rectifier MIP 144
Abstract: CRITCHLEY 9004 smd transistor gz "Critchley Components" acer adapter circuit diagram hpx series Critchley bcy58 siemens PABX critchley label
Text: ICs for Communications Audio Ringing Codec Filter Basic Function ARCOFI -BA PSB 2161 Version 1.1 User’s Manual 11.97 PSB 2161 Revision History: Current Version: 1997-11-01 Previous Version: Preliminary Data Sheet 08.95 Page Page in previous (in current
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ITD09527
ITD09528
ITD09529
rectifier MIP 144
CRITCHLEY 9004
smd transistor gz
"Critchley Components"
acer adapter circuit diagram
hpx series
Critchley
bcy58
siemens PABX
critchley label
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optocoupler 621
Abstract: optocoupler with encoder optocoupler pnp
Text: 2.4 Key Static keyboard lock input. While this input is activated, it is neither possible to reset the counter nor to change the preset value. you can count on Operating Instructions Electronic Preset Counter Type Series 903 3.96.1 3. Display —— count value
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D-78023
optocoupler 621
optocoupler with encoder
optocoupler pnp
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ecg semiconductors master replacement guide
Abstract: ecg master replacement guide mkl b32110 siemens mkp B32650 c945 p 331 ks transistor IC,MASTER master replacement guide Kennlinie KTY 10-6 siemens b32110 A2005 transistor
Text: Liebe Schuricht-Kunden, Ihre Zufriedenheit ist unser größtes Anliegen. Aus diesem Grunde versuchen wir, Ihnen Informationen und Ware stets zum richtigen Zeitpunkt verfügbar zu machen. Das gilt insbesondere auch für die Produkte der Siemens AG mit den drei
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optocoupleur
Abstract: optocoupler 621 optocoupleurs optokoppler document sur optocoupleur optokoppler PNP optocoupleur pnp EST 7610 application optocoupleur mikroschalter
Text: FABRIKAUTOMATION H ANDBUCH KCN1-6S. ELEKTRONISCHE VORWAHLZÄHLER Es gelten die Allgemeinen Lieferbedingungen für Erzeugnisse und Leistungen der Elektroindustrie, herausgegeben vom Zentralverband Elektrotechnik und Elektroindustrie ZVEI e.V. in ihrer neuesten Fassung sowie die Ergänzungsklausel: „Erweiterter Eigentumsvorbehalt“
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Motoren und Antriebssysteme
Abstract: motors M3G084
Text: Antriebstechnik_2011_01_18_Finale_DE_:Vorlage 18.01.2011 16:42 Seite 1 Antriebstechnik für Gleich- und Wechselspannung Die Wahl der Ingenieure Ausgabe 2011 Antriebstechnik_2011_01_18_Finale_DE_:Vorlage 18.01.2011 16:42 Seite 2 Innovationen für die Zukunft
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RA-01/11-4â
M1137
D-78112
D-74673
D-84030
Motoren und Antriebssysteme
motors
M3G084
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Motors
Abstract: No abstract text available
