Q62702P3598 Search Results

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Q62702-P1667 Abstract: Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1754 Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA SFH 313 SFH 313 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 313 und bei 880 nm (SFH 313 FA) • Hohe Linearität • 5 mm-Plastikbauform	Original	OHF02340 GEX06260 Q62702-P1667 Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1754	PDF
Bpy 43 Abstract: BP 103-3 SFH 225 FA BPX 43-3/4 SFH 309-3/4 Text: SI-FOTODETEKTOREN SILICON PHOTODETECTORS 4. Fototransistoren 4. Phototransistors TA = 25 °C Package TA = 25 °C Type ϕ Radiant sensitive area deg. mm2 IPCE λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V VCEO λ10% mA V nm tr,tf (IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ)	Original	Q62702-P3595 Q62702-P3593 Q62702-P999 Q62702-P3594 Q6270 Q62702-P1677 Q62702-1129 Q62702-P216 Q62702-P956 Q62702-P1671 Bpy 43 BP 103-3 SFH 225 FA BPX 43-3/4 SFH 309-3/4	PDF
transistor 313 Abstract: No abstract text available Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 313 SFH 313 FA SFH 313 SFH 313 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm (SFH 313) und bei 880 nm (SFH 313 FA)	Original	Q62702P1667 transistor 313	PDF
transistor 313 Abstract: No abstract text available Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 313 SFH 313 FA SFH 313 SFH 313 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm (SFH 313) und bei 880 nm (SFH 313 FA)	Original	Q62702P1667 transistor 313	PDF
fototransistor BPW 39 Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.	Original	EN60825-1 GETY6091 GPLY6899 GPLY6880 fototransistor BPW 39 fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor	PDF
foto transistor Abstract: Q62702-P1667 Q62702-P1674 Q62702P3598 Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA SFH 313 SFH 313 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 313 und bei 880 nm (SFH 313 FA) • Hohe Linearität	Original	Q62702-P1667 Q62702-P3598 Q62702-Pany foto transistor Q62702-P1667 Q62702-P1674 Q62702P3598	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA SFH 313 SFH 313 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 313 und bei 880 nm (SFH 313 FA) • Hohe Linearität • 5 mm-Plastikbauform	Original	Q62702-P1667 Q62702-P3598 Q62702-P1674 Q62702-P3597 Q62702-P5196 GEXY6260	PDF