
Siemens Halbleiter
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siemens BSM b2
Abstract: smd zener GD AX transistor fp 1016 79 p Siemens anwendungsbeispiele siemens igbt BSM 25 gb 100 d BTS412A DIODE ZENER BZW 04 TRANSISTOR EN SMD TZ N-Kanal FET BTS542R
Text: Technische Angaben SIPMOS-Leistungstransistoren und Dioden SIPMOS-Leistungstransistoren Transistoren im Bereich 50 V . 1000 V, 1,5 A . 60 A und 18 mQ . 8 Q. P -K a n a l N-Kanal Produktpalette • • • • • N- und P-Kanal-Anreicherungstypen FREDFET
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B152-B6299-X-X-7400
siemens BSM b2
smd zener GD AX
transistor fp 1016 79 p
Siemens anwendungsbeispiele
siemens igbt BSM 25 gb 100 d
BTS412A
DIODE ZENER BZW 04
TRANSISTOR EN SMD TZ
N-Kanal FET
BTS542R
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siemens dioden
Abstract: siemens datenbuch
Text: SIEMENS SIPMOSHalbleiter Leistungstransistoren und Dioden Datenbuch 1993 / 94 SIPMOS Semiconductors Power Transistors and Diodes Data Book 1993 / 94 Herausgegeben von Siemens AG, Bereich Halbleiter, Marketing-Kommunikation, Balanstraße 73, 81541 München.
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216-CB
Abstract: MICA WAFER snap RIVET msts boitier to3 to220 mica 212-CB cb mica Leistungstransistor
Text: Montagesätze zur Isolation von Leistungstransistoren Mounting kits for insulation of power transistors MST 3 Art. Nr. Art. No. Art. n° MST 220 Ausführung Version Modele Gehäuse Case Boîtier Lieferumfang MSTS 220 Contents of delivery Matériel livré 1 Glimmerscheibe bzw.
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: ASSMANN Transistor-Fassungen E le ctro n ic C o m p o n e n ts Fassungen fur Leistungstransistoren im Gehause Sockets Transistor-Fassungen Transistor sockets for power-transistors TO-3 „ 010.3 * 40 -3 0 ,2 22.5 - M 3 {2 x R 0,5 •£ 5,08 Art. Nr. Part no.
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of mosfet BUZ 384
Abstract: BUZ MOSFET thyristor capacitive discharge ignition tig welding transistor CF leistungstransistoren BUZ 338 SIEMENS MOSFET BUZ Ignition weld tig SIEMENS THYRISTOR
Text: Technische Angaben Technical Information 1 Übersicht 1 Overview 1.1 SIPMOS-Leistungstransistoren 1.1 SIPMOS Power Transistors Leistungstransistoren im Bereich 50 V . 1000 V und 10 mΩ . 8 Ω Power transistors in the 50 V to 1000 V and 10 mΩ to 8 Ω range
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Original
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MIL-STD-883,
MIL-STD-883;
of mosfet BUZ 384
BUZ MOSFET
thyristor capacitive discharge ignition
tig welding
transistor CF
leistungstransistoren
BUZ 338
SIEMENS MOSFET BUZ
Ignition weld tig
SIEMENS THYRISTOR
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BC 677
Abstract: Tfk 680 BD675 bc 681 BD677 BD681 BD 677 BD 681 2DIN125A 2mA80
Text: V BD 675 • BD 677 • BD 679 •BD 681 Silizium-NPN-Darlington-Leistungstransistoren Silicon NPN Darlington Power Transistors Anwendungen: NF-Endstufen Applications: AF-output stages Besondere Merkmale: • Sehr hohe Stromverstärkung Features: • Very high current transfer ratio
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BD675
BD677
BD679
BD681arecomple-mentÃ
BD678,
BD680,
BD682
mentarytoBD676
BD678
BD680
BC 677
Tfk 680
bc 681
BD681
BD 677
BD 681
2DIN125A
2mA80
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BD NPN transistors 177
Abstract: IC 74157 BD 2418 BD179 BD175 BD177 bd 175 236 TFK BD176 din 125a
Text: BD 175 • BD 177 • BD 179 Silizium-NPN-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon NPN Epibase Power Transistors Anw endungen: Audio-Verstärker, -Treiber und -Endstufen Applications: Allgemein im NF-Bereich Audio amplifier, driver and output stages General in AF-range
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CEOsus80
BD NPN transistors 177
IC 74157
BD 2418
BD179
BD175
BD177
bd 175
236 TFK
BD176
din 125a
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buy 95
Abstract: BUY77 U151 BUY78 BUY79 Q62901-B11-A Q62901-B50
Text: BUY 77 BUY 78 BUY 79 NPN-Silizium -Leistungstransistoren B U Y 77, B U Y 78 und B U Y 79 sind dreifachdiffundierte NPN-Siiizium-Leistungstransistoren im Gehäuse 3 A2 DIN 41 872 T O -3 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch verbunden. Die Transistoren eignen sich besonders als schnelle Leistungsschalter bei hohen Spannungen,