Text: Compact power, concentrated functionality. The new VARIODRIVE Compact motor VDC-3-49.15 The engineer’s choice Compact as a small motor, strong as a large motor and more intelligent than both of them together. In countless applications, countless small drive units provide reliable service. Here, compact internal rotor motors are commonly
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VDC-3-49
D-78112
Motors
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submersible motor winding formula
Abstract: dc motor for 24v braun
Text: Antriebstechnik_2011_05_27_Finale_EN_:Vorlage 31.05.2011 15:43 Seite 1 Drive technology for AC and DC The engineer’s choice version 2011 Antriebstechnik_2011_05_27_Finale_EN_:Vorlage 31.05.2011 15:43 Seite 2 Innovations for the future The right product for every requirement
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RA-06/11-4â
M1138
D-78112
D-74673
D-84030
submersible motor winding formula
dc motor for 24v braun
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Motors
Abstract: VD-1-54
Text: VARIODRIVE and VARIODRIVE Compact motors VARIODRIVE VARIODRIVE Compact Technical Information VARIODRIVE VARIODRIVE offers you the extensive power range and dynamics of a modern EC drive with a priceperformance ratio that has so far been deemed inconceivable. The motors and motor electronics of
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D-78112
Motors
VD-1-54
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IEC61800-5-1
Abstract: DIN7984 IEC60721 IFS150V12PT4 IGBT Driver ic and 20khz AN2009-07 DIN125 igbt modul driver IGBT collector voltage 5kV
Text: Technical Information MIPAQ serve IFS150V12PT4 preliminary data Key data Power module using IGBT4 technology in sixpack configuration. Isolated IGBT driver, protection and temperature sensor included. Topology B6I Rated semiconductor data 1200V, 150A Load type
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IFS150V12PT4
IEC61800-5-1
IEC61800-5-1,
IEC61800-5-1
DIN7984
IEC60721
IFS150V12PT4
IGBT Driver ic and 20khz
AN2009-07
DIN125
igbt modul driver
IGBT collector voltage 5kV
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MG200J2YS50
Abstract: 2-94D4A MG75Q2YS50 MG300J2YS50 2-109C1A MG200Q1US41 MG300Q1US41 MG300Q1US51 MG400J2YS50 mg200q2ys50
Text: MHTEPTEKC www.i-t.su [email protected] Ten: 495 739-09-95, 644-41-29 M o A y n u IG B T $ u p M b i T o s h i b a fln a n a 3 0 H p a 6 o H nxT eM ne paT yp np0M3B0AMTenb Kofl: Uce lc Icm :o t -4 0 °C a o + 1 2 5 °C : T o s h ib a Ucesat npH lc Tr(typ.j Tf(typ.)
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flnana30H
ot-40Â
MG200Q1US41
2-109A4A
MG300Q1US41
MG300Q1US51
2-109F1A
MG400Q1US41
MG200J2YS50
2-94D4A
MG75Q2YS50
MG300J2YS50
2-109C1A
MG400J2YS50
mg200q2ys50
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ISKRA
Abstract: TIP 2n3055 iskra by 325 BU208A BDX20 TIP NPN BU134 bdx18 me BDY56 2N3055
Text: ISKRA ELECTRONICS INC SSE D • M8Í3M77 DODDUM 1 ■ - T - 93 -/5 " T - i 3 -¡3 Silicijevi mocnostni transistorji Power silicon transistors Tip/Type Polariteta Polarity Mcbo • Uceo l9op , ^tot hpE prl/at fT UcEsat A (MHz) (V) 15-120 2 10 0,6 *c . <V)
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BDY24
BDY25
BDY74
2N3442
2N4348
2N3055
BDY56
2N3773
2N3772
BUX12
ISKRA
TIP 2n3055
iskra by 325
BU208A
BDX20
TIP NPN
BU134
bdx18 me
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Katalog tesla tranzistor
Abstract: KF520 KF173 Tesla katalog KF630D KF521 ku611 KD502 KF517A kf517
Text: kremikovych tranzistoru TESLA ROZNOV K O N S T R U K C N Í K A T A L O G P O LO VO D I C O V Ÿ C H S O U C A S T E K l E I U SVAZEK C E x p o r t EX PO R T IM P O R T KOVO PRA H A C Z E C H O SL O V A K IA : OS 8 Jankovcova 2 170 88 P R A H A 7 CZECHOSLOVAKIA
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KFY18,
KFY34,
KFY46
KSY63
KSY82
Katalog tesla tranzistor
KF520
KF173
Tesla katalog
KF630D
KF521
ku611
KD502
KF517A
kf517
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UEI 20 SP 010
Abstract: Datenblattsammlung u82720 mikroelektronik datenblattsammlung VEB mikroelektronik UB8820M "halbleiterwerk frankfurt" UEI 15 SP 020 Aktive elektronische Bauelemente 1988 Teil 2 B4207D
Text: e l e k t r o m k - b a u e ì e m e n t e * W UKaÊÊi I Ä I L I I m V w •1 vît M •'4 n, ' I ill ■ DATEN BLATTSAMM LU NG elektronische bauelemente ?: V' I j| D A I Ï K B L A U S A MML ÜHG "E lektronische Bauelemente1' Ausgabe 1/89 14 : "Neue und weiterentwiekelte Bauelemente sowie ausgewählte Importbauelemente"
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64-KBit-Sehreib--Iese-Speicher
086/11/B9
UEI 20 SP 010
Datenblattsammlung
u82720
mikroelektronik datenblattsammlung
VEB mikroelektronik
UB8820M
"halbleiterwerk frankfurt"
UEI 15 SP 020
Aktive elektronische Bauelemente 1988 Teil 2
B4207D
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B083D
Abstract: u82720 A110D TDA4100 ub8830d V40511D taa981 A109D sy 710 IC 7447
Text: > i ! U O i j q > i a | a S [ ^ ] 0 [ y y H erstellerbetriebe Bei den einzelnen Erzeugnissen werden die Herstellerbetriebe durch die nachfolgend angegebenen Symbole gekennzeichnet: VEB M ik ro e le k tro n ik „K a rl M a r x “ Erfurt L e itb e tr ie b im VEB K o m b in a t M ik ro e le k tr o n ik
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: BEL 639 transistor Sowjetische Halbleiter-Bauelemente KBC111 k4213 Germanium Transistor katalog radio fernsehen elektronik elektronik DDR KT904 KT372
Text: K a ta lo g sowjetischer H albleiterbauelem ente Si« linden im K a t a lo g t e il : Der hiermit unseren Lesern vorgelegte Katalog sowjetischer Transistoren, Dioden und integrierter Schaltkreise ist das Resultat enger Zusammen arbeit zwischen dem VEB Elektronikhandel Berlin und der Redaktion der
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KT835A
Abstract: KT827A KT827A-KT827B kt601 KT827B KT604 KT835B KT645 USSR KT827
Text: THE GENERAL SU PPLIER OF THE PRODUCTS OF THE ELECTRONIC INDUSTRY OF THE USSR s HACTQanuáí BanycK h m h e tc h äohojihehhem nj PÂHEE H3HAHH0M7 CBOÆHOMy KATMOIY TPAH3HCTOPOB V * 1 8 # 1979 Á THE PRESENT CATALOGUE IB SUPPLEMENT TO THE 1979 TRAKSISTOB CATALOGUE
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T336A
-KT336r.
KT384AM-2.
KT385AM-2.
KT60IAM.