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BUY77,
BUY78
BUY79
Q62702-U151
Q62702-U152
Q62702-U153
Q62901-B11-A
Q62901-B50
buy 95
BUY77
U151
Q62901-B50
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BD441
Abstract: bd 426 BD 440 NPN transistors BD437 BD - 100 V BD 439 437 bd ic 437 BD439 B0439
Text: « BD 437 • BD 439 • BD 441 'W Silizium-NPN-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon NPN Epibase Power Transistors Anwendungen: Allgemein Im NF-Berelch Applications: General in AF-range Features: Besondere Merkmale: • Hohe Spitzenleistung • High peak power
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N125A
BD441
bd 426
BD 440 NPN transistors
BD437
BD - 100 V
BD 439
437 bd
ic 437
BD439
B0439
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A1306 TRANSISTOR
Abstract: t a1306 A1306A A3206A A1316-A3 A1318 A1309 a1328 A1013 A1300 transistor
Text: IEMENS AKTIENGESELLSCHAF 03E J> • -fZ 3 ? - û l ÔB3SbQS DOlSfciBR û BISIEG Leistungstransistoren Power Transistors N-Kanal Anreicherungstypen im Kunststoffgehäuse T0-220 AB N channel enhancement types in plastic package T0-220 AB Typ Type ^DS max fc(max)
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O-220
T0-220
C67078-
A1300-A2
A1329-A2
A1301-A2
BUZ11
A1301-A3
A1330-A3
A1331-A2
A1306 TRANSISTOR
t a1306
A1306A
A3206A
A1316-A3
A1318
A1309
a1328
A1013
A1300 transistor
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transistor buz 36
Abstract: A1301 transistor Z346 z309 A3206A A1306A z326 A1320A A1610-A2 Z22A
Text: IEMENS AKTIENGESELLSCHAF 03E D • 7 ^ 3*7-0/ ô23StQS QOlSbBS ö « S I E G Leistungstransistoren Power Transistors N-Kanal Anreicherungstypen im Kunststoffgehäuse T0-220 AB N channel enhancem ent types in plastic package TO-220 AB Typ Type ^DS max V A
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23StQS
T0-220
O-220
BUZ10S2
Z72AL
Z73AL
O-218
transistor buz 36
A1301 transistor
Z346
z309
A3206A
A1306A
z326
A1320A
A1610-A2
Z22A
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N 341 AB
Abstract: N 344 AB BUZ22 BUZ,350 8a5c buz341 C67078-S1406-A2
Text: SIEMENS SIPMOS*Leistungstransistoren SIPMOS* Power Transistors N-Kanal-Anreicherungstypen N channel enhancement types Typ Type Bestellnummer Ordering code Gehäuse Package Bild Figure 125 C67078-S1020-A2 TO-204 AA 4 40 C67078-S1316-A2 10-220 AB 8a 40 C67078-S1316-A3
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C67078-S1020-A2
C67078-S1316-A2
C67078-S1316-A3
C67078-S1348-A2
C67078-S1350-A2
C67078-S1351-A2
C67078-S1352-A2
C67078-S1353-A2
C67078-S3125-A2
C67078-S3120-A2
N 341 AB
N 344 AB
BUZ22
BUZ,350
8a5c
buz341
C67078-S1406-A2
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KT920A
Abstract: KT920B KT907A KT904A KT610A KT930A KT925b kt904 KT911A KT925A
Text: FUNKAM ATEUR - Bauelementeinformation VT Hochfrequenz-Leistungstransistoren aus der Sowjetunion Daten gebräuchlicher sowjetischer HF-Leistungstransistoren Typ Ucmi U cl.» CcAV M [V] [V] [A] [A] IW- Pu« [K/W] [W] fr Pom [MHz] [W] v P Bemer f.w [MHzj [dB] kungen
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KT610A
KT610S
KT61IIA-2
T610B-2
KT904A
KT904B
KT907A
KT904E
T911A
KT920A
KT920B
KT930A
KT925b
kt904
KT911A
KT925A
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inhalt liste
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Inhalt Inhaltsverzeichnis Table of Contents Seite Content Page Typenübersicht Selection Guide SIPMOS-Leistungstransistoren.9 IGBT-Transistoren. 12 FRED Schnelle Dioden.13 SIPMOS Power Transistors.9
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BUP 312
Abstract: buz 91 f BUP 303 IGBT DIODE BUZ 537 BUP 203
Text: SIEMENS Typenübersicht Selection Guide Leistungstransistoren Typ Type • BUZ 10 ■ BUZ 10L ■ BUZ10S2 ■ BUZ 11 ■ BUZ11A ■ BUZ11S2 ■ BUZ 11 AL ■ BUZ 12 ■ BUZ12A ■ BUZ 12AL BUZ 20 BUZ 21 BUZ 21L BUZ 22 BUZ 30A BUZ 31 BUZ 31L BUZ 32 BUZ 40B
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BUZ10S2
BUZ11A
BUZ11S2
BUZ12A
O-220
O-218
BUP 312
buz 91 f
BUP 303 IGBT
DIODE BUZ 537
BUP 203
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