KT602AM,
KT602EM
KT604AM,
KT604BM
KT607A-4,
KT835A
KT827A
KT827A-KT827B
kt601
KT827B
KT604
KT835B
KT645
USSR
KT827
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mikroelektronik ddr
Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik vqb 71 A910D VQB71 "halbleiterwerk frankfurt" diode sy-170 VQB 37 u112d
Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn daten der in der DDR gefertigten Halbleiterbauelem ente. Dem Anwender soll durch diese Übersicht die Auswahl der jeweils in Frage kommenden
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: mikroelektronik Heft 12 VEB mikroelektronik information applikation Mikroelektronik Information Applikation Transistoren DDR information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft sy 710 applikation heft
Text: m o t ^ o e l e l - c f a n c i r Information Applikation Bauelemente der Leistungs elektronik SW77 Bipolare SchaltTransistoren i i l - c m t n r D o lk in î^ e lB l-c ta n a r iik Information Applikation H e f t : BAUELEMENTE DER LEISTUNGSELEKTRONIK
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BCY 59
Abstract: BCY 12 BCY58X BCY 85 BCY59 BCY59X BCY58 BCY58-VIII Ucesat BCY 58
Text: N P N -Transistoren fü r N F -V o r- und T re ib erstu fen sow ie S ch alteran w en dungen - BCY 58 BCY 59 BCY 65 E BCY 58, BCY 59 und BCY 65 E sind epitaktische NPN-Silizium -Planar-Transistoren im Gehäuse 18 A 3 DIN 41 876 T O -1 8 . Der Kollektor ist m it dem Gehäuse elektrisch ver
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Q60203-
BCY 59
BCY 12
BCY58X
BCY 85
BCY59
BCY59X
BCY58
BCY58-VIII
Ucesat
BCY 58
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transistor BU 921 T
Abstract: BU921HP DIODE 921 bu 515 transistor BU 921 HP MS24 mo 350
Text: IBQAGrlBB DARLINGTON TRANSISTORS 1 / 1 C B A (A) Case JEDEC 1.8 1.8 7 / 0.14 7 / 0.14 TO-3 1.8 1.8 2.0 7 / 0.14 7 / 0.14 7 / 0.15 TO 218 Type V CBO (V) V CEO (V) 1 C (A) P tot (W) V at CEsat (V) BU 920 BU 921 400 450 350 400 10 10 120 120 BU 920 P BU 921 P
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30/1000D
50/1000D
100/1000D
00DDD52
transistor BU 921 T
BU921HP
DIODE 921
bu 515
transistor BU 921 HP
MS24
mo 350
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671501
Abstract: D780 prom relay
Text: /' /: C I I N I C A I. I N /•' O 11 M A LED Preset Counter 5 digits with sign add./subtr., Type Series 715 /' I O N XU b ie r -y o u can count on 4.94.1 - Subject to change without prior notice - 715 Description - 5 digit preset c o u n te r w ith one preset point, add./subtr.
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D-78023
671501
D780
prom relay
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BC177, BC178, BC179
Abstract: BC179 BC178 BC118 BC177 BC111 BC7f tranzystor BC107 BC108
Text: 4 - 74/2 T R A N Z Y S T O R Y p-n-p * BC177, BC178 i BC179 SWW 1156-211 T ra n z y sto ry k rz em o w e e p ip la n a rn e m ale j m ocy m alej czçstotliw osci. T ra n z y sto ry BC177 i BC178 p rzeznaczone do stosow an ia w p rz ed w z m ac n iac za ch m ale j czçsto tliw o sci i sto p n iac h ste ru j^ cy c h .
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BC177,
BC178
BC179
BC177
BC179
BC107,
BC177, BC178, BC179
BC118
BC111
BC7f
tranzystor
BC107
BC108
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Katalog CEMI
Abstract: OA81 diode byp 660-50r Philips BC147 p 181 transoptor Mullard oa81 Hitachi 12V MS 5A-181 OA81 BA102 diode telefunken hr 780 rds
Text: WSTIJP W ydaw nictw a Przem yslu M aszynowego WEMA przekazujq uzytkow nikom branzow y katalog pt. E l e m e n t y pólp rz e w o d n i k o w e , zaw ierajqcy dokladne inform acje techniczne dotycz^ce elem entów pólprzew odnikow ych produkow anych w Polsce n a skal^ przem yslow ^. W szystkie w yroby
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BD254
Abstract: BD254B BD255 T066 2MA4 bo254
Text: 10 - 74/2 T R A N Z Y S T O R n-p-n * BD254 SWW 1156-231 Tranzystor krzemowy epiplanarny duzej mocy malej cz^stotliwoSci. Jest przeznaczony do stosowania: — w stopniach wyjficiowych wzmacniaczy Hi—Fi — w ukladach przd^czajqcych mocy. Tranzystor BD254 jest komplementarny do tranzystora
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BD254
BD254
BD255.
skladowani10
BD254B
BD255
T066
2MA4
bo254
